gurtov

Список рекомендованной литературы

46.Киселев В. Ф. Основы физики поверхности твердого тела // В. Ф. Киселев,

С.Н. Козлов, А. В. Зотеев. М.: МГУ, 1999. 284 с.

47.Ржевкин К. С. Физические принципы действия полупроводниковых приборов, М.: Изд-во МГУ, 1986. 256 с.

48.Пасынков В. В. Полупроводниковые приборы: Учеб. для вузов // В. В. Пасынков, Л. К. Чиркин. 6-е изд., стер. СПб.: Лань, 2002. 480 с.

49.Пихтин А. Н. Оптическая и квантовая электроника: Учеб. для вузов // А. Н. Пихтин. М.: Высш. шк., 2001. 573 с.

50.Протасов Ю. С. Твердотельная электроника // Ю. С. Протасов, С. Н. Чувашев, МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2003. 480 с.

51.Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем // И. П. Степаненко. 4-е изд. М.: Энергия, 1977, 671 с.

52.Федотов Я. Л. Основы физики полупроводниковых приборов // Я. Л. Федотов. 2-е изд. М.: Советское радио, 1969. 592 с.

53.Шалимова К. В. Физика полупроводников // К. В. Шалимова. М.: Энергия, 1976. 416 с.

54.Шишкин Г. Г. Приборы квантовой электроники: Учеб. пособие для вузов. — М.: Сайнс-Пресс, 2004. 80 с.

55.Ю П. Основы физики полупроводников // П. Ю, М. Кардона. Пер. с англ. И. И. Решиной. Под ред. Б. П. Захарчени. 3-е изд. М.: Физматлит, 2002. 560 с.

56.Ankrum Paul D. Semiconductor electronics // D. Ankrum Paul. NJ: Prentice Hall, Englewood Cliffs, 1971. 548 p.

57.Brennan K. F. Physics of semiconductors with application to optoelectronic devices // K. F. Brennan. Cambridge Univ. press, 1999. 762 p.

58.Dimitrijev S. Understanding semiconductor devices // S. Dimitrijev. N. Y.: Oxford Univ., 1998. 574 p.

59.Leaver K. Microelectronic devices // K. Leaver. Imperial Collebye Press, UK 1997,

236 p.

60.Li S. S. Semiconductor Physical Electronics // S.S. Li, N. Y.: Plenum Press, 1993.

61.Mathieu H. Physique des semiconducteurs et des composants electroniques // H. Mathieu. Paris. 1995. 407 p.

62.Mitchell F. Introduction to electronics design // F. Mitchell, Prentice Hall, 2nd ed., 1998. 885 p.

63.Neamen D. A. Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles // D. A. Neamen, Homewood, IL: Irwin, 1992.

64.Parker G. J. Introductory Semiconductor Device Physics // G. J. Parker. Prentice Hall, 1994. 285 p.

65.Pierret R. F. Field Effect Devices. Reading // R. F. Pierret, MA: Addison-Wesley,

1990.

66.Shur M. GaAs Devices and Circuits // M. Shur, N. Y.: Plenum Press, 1997.

67.Singh J. Semiconductor Devices // J. Singh, NY: McGraw-Hill, 1994.

68.Streetman B.G. Solid state electronic devices, 5th ed. // B. G. Streetman, S. Banerjee, NJ: Prentice Hall, 2000. 558 p.

69.Wang S. Fundamentals of Semiconductor Theory and Device Physics // S. Wang, Eaglewood Cliffs, NJ: Prentice Hall, 1989.

Список рекомендованной литературы

Сборники задач

70.Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Карпенко И. В., Миронов А. Г. Сборник задач по физике полупроводников: Учеб. пособие для вузов. — 2-е изд., перераб. и доп. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1987. 144 с.

71.Бурбаева Н. В. Сборник задач по полупроводниковой электронике //

Н.В. Бурбаева, T.С. Днепровская. Физматлит, 2004. 168 с.

72.Гуртов В. А. Сборник задач по микроэлектронике // В. А. Гуртов, О. Н. Ивашенков. Петрозаводск. 1999. 40 с.

73.Гуртов В. А. Сборник задач по физике поверхности полупроводников // В. А. Гуртов. Петрозаводск, 1985. 92 с.

