2.3 Результаты экспериментов

Эксперимент 1 - Измерение напряжения и вычисление тока через стабилитрон

1) Данные для построения ВАХ стабилитрона.

Таблица 1

Е, В	UCT, В	ICT, мА
0
4
6
10
15
20
25
30
35

2) Построение ВАХ стабилитрона

3) Напряжение стабилизации, U_CTАБ =______

4) Мощность рассеивания стабилитрона при напряжении Е=20 В, Р_СТ =_____

5) Дифференциальное сопротивление стабилитрона, определенное по наклону графика в рабочей области, R_ДИФ =_________

Эксперимент 2 - Получение нагрузочной характеристики параметрического стабилизатора

Напряжение стабилитрона и значения токов при Е=20 В.

Таблица 2

R2, Ом	UCT, В	I1, мА	I2, мА	ICT, мА
75
100
200
300
600
1 К
к.з.

Эксперимент 3 - Получение ВАХ на экране осциллографа

Напряжение стабилизации, определенное из вольтамперной характеристики, полученной при помощи осциллографа, U_СТАБ =__________ .

Контрольные вопросы

1. Почему полупроводниковые стабилитроны изготавливаются из кремния?

2. Для чего необходимо балансовое сопротивление в схеме включения стабилитрона?

3. Что такое температурный коэффициент напряжения?

4. Объясните физический смысл основных параметров кремниевых стабилитронов?

5. Что такой пробой и виды пробоев?

6. Могут ли кремниевые стабилитроны работать в режиме теплового пробоя?

7. Влияет ли значение сопротивления нагрузки на степень стабилизации выходного напряжения стабилизатора?

8. Как изменяется напряжение стабилитрона U_СТ, когда ток стабилитрона становится ниже 20 мА?

9. Каково значение тока стабилитрона I_CT при входном напряжении 15В?

10. Каково значение тока стабилитрона I_CT при значении сопротивления R1=200 Ом?

11. Как изменяется напряжение U_СТ на выходе стабилизатора, при уменьшении сопротивления R1?

Лабораторная работа № 3 исследование биполярного транзистора

Цель работы: Исследование статических характеристик биполярного транзистора.

Приборы и элементы, используемые в лабораторной работе

Название	Графическое изображение
Биполярный транзистор 2N3904
Источник постоянного напряжения
Источники переменной ЭДС
Источник напряжения, управляемый током
Источник напряжения, управляемый напряжением
Осциллограф

3.1 Теоретические сведения

Исследуемая схема показана на рисунке 1. Статический коэффициент передачи тока определяется как отношение тока коллектора к току базы:

.

Коэффициент передачи тока определяется отношением приращения коллекторного тока к вызывающему его приращениюбазового тока:

.

Дифференциальное входное сопротивление транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ) определяется при фиксированном значении напряжения коллектор-эмиттер. Оно может быть найдено как отношение приращения напряжения база-эмиттерк вызванному им приращению тока базы:

.

Рисунок 1

Дифференциальное входное сопротивление транзистора в схеме с ОЭ через параметры транзистора определяется следующим выражением:

,

где - распределенное сопротивление базовой области полупроводника,

- дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер, определяемое из выражения:

, где - постоянный ток эмиттера в миллиамперах.

Первое слагаемое в выражении много меньше второго, поэтому им можно пренебречь:

.

Дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер для биполярного транзистора сравнимо с дифференциальным входным сопротивлением транзистора в схеме с общей базой, которое определяется при фиксированном значении напряжения база-коллектор. Оно может быть найдено как отношение приращенияк вызванному им приращениютока эмиттера:

.

Через параметры транзистора это сопротивление определяется выражением:

.

Первым слагаемым в выражении можно пренебречь, поэтому можно считать, что дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер приблизительно равно:

.