- •Курс лекций
- •Наноэлектронные приборы
- •Кремниевые мдп транзисторы
- •High-k технология metal gate.
- •Кни мдп транзисторы.
- •Транзисторы с двойным затвором.
- •Полевые транзисторы с затвором Шоттки.
- •Гетеротранзисторы
- •Немт-транзисторы.
- •Modfet-транзисторы.
- •Резонансно-туннельные транзисторы.
- •Гетероструктурный транзистор на квантовых точках.
- •Транзисторы на основе одноэлектронного туннелирования.
- •Кремниевый одноэлектронный транзистор с двумя затворами.
- •Квантово-точечный кни транзистор.
- •Одноэлектронные транзисторы на основе гетероструктур.
- •Транзисторы на основе туннельных переходов мдм
- •Приборы на основе цепочек коллоидных частиц золота.
- •Молекулярный одноэлектронный транзистор.
- •Одноэлектронный механический транзистор.
- •Баллистические транзисторы
- •Интерференционные транзисторы
- •Полевые транзисторы на отраженных электронах.
- •Нанотранзисторы на основе углеродных нанотрубок
- •Транзисторы на горячих электронах.
- •Спин чувствительные приборы.
- •Энергонезависимая память на гигантском магнитосопротивлении.
- •Спин вентильный транзистор.
- •Оптоэлектронные приборы
- •Лазеры с квантовыми ямами и точками.
- •Оптические модуляторы.
Гетероструктурный транзистор на квантовых точках.
Модулированно-легированные гетероструктуры с квантовыми точками, встроенные в токовый канал, представляют значительный интерес для устройств как в микро- так и в наноэлектронике. Транзисторы на квантовых точках представляют, по существу, новый тип приборов на горячих электронах, весьма перспективный для СВЧ-электроники.
На рис. 3.14 представлена структура модулированно-легированного транзистора с квантовыми точками.
Рис. 1.14. Структура модулированно-легированого транзистора с квантовыми точками: 1— не легированный слой GaAs (6 нм); 2 — δ(Si)-слой (2∙1012 см-2); 3, 4 — InAs 1,07 нм (0,7 нм).
Такие гетероструктуры растят по модели Странски -
Крастанова, согласно которой эпитаксиальный слой формируется на подложке с другими параметрами решетки. Квантовые точки возникают в слое, если его толщина превышает некоторое критическое значение.
На полу изолирующую подложку GaAs (100) методом молекулярно-лучевой эпитаксии наносится нелегированный буферный слои GaAs толщиной ~0,5 мкм. Затем наносятся два тонких слоя InAs, которые разделяются нелегированным «спейсер»-слоем GaAs. Толщина слоев InAs составляет 0,7 ÷ 1,0 нм, а слоя GaAs — 3,5 ÷ 5,6 нм. При этом формируется два слоя квантовых точек, размер и плотность которых варьируются в различных структурах. Затем выращивается второй «спейсер»-слой Al0,2Ga0,8As толщиной 10 нм. Далее выращиваются слои: δ(Si)-легированный и нелегированный слой Al0,2Ga0,8As толщиной 35 нм.
Формирование такой гетероструктуры завершается выращиванием нелегированного стоя GaAs толщиной 6 нм и легированного кремнием (п+ = 3∙1018 см-3) контактного слоя GaAs толщиной 40 нм. После нанесения электродов транзистор готов к исследованиям, причем длина затворов составляет 0,3 ÷ 0,4 мкм. Выяснилось, что подвижность и концентрация электронов в двумерном газе уменьшаются из-за наличия квантовых точек. Это означает, что квантовыми точками захватывается меньшее число электронов. Транспорт электронов в гетероструктурах с квантовыми точками имеет две компоненты. Одна компонента формируется подвижными электронами из двумерного газа и соответствует насыщению их дрейфовой скорости, другая обусловлена электронами, локализованными в квантовых ямах. Вторая компонента дает вклад в электронный транспорт только в сильных электрических полях.
На рис. 3.15 приведены вольт-амперные характеристики гетероструктурных транзисторов на квантовых точках с длиной затвора 0,35 мкм при различных значениях напряжения на затворе Uз. Дискретность изменения Uз при переходе от одной кривой к другой составляет 0,5 В. Эти характеристики принципиально отличаются от характеристик обычных МОП-транзисторов, так как для них токи насыщения управляются напряжением на затворе.
Рис. 3.15. Вольт -амперные характеристики гетеротранзисторов на квантовых ючках: Ic — ток стока; Uз— напряжение на затворе; Uс — напряжение стока.
В транзисторах на квантовых точках концентрация участвующих в транспорте электронов в сильных полях не зависит от напряжения на затворе. Пороговое же напряжение, необходимое для эмиссии электронов из квантовых точек, уменьшается, когда напряжение на затворе становится отрицательным.
Если в МОП-транзисторных структурах происходит запирание транзистора при отрицательных напряжениях на затворе, то в транзисторах на квантовых точках ток стока в области малых напряжений на стоке имеет тенденцию увеличения.
Пороговая напряженность Eпор, при которой стимулируется эмиссия электронов из глубоких уровней квантовых точек, определяется из ВАХ (см. рис. 3.15) для беззатворных приборов:
Eпор = Uпор/dкт = 4∙104 В/см
Опенка глубины (энергии залегания) Eкт , заполненных электронных уровней квантовых точек дает значение
Eкт =q∙ Eпор∙ dкт ≈160 мэВ,
где dкт — латеральный размер квантовой точки, который принимается за 40 нм.
Такой тип транзисторов принципиально отличается от всех известных полевых транзисторов. Они имеют высокую крутизну, малую емкость, что позволяет разработчикам электронной аппаратуры надеяться на их использование в СВЧ-приборах.