74.Sah C.-T. Fundamentals of solid-state electronics — solution manual // C.-T. Sah., World Scientific, 1996. 201 p.

Энциклопедии и справочники

75.Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги: Справочник. 4-е изд., стереотип. // А. В. Нефедов, В. И. Гордеева. — М.: КУбК-а, 1996. 400 с.

76.Полупроводниковые приборы. Диоды высокочастотные, импульсные, оптоэлектронные приборы: Справочник. 2-е изд., стереотип. // А. Б. Гитцевич, А. А. Зайцев, В. В. Мокряков и др. Под ред. А. В. Голомедова. — М.: КУбК-а, 1996. — 592 с.

77.Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры: Справочник — 2-е изд. стереотип. — // А. Б. Гитцевич, А. А. Зайцев,

В.В. Мокряков и др. Под ред. А. В. Голомедова. М.: КУбК-а, 1996. — 528 с.

78.Полупроводниковые приборы: Справочник. Транзисторы // А. В. Нефедов,

В.И. Гордеева. М.: КубК-а, 1996. 420 с.

79.Полупроводниковые приборы: Справочник. Транзисторы // Под общ. ред. Н. А. Горюнова. М.: Энергоиздат, 1985. 1802 с.

80.Полупроводниковые приборы: Справочник. Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы // Под общ. ред. Н. А. Горюнова. М.: Энергоиздат, 1987. 743 с.

81.Словарь по электронике (английский, немецкий, французский, испанский, русский). М.: Рус. яз., 1988. 560 с.

82.Физика твердого тела: Энциклопедический словарь // Гл. ред. В. Г. Барьяхтар, Киев: Наукова думка. T. 1, 1996. 656 с.; T. 2. 1998, 648 с.

83.Физический энциклопедический словарь. // Гл. ред. А. М. Прохоров. Ред. кол. Д. М. Алексеев, А. М. Бонч-Бруевич, А. С. Боровик-Романов и др. М.: Советская энциклопедия, 1984. 944 с.

84.Электроника: Энциклопедический словарь // Гл. ред. В. Г. Колесников. М.: Советская энциклопедия, 1991. 688 с.

Предметный указатель

Поля эффект 32 Проводимости зона 12 Проводимость 13

Рекомбинация излучательная 282 СВЧ-диоды 266, 268, 270 Семистор 256 Слабого поля критерий 34 Сопротивление

—выходное 209

—динамическое (дифференциальное) 208

—удельное 13

—базы объемное 131, 164

Стабилитрон 132 Тиристор 245 Ток

—обратный 36, 126

—утечки 334

Транзистор биполярный 148 Удельное сопротивление (проводи-

мость) 13 Управляющий электрод 194, 256 Уравнение

—Пуассона 44, 65, 220 интеграл второй 73

—Шредингера 134, 335

Фотодиоды 300, 306 Фотоприемники 299 Фоторезисторы 302 Фототранзисторы 315 Холла ЭДС 345 Шоттки

—барьер 36

—диод 353

Эквивалентная схема транзистора биполярного 168

Электронейтральности уравнение 20, 84, 100, 222

Электронный газ двумерный 58, 241, 346

Эмиттер 51, 123, 148 Эффект поля 32, 194

Эффект Холла квантовый 335

Об авторе

Гуртов Валерий Алексеевич — доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой физики твердого тела Петрозаводского государственного университета, заслуженный деятель науки Республики Карелия.

В1972 году окончил Петрозаводский государственный университет по специальности «Физика». С 1975 по 1979 год — аспирант Института физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР, научный руководитель — академик А. В. Ржанов.

В1979 году защитил кандидатскую диссертацию на тему «Электронные процессы в МОП-транзисторных структурах со сверхтонким подзатворным диэлектриком», в 1991 году — докторскую диссертацию на тему «Неравновесные процессы в МДП-структурах с многослойными диэлектриками при действии ионизирующего излучения» в Диссертационном совете при Институте физики полупроводников СО АН СССР.

С 1980 года по 2001 год преподаватель, старший преподаватель, доцент, профессор кафедры физики твердого тела, декан физического факультета, проректор по научной работе Петрозаводского государственного университета. С 1993 года по настоящее время — заведующий кафедрой физики твердого тела. За этот период им опубликовано самостоятельно и в соавторстве около 250 научных работ, в том числе семь учебных пособий и два сборника задач.