Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Курсовая работа Шель.docx
Скачиваний:
67
Добавлен:
18.02.2016
Размер:
1 Mб
Скачать

II. Расчетный раздел

5. Детальный расчет телекоммуникационного (усилительного) устройства

5.1. Расчет источника питания – стабилизатора напряжения компенсационного последовательного типа с регулирующим эллементом на двух транзисторах

Рис. 15. Стабилизатор напряжения компенсационного последовательного типа с регулирующим элементом на двух транзисторах

Последовательный стаби­лизатор напряжения имеет значение коэффициента стабилизации Кст ≥ 102. Исходные дан­ные для расчета: Uвх = 30 В, ∆Uвых = ± 4 В, Iн.max = 0,5 A, Uн.min = 2 В, Uн.max = 8 В, ∆Uвх/Uвх = ±8%

1. Выбор типа регулирующего транзистора из условий:

где Uкэmax – максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора,

Uвх – входное напряжение,

Uн.min – минимальное напряжение нагрузки,

Uн.max – максимальное напряжение нагрузки,

∆ Uвх - неста­бильность входного напряжения.

где Pkmax - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе,

Iн.max - максимальный ток нагрузки.

Uкэmax =30 + 4 – 2 = 30 [В]

Pкmax = 10 В ∙ 0,5А = 5 [Вт]

Uкэmax доп > 30 В

Pкmax доп > 5 Вт

Iк доп > 0,5А

Этим условиям удовлетворяет транзистор типа КТ802А с параметрами:

Рис. 16. Входные и выходные характеристики транзистора КТ802А

2. Выбор типа операционного усилителя из условий:

где Uвых.maxОУ, Iвых.maxОУ – предельные значения выходных напря­жения и тока операционного усилителя,

Iбmax – максимальный ток базы.

[В]

[А].

Uвыхmax ОУ > 8,5 В

Iвыхmax ОУ > 0,002 А

Выбран опера­ционный усилитель типа К157УД1, для которого Uвых.maxОУ = 12 В, Iвых.maxОУ = 300 мА.

  1. Для создания опорного напряжения выбирается стабилитрон из условия:

Uоп = Uст < Uн.min,

где Uоп – опорное напряжение,

Uст – напряжение стабилитрона.

Uоп = Uст <

Выбирается КС113А с параметрами В, Ом, мА.

4. Определяется сопротивление балластного резистора Rб, полагая, что Iст. ном. >> Iвх.ОУ:

.,

где Iст.ном. – номинальный ток стабилитрона.

2,87 [кОм].

5. Для расчета сопротивлений резисторов R1, R2, R3 пред­положим, что движок в потенциометре R2 стоит в крайнем верхнем положении. Тогда выходное напряжение стабилизатора имеет заданное по условию минимальное значение. При крайнем нижнем положении движка выходное напряжение максимально. В первом случае:

Во втором случае:

Полагая R3 = 1 кОм, из системы уравнений находятся R1 и R2:

R = 0

R = 4615,4 [Ом].

R1= 1307,7 [Ом].

Определяется коэффициент стабилизации схемы:

где- множитель, обусловленный влиянием делителя на коэффициент стабилизации Кст .

КОУ – коэффициент усиления ОУ без обратной связи,

rk – сопротивление коллекторного перехода току коллектора,

rэ – сопротивление эмиттерного перехода току эмиттера.

rk = U0kэ/I0k,

где U0kэ – напряжение коллектора в точке покоя,

I0k – ток покоя коллектора.

rk = 20/2,2 = 9,09 [Ом].

,

где I– ток покоя эмиттера.

I0э = I0k + I0б.

I0э = 2,2 + 0,02 = 2,22 [А].

= 0,01 [Ом].

= 0,25 ∙ 909 ∙ 3125 ∙ 0,81 = 575226,6

5.2. Расчет источника испытательных сигналов – импульсного усилителя с коррекцией

Рис. 17. Импульсный усилитель с коррекцией

В данном импульсном усилителе коррекция в области низких частот осуществля­ется фильтром низких частот RфСф, а на высоких частотах – эмиттерной частотнозависимой отрицательной обратной связью, соз­даваемой резистором и конденсатором. Коррекция обычно применяется в предварительных каскадах импульсного усилителя.

Следует иметь в виду, что ООС можно вводить, имея запас по усилению, так как в усилителе с ООС усиление напряжения КООС меньше, чем в усилителе без обратной связи К0. Запас по усилению достигается выбором коэффициента усиления тока базы h21э больше требуемого значения, а в общем случае – увеличением числа каскадов.

Исходные данные для расчета: Uвх.и =2 мВ; амплитуда выходного импульса Uвых.и = 0,4 В; сопротивление резистора и емкость конденсатора на­грузки Rн = 1000 Ом и пФ соответственно; длительность импульса tи = 2,5 мкc; длительность фронта мкс; относительный спад вер­шины импульса%; напряжение источника питанияЕк = 9 В.

1. Определяется число каскадов и выбирается тип транзистора по коэффициенту усиления тока базы h21э:

,

где Rн – сопротивление на нагрузке,

RвхОЭ - входное сопротивление каскада с ОЭ,

kз = 1,3 – коэффициент запаса; п – число каскадов.

2. Ориентировочно задается сопротивление резистора Rк.

при [кОм].

