sty1
.pdf
##theme 3 ##score 1 ##type 1 ##time 0:00:00
Полевый (униполярный, канальный) транзистор – это:
+
полупроводниковый усилительный прибор, в основе работы которого используются подвижные носители зарядов лишь одного типа — либо электроны, либо только дырки. Его отличительная черта — управление осуществляется напряжением, а не током
-
полупроводниковый элемент с двумя р-n переходами и тремя электродами. Главный отличительный признак: обеспечение его нормальной работы осуществляется за счет носителей зарядов — электронов и дырок — за счет их инжекции;
-
полупроводниковый элемент, удельное сопротивление которого больше, чем у проводника, но меньше, чем у изолятора (диэлектрика). Основное свойство такого полупроводникового элемента – наличие p-n перехода, который пропускает ток в одном направлении;
-
полупроводниковый прибор (двухполюсник), который может усиливать сигналы из-за наличия на ВАХ участка с отрицательным сопротивлением;
##theme 3 ##score 1 ##type 1 ##time 0:00:00
На рис показана:
+
схема нормального (прямого) включения транзистора типа n-р-n по схеме с ОБ
-
схема инверсного (обратного) включения транзистора типа n-р-n по схеме с ОБ;
-
схема нормального (прямого) включения транзистора типа р-n-p по схеме с ОБ;
-
схема инверсного (обратного) включения транзистора типа р-n-p по схеме с ОБ;
##theme 3 ##score 1 ##type 1
##time 0:00:00
На рис показана:
+
схема инверсного (обратного) включения транзистора типа n-р-n по схеме с ОБ
-
схема нормального (прямого) включения транзистора типа n-р-n по схеме с ОБ;
-
схема нормального (прямого) включения транзистора типа р-n-p по схеме с ОБ;
-
схема инверсного (обратного) включения транзистора типа р-n-p по схеме с ОБ;
##theme 3 ##score 1 ##type 1 ##time 0:00:00
Основной параметр биполярного транзистора — коэффициент передачи (усиления) по току. Для схемы с ОБ коэффициент усиления по току α
определяется (рис.):
+
α = |
Iк / Iэ. |
Так как |
Iк < |
Iэ, |
то α < 1 , т. е. схема с ОБ не усиливает ток |
- |
|
|
|
|
|
α = |
Iэ / Iк. |
Так как |
Iк < |
Iэ, |
то α > 1, т. е. схема с ОБ хорошо усиливает ток; |
-
α = Iк/( Iк+ Iэ). При этом α < 1 , т. е. схема с ОБ не усиливает ток;
-
α = (Iэ+ Iк) / Iк. При этом α > 1 , т. е. схема с ОБ хорошо усиливает ток;
##theme 3 ##score 1 ##type 1 ##time 0:00:00
Основной параметр биполярного транзистора — коэффициент передачи (усиления) по току. Для схемы с ОЭ коэффициент усиления по току β
определяется (рис.):
+
β = Iк /Iб . Так как |
Iк > Iэ, |
то β > 1, т. е. схема с ОЭ хорошо усиливает ток |
|
- |
|
|
|
β = Iб/Iк. Так как |
Iк > Iэ, |
то β < 1, т. е. схема с ОЭ не усиливает ток; |
|
- |
|
|
|
β = Iк/(Iк+ Iб). При этом β |
< |
1, т. е. схема с ОЭ не усиливает ток; |
|
- |
|
|
|
β = (Iк+ Iб)/Iк. При этом β |
> |
1, т. е. схема с ОЭ хорошо усиливает ток; |
|
##theme 3 ##score 1 ##type 1 ##time 0:00:00
Для биполярного транзистора коэффициенты усиления по току α (для схемы с ОБ) и β (для схемы с ОЭ) связаны соотношением:
+
β = α/(1- α)
-
β = α/(1+ α);
-
β = (1- α)/α;
-
β = (1+ α)/α;
##theme 3 ##score 3 ##type 1 ##time 0:00:00
На рис показана:
+
выходная характеристика для схемы с ОБ
-
входная характеристика для схемы с ОБ;
-
выходная характеристика для схемы с ОЭ;
-
входная характеристика для схемы с ОЭ;
##theme 3 ##score 3 ##type 1 ##time 0:00:00
На рис. показана:
+
входная характеристика для схемы с ОБ
-
выходная характеристика для схемы с ОБ;
-
выходная характеристика для схемы с ОЭ;
-
входная характеристика для схемы с ОЭ;
##theme 3 ##score 3 ##type 1 ##time 0:00:00
На рис. показана:
+
входная характеристика схемы с ОЭ
-
входная характеристика для схемы с ОБ;
-
выходная характеристика для схемы с ОБ;
-
выходная характеристика для схемы с ОЭ;
##theme 3 ##score 3 ##type 1 ##time 0:00:00
На рис. показана:
+
выходная характеристика для схемы с ОЭ
-
входная характеристика схемы с ОЭ;
-
входная характеристика для схемы с ОБ;
-
выходная характеристика для схемы с ОБ;
##score 3
##type 1 ##time 0:00:00
Входное сопротивление для биполярного транзистора определяется (рис.):
Здесь 
— тепловой потенциал, который при комнатной температуре равен ≈ 26 мВ; Т - температура (по Кельвину); К — постоянная Больцмана; q — заряд электрона; S –крутизна транзистора; β – коэффициент усиления по току (для схемы с ОЭ).
