- •1.Классификация диапазонов рабочих частот.
- •2.Опред. Шага рабочих чостот….
- •4.Опред. Промышл. Кпд и методы повышения.
- •6.Функции мэс.
- •7.Нестабильность f-ты колебаний рПдУ. Абс. И относит. Нестаб.
- •8.Электромагнитная совместимость(эмс).
- •10.Место рПдУ в иерархической лестнице.
- •11. Внеполосные излучения
- •13. Нормы управления рпду, нормы на надежность и повышенную мощность.
- •14. Классификация рпду
- •15. Устойчивость гвв. Причины нарушения рабочих режимов. Методы мостовой нейтрализации.
- •16. Методы исключения потерь выходной мощности несущих колебаний от радиопередатчика к антенне.
- •18. Принципиальная эл. Схема фазового модулятора с расстройкой резонансного контура с использованием варикапа.
- •19. Определение коэффициента усиления лампы
- •21 Особенности применения мощных б/т.
- •22. Определение параметра крутизны
- •23 Требование к выходным каскадам рПдУ
- •29. Особенности работы электронных ламп
- •30. Сравнительный анализ
- •31. Основное уравнение лампы
- •32. Коэффициенты разложения
- •33. Условия оптимального согласования
- •34. Элементная база гвв
- •35. Нагрузочные характеристики гвв
- •36. Построение гвв диапазона свч балластного типа
- •37 Коэффициент использования
- •38 Принципиальная электрическая схема лампового и транзисторного генераторов с параллельным колебательным контуром в выходной цепи
- •39 Определение недонапряженной, критической и перенапряженной области статической характеристики гвв. Определение граничного режима в электровакуумных приборах и транзисторах
- •40 Нагрузочные хар-ки гвв. Графики изменения мощности р и кпд η. Анализ нагрузочных хар-к, выгодных режимов гвв.
- •41 Проходная и выходная динамические характеристики. Изменение импульса Iк в зависимости от частоты.
- •42 Согласование двухтактного выходного каскада рПдУ (деци)метрового диапазона волн с несимметричным каоксиальным кабелем с применением цилиндрического стакана длинной λ/4.
- •43. Динамический режим работы электронного прибора в гвв
- •44. Использование метода гармонической линеаризации для анализа гвв. Конечная цель анализа вч генераторов.
- •46 Использование гвв
- •47. Основные требования, предъявляемые к согласующим цепям.
- •49 Связь с антенной в вых каскадах.
- •50 Сложение мощностей на основе устройств квадратурного типа (мостовых устройств) в усилит каскадах.
- •52 Принципиальные эл схемы умножителей на транзисторах в рпду. Определение коэф полезного действия умножителей.
- •54 Способы суммирования мощностей сигналов однотипных гвв в диапазонах дециметровых и сантиметровых волн.
- •55. Сложение мощностей вч сигналов с использованием мостовых схем и тдл. Принципиальная электрические схемы. Преимущества и недостатки.
- •56. Использование варакторов в каскадах умножения частоты метрового и дециметрового диапазонов волн. Последовательная и параллельная(||) схемы умножителей.
- •57.Методы осуществления стабилизации частоты несущих колебаний в рПдУ.
- •58 Функциональное назначение ответвителей, сумматоров, мостовых устройств, согласующих устройств, циркуляторов, аттенюаторов и балластных сопротивлений.
- •59.Струк. Сх. РПдУ цифр. Радиовещания.
- •Вопрос 60
- •Вопрос 61
- •Вопрос 62.
- •Вопрос 63.
- •Вопрос 64.
- •65. Лампа бегущей волны (лбв)
- •66. Автоматическая подстройка частоты в синтезаторах частот.
- •67. Предварительный и оконечный усилитель 3-его диапазона ртпс онега
- •68. Структурная электрисческая схема синтезатора частот радиовещательной станции
- •70. Амплитудная и частотная динамические характеристики при ам. Линейность характеристик.
- •71. Средняя мощность за период высокой частоты при отсутствии и наличии амплитудной модуляции
- •73. Формирование опс методом фильтрования
- •74. Технические характеристики
- •75.Модуляция на входной электрод
- •76.Модуляция на выходной электрод
- •Вопрос 78.Прямой метод получения чм и фм.
- •Вопрос 79. Косвенные методы получения фм и чм.
- •84. Основные технические характкристики
- •85. Системы цифрового вещания
- •87. Структурная электрическая схема связного радиопередатчика на примере рПдУ вяз-м2. Основные технические характеристики рПдУ вяз-м2.
- •89.Семейство радиопередатчиков Rode & Shwarz.Su115.
- •91.Структурная схема рПдУ системы с подвижными объектами.
- •92.РПдУ с пилот-тоном.
- •93.Обобщ. Струк. Сх. РПдУ. Методы поддерж. Номин. Мощности. Коэффициент умножения по f-те в возбудителях.
18. Принципиальная эл. Схема фазового модулятора с расстройкой резонансного контура с использованием варикапа.
Сп – осуществляет точную настройку КК на частоту возб. Колебания. При изменении U на VD1 КК будет расстраиваться, следовательно будет изменяться хар-р его сопротивления и угол φ. При подаче модулирующего U на VD1 фаза будет изменяться по законц модулирующего сигнала.
Дивиация фазы - дельта φ<=30
Достоинства схемы: высокая стабильность частоты
Недостатки: малая дивиация фазы, ФМ сопровождается паразитной АМ.
20.Внутреннее сопротивление лампы Ri – параметр, который представляет собой отношение величины изменения анодного напряжения к величине анодного тока, при const U сетки. Внутреннее сопротивление лампы между анодом и катодом относится к переменной составляющей. Ri характеризует влияние анодного U на анодного I при условии U сетки =const. Лампа является генератором переменного тока и как и всякий генератор имеет свое Ri. Ri можно определить по закону Ома, если разделить изменение анодного напряжения на вызванное им изменение анодного тока, при Uсетки постоянным.
В различных случаях желательно иметь различные величины Ri. Пример: лампы для усиления колебаний различной частоты должны иметь высокое Ri; для НЧ – низкое Ri. Внутреннее сопротивление переменному току нельзя путать с сопротивлением постоянному току, кот. не является постоянным и изменяется даже на прямолинейном участке характеристики.
19. Определение коэффициента усиления лампы
µ( коэффициент усиления) - параметр, показывающий во сколько раз изменение напряжения сетки действует на анодный ток сильнее, чем напряжение анода. Если для изменения Ia=1мА нужно изменить Uа=40 В, или изменить Uсетки на 2В, то сетка действует в 20 раз сильнее( µ=20).
Рассмотрим определение µ по характеристикам. Из характеристик видно, что при Uc=const=0 уменьшение Uан на 50В, т.е. с 200В до 150В вызывает уменьшение анодного тока с 12 мА до 8мА. А если оставить Uан неизменным (200В), то такое же уменьшение Tа может быть получено, если изменить Uс на 3В.
µ=
В зависимости от типа лампы µ может быть различным ( у триодов = 100)
21 Особенности применения мощных б/т.
Мощные б/т, в отличии от маломощных, как правило применяются при токах и напряжениях, близких к предельным значениям. Случайное отклонение от выбранного режима или даже сочетание нескольких неблагоприятных условий, может вызвать внезапный катастрофический отказ мощного б/т. Особую опасность представляет вторичный пробой. К числу возможных причин возникновения этого явления следует отнести выбросы токов и напряжений из-за предельных процессов, (момент включения выключения прибора), неконтролируемое превышение питающих напряжений, работа на пониженных частотах и др.
Для мощного б/т опасно пребывание в режиме рассогласованной нагрузки, который также приводит к развитию процесс вторичного пробоя. Частые включения и выключения а так же изменения температуры могут вызвать появление неоднородностей, что в дальнейшем будет высказываться ухудшением параметров б/т, и выходом из строя. Если возникла необходимость замене транзистора, то его базовый ввод должен отсоединятся в последнюю очередь а присоединяться первым, при этом аппаратура должна быть полностью обесточена. Нельзя менять полярность питающих напряжений, это может привести к пробою питающих напряжений.
Учитывая всё это, при проектировании транзисторов применяют ряд мер. Прежде всего , величина токов и напряжений должна быть уменьшены на 10-15% по сравнению с предельными значениями, избежание выбросов напряжений на переходах, последние часто шунтируются ограничительными диодами (стабилитронами). В стационарных РПдУ используется автоматические системы защиты мощных б/т от перегрузок, режимов рассогласованной нагрузки.