[Ом]

При этом сопротив­ление нагрузки переменному коллекторному току второго каскада:

[Ом].

3. Длительность фронта импульса, приходящаяся на один каскад:

.

[мкс].

Пред­варительно выбирается транзистора по предельной частоте:

,

где tф.кор – заданная длительность фронта импульса в усилителе с коррекцией,

Ск - емкость коллекторного перехода

.

[мкс].

Условиям удовлетворяет транзистор типа ГТ313Б, параметры которого имеют значения: h21э = 71; h11э = 1 кОм; fh21б = 450 МГц; Ск = 2 пФ; 20 Ом;Iкб0 = 5 мкА; Iк макс = 30 мА; Uкэ нас = 0,7 В; fh21э = fh21б/ h21э = 450/71 = 6,3 МГц.

Определяем предельную частоту транзистора:

3,6 [МГц]

Условие fh21э fh21э.треб выполняется.

4. Определяется режим покоя транзисторов.

Находится амплитуда импульса коллекторного тока, необходимого для получения заданной амплитуды выходного импульса Uвых.и:

.

[мА].

На выходных характеристиках транзистора, оп­ределяется некоторая вспомогательная точку А с координатами Iк А и Uкэ А:

; ,

где и– ток и напряжение запаса, необходимые для предотвращения соответственно отсеч­ки и насыщения коллекторного тока.

0,15 [мА].

|Uкэ нас| = 0,7 [В].

1,225 [В].

[мА].

= 1,425 [В].

От точки А откладываются значения и, и получаются две точки, одна из которых определяет режим покояIк п = Iк0 и Uкэ п = Uкэ0, а другая – пределы изменения тока Iк и напряжения Uкэ.

Рис. 18. Входные и выходные характеристики транзистора ГТ313Б

При этом по коллекторной характеристике находятся: Iк п = Iк0 = 0,235 мА, Uкэ п = Uкэ0 = 0,6 В, Iб п = Iб0 = 20 мкА, IкБ = 0,835 мА.

Переносим точку покоя с выходной на входную динамическую характеристику и находим Uбэ п = Uбэ0 = 0,1 В

  1. Вычисляются сопротивления резисторов, определяющих режим покоя второго каскада.

Оставляя принятое ранее сопротивление ре­зистора Rк = 1,5 кОм, находим:

.

[кОм].

,

.

Где U4 напряжение на резисторе R4,

- ток делителя.

.

[В].

[мА].

[кОм].

[кОм].

6. Коэффициент усиления по напряжению К2 и входное сопротивление Rвх2 второго каскада равны:

.

.

[Ом].

7. Длительность фронта, обусловленная вторым каскадом:

где - постоянная времени.

[мкс].

Допустимое значение длительности фронта первого каскада:

.

[мкс].

8. Амплитуда входного импульса второго каскада:

.

[В].

Требуемый коэффициент усиления первого каскада

9. Выбирается точка покоя транзистора первого каскада.

Точка покоя транзистора каскада: Iк0 = 0,235 мА, Uкэ0 = 0,6 В, Iб0 = 20 мкА, Uбэ0 = 0,1 В.

10. Рассчитываются сопротивления резисторов первого каскада. Находится максимальное значение сопротивления нагрузки переменному току коллектора первого каскада:

.

[Ом].

где [мкс].

Для получения требуемого коэффициента усиления К1 сопротивление резистора должно удовлетворять условию:

.

[Ом].

Ом, т.е. условие выполняется.

.

[кОм].

.

[кОм].

.

[кОм].

.

[кОм].

При этом входное сопротивление первого каскада:

.

[Ом].

11. Емкости конденсаторов усилителя, обеспечивающие допу­стимый скол вершины импульса, рассчитываются следующим образом. Распределяется относительный спад между разделительными конденса­торами Ср и конденсаторами Сэ в эмиттерных цепях транзисторов. Имея в виду, что сопротивления в выражениях для постоянных вре­мени разделительных конденсаторов намного больше, чем в выраже­ниях для конденсаторов Сэ, относительный спад вершины целесообразно распределить в соотношении:

при таком условии удается получить не очень большие значения Сэ.

Принимая в рассматриваемом примере , находим

.

.

Определяется емкость Cp:

.

[мкФ].

Относительный спад, приходящийся на блокирующие конденсаторы Сэ:

.

Емкости конденсаторов Сэ принимаются одинаковыми:

,

где Rг – выходное сопротивление источника входного сигнала.

[мкФ],

где для первого каскада

.

[Ом].

.

И для второго каскада

[Ом];

.

Элементы ООС выбираются согласно выра­жениям:

;

[Ом].

,

где ,

[мкс].

[Ом].

[мкс].

k = 2.

[пФ].

Емкость цепи коррекции вершины импульса рассчитывают по формуле

где – постоянная времени схемы в области низких частот,

Rk – сопротивление коллекторной цепи без фильтрации.

,

где и- постоянные времени заряда (разряда) разделительных конден­саторовСр и конденсатора Сэ.

.

0,12∙10-8 [с].

.

[с].

.

[с].

Входное сопротивление каскада:

,

где - входное сопротивление отрицательной обратной связи.

[кОм].

[кОм].

=с-1

= 1,2∙10-9[с].

Из условия кОм определяется сопротивление,

Где Rф - сопро­тивление резистора фильтра:

.

[Ом].

0,1 [Ом].

12 [нФ].

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]