2. Эмиттерный повторитель (эп)

Пункты, помеченные звездочкой, выполнять в случае, если Вы претендуете на отличную отметку.

Рассчитать ЭП по постоянному току для тех же транзисторов и источника питания. Обеспечить минимум S.

1. Найти идля случая, когда нагрузкой является Ваш каскад по схеме с ОЭ.

2. Найти с учетом.

4. Найти .

5. Записать и вычислить через коэффициент входа и выхода и.

6. Для Вашего случая, т. е. или(или по формуле (19) для общего случая) найти.

7. Найти и.

8. Найти , динамический диапазон входных сигналов, считая, чтоВ.

9. * Подобрать транзистор для ЭП на составном транзисторе (СТ).

10. * Для ЭП на СТ, если – аналогичный, подобрать гасящий резистор.

11. * Рассчитать для Ваших транзисторов схему, т. е. найти ,,,,, сопротивление на переменном и постоянном токе транзисторапри.

12. * Рассчитать каскад ЭП с нейтрализованным делителем.

к п. 10

к п. 11

3. Каскад с эмиттерным входом

1. Рассчитать по постоянному току.

2. Найти ,,,. Считать, что– стандартное,.

4. Каскад с эмиттерной связью

1. Для выбранных транзисторов рассчитать по постоянному току.

2. Найти ,,.ивыбрать самим и обосновать выбор.

5. Каскод

1. Нарисовать эквивалентную схему последовательного каскода для области средних частот.

2. Рассчитать схему последовательного каскода с общим делителем в цепи базы для выбранных транзисторов по постоянному току.

3. Обеспечить Гц, т. е. определить,,,.

4. Найти ,,,, .

6. Дифференциальный каскад

1. Рассчитать по постоянному току.

2. Определить ,,,,,,,,, начальный разбаланс (считая, что он определяется разбросомв 20 %).

ЗАДАНИЕ

по компьютерному моделированию рассчитанных схем

В настоящее время ни одно радиоэлектронное устройство не изготавливается без тщательного компьютерного моделирования.

В учебном процессе широко применяется также компьютерный эксперимент в среде Electronics WORKBENCH. Для облегчения освоения этой программы в литературе [3], в приложении №1 к пособию даны методические указания «Знакомство с программой схемотехнического моделирования EWB v 5.12».

1. Соберите минимум по одному однотранзисторному и одному двухтранзисторному каскаду по итогам Ваших расчетов. Выберите зарубежный аналог транзистора наиболее близкий по параметрам к Вашему.

2. Проведите полный компьютерный эксперимент по определению усилительных, частотных и временных характеристик схем. Сравните результаты моделирования и расчета.

3. Проведите исследование зависимостей параметров схем от значений 5-7 элементов для области средних частот. Постройте графики зависимостей. Сделайте выводы.

4. Исследуйте зависимость частотных и временных свойств каскадов от элементов схемы. Постройте графики, сделайте выводы.

Литература

1. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем: М., Энергия, 1977.

2. Гусев В.Г., Гусев Ю.Н. Электроника: Учебное пособие для приборостроительных специальных вузов. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Высш. шк. 1991. –622с.

3. Артёмов К.С., Солдатова Н.Л. Основы схемотехники: учебное пособие /К.С. Артёмов, Н.Л. Солдатова; Яросл. Гос. Ун – т. – Ярославль: ЯрГУ, 2005. 216 с.