+
, (ом)
-
, (ом);
-
, (ом);
-
, (ом);
##theme 3 ##score 2 ##type 1 ##time 0:00:00
Крутизна характеристики S изменения коллекторного тока dIК от изменения напряжения на базе dUБЭ для биполярного транзистора
определяется (рис.):
+
, ма/в при UКЭ = const; в статическом режиме
-
, в/ма |
при UКЭ |
= |
const; |
в статическом режиме |
; |
|
- |
|
|
|
|
|
|
, |
ма/в |
при UКЭ |
= |
const; |
в статическом режиме |
; |
- |
|
|
|
|
|
|
, |
ма/в |
при UКЭ |
= |
const; |
в статическом режиме |
; |
##theme 3 ##score 2 ##type 1 ##time 0:00:00
Выходное сопротивление для биполярного транзистора определяется (рис.):
Здесь: jy - напряжение Эрли. Типовое
значение jy = 80 –200В для n-p-n и 40 –150В для p –n –p транзисторов.
+
, при Uбэ = const;в статическом режиме
-
, при Uбэ = const;в статическом режиме |
; |
-
, при Uбэ = const;в статическом режиме 
;
-
при Uбэ = const;в статическом режиме 
;
##theme 3 ##score 3 ##type 1 ##time 0:00:00
На рис. показана эквивалентная схема замещения биполярного
транзистора:
+
гибридная высокочастотная при включении по схеме с ОЭ (П-образная схема Джиаколетто)
-
упрощенная малосигнальная высокочастотная физическая при включении по схеме с ОБ (схема Притчарда);
-
Т-образная малосигнальная физическая с источником тока при включении по схеме с ОБ;
-
П-образная обобщенная с источником тока при включении по схеме с ОЭ;
##theme 3 ##score 2 ##type 1 ##time 0:00:00
Граничная частота усиления fα для схем ОБ – это частота, при которой дифференциальный коэффициент усиления по току α(рис.):
+
уменьшается в 
раз (3 дБ) по с равнению с α на низкой частоте
-
увеличивается в 
раз (3 дБ) по с равнению с α на низкой частоте;
-
увеличивается в 
раз (3 дБ) по с равнению с α на средней частоте;
-
уменьшается в 
раз (3 дБ) по сравнению с α на средней частоте;
##theme 3 ##score 2 ##type 1 ##time 0:00:00
Граничная частота усиления f β для схем ОЭ – это частота, при которой
дифференциальный коэффициент усиления по току β (рис.:
+
уменьшается в 
раз (3 дБ) по с равнению с β на низкой частоте
-
увеличивается в 
раз (3 дБ) по с равнению с β на низкой частоте;
-
увеличивается в 
раз (3 дБ) по с равнению с β на средней частоте;
-
уменьшается в 
раз (3 дБ) по сравнению с β на средней частоте;
##theme 3 ##score 2 ##type 1 ##time 0:00:00
Предельный режим использования транзистора (рис.) – это режим, при выходе за пределы которого транзистор разрушается. Границы
допустимых значений определяются:
+
по току, по напряжению, по мощности
-
только по току и по напряжению;
-
только по мощности и по току;
-
только по мощности;
##theme 3 ##score 3 ##type 1 ##time 0:00:00
Принцип действия полевого транзистора с p-n переходом основан на изменении сопротивления активного слоя (канала) путем расширения p-n
перехода при подаче на него (рис.):
+
напряжения обратного смещения
-
переменного напряжения;
-
одновременно напряжения обратного смещения и переменного напряжения;
-
импульсов специальной, например, пилообразной формы;
##theme 3 ##score 2 ##type 1 ##time 0:00:00
На рис. показаны ВАХ полевого транзистора с управляющим р–n
переходом:
+
выходные, стоковые
-
стокозатворные;
-
проходные;
-
амплитудные;
##theme 3 ##score 2 ##type 1 ##time 0:00:00
На рис. показаны ВАХ полевого транзистора с управляющим р –n
переходом: