sty1

+

зависимость модуля нормированного коэффициента передачи транзисторного усилителя для всего диапазона усиливаемых частот

-

амлитудная характеристика усилителя;

-

переходная характеристика усилителя;

-

фазовая характеристика усилителя;

##theme 6 ##score 1 ##type 1 ##time 0:00:00

На рис. представлена фазочастотная характеристика резисторного

каскада для области Здесь:

К0 = S0RЭКВ. – это коэффициент усиления на средних частотах; τн =

τНагр.ЭКВ. - постоянная времени каскада; τНагр.ЭКВ = Rнэкв. Снэкв. - параметры эквивалентной схемы усилительного каскада для рассматриваемого диапазона частот.

+

нижних частот

-

верхних частот;

-

для всего диапазона;

-

для выделенной области частот;

##theme 6 ##score 1 ##type 1 ##time 0:00:00

На рис. представлена фазочастотная характеристика резисторного

Ко/(1+jωtВ) : φВ = -arctg ωtВ ; К0 = S0RЭКВ. – это коэффициент усиления на средних частотах; τв = τв.ЭКВ. - постоянная времени каскада; τв.ЭКВ

=Rнэкв. Снэкв. - параметры эквивалентной схемы усилительного

каскада для рассматриваемого диапазона частот.

+

верхних частот

-

нижних частот;

-

для всего диапазона;

-

для выделенной области частот;

##theme 6 ##score 1 ##type 1 ##time 0:00:00

На рис. представлена нормированная переходная характеристика

резистивного усилителя в области: Здесь:

., где tнар – время нарастания импульса (время установления).

+

малых времён (соответствует области ВЧ)

-

больших времен (соответствует области НЧ);

-

характеристика приведена для импульсов треугольной формы;

-

характеристика приведена по переменному току;

##theme 6 ##score 2 ##type 1 ##time 0:00:00

На рис. 1 представлена схема резистивного усилителя, на рис.2 - его эквивалентная схема и на рис.3 - нормированная переходная характеристика в области в области:

(RiК + RН) – постоянная времени разделительного конденсатора; Rik = Ri║Rk

(параллельное соединение – см. эквивалентную схему усилителя по рис. 2).

+

больших времён (соответствует области НЧ)

-

малых времён (соответствует области ВЧ);

-

характеристика приведена для импульсов треугольной формы;

-

характеристика приведена по постоянному току;

##theme 6 ##score 2 ##type 1 ##time 0:00:00

На рис. приведена схема транзисторного резисторного усилителя:

+

с общим истоком (ОИ) на полевом транзисторе с управляющим р - n переходом и каналом n - типа

-

с общим стоком (ОС) на полевом транзисторе с управляющим р - n

переходом и каналом n - типа;

-

с общим истоком (ОИ) на полевом транзисторе с управляющим p - n переходом и каналом p - типа);

-

с общим истоком (ОИ) на МДП – транзисторе с встроенным каналом p— типа;

##theme 6 ##score 2 ##type 1 ##time 0:00:00

Важным показателем широкополосного усилителя является площадь усиления каскада П, которая характеризует способность усилителя создавать усиление в широкой полосе частот. Здесь: К 0 - коэффициент

передачи на средней частоте диапазона; fн и fв – нижняя и верхняя граничные частоты, на которых коэффициент передачи К 0 уменьшается в

.

+

П = К0 fв

-

П = К0 /fв;

-

П = fв / К0;

-

П = К0 (fв+ fн) /2;

##theme 6 ##score 2 ##type 1 ##time 0:00:00

Важным показателем импульсного усилителя является площадь усиления каскада П, которая характеризует способность усилителя создавать усиление в широкой полосе частот. Здесь: К0 – коэффициент

передачи на средней частоте диапазона; tнар – время нарастания импульса.

+

-

;

-

;

-

;

##theme 6 ##score 2 ##type 1 ##time 0:00:00

Для каскада на биполярном транзисторе максимальная площадь усиления зависит о от параметров транзистора. Здесь: Ск - ёмкость

между базой и коллектором (барьерная); rБ’ – объёмное сопротивление базы (rБ’ ≈ 100 Ом). fh21э - граничная частота, на которой h21Э = 0,707 от своего значения на НЧ. fТ - частота, на которой h21Э = 1 (частота

единичного усиления)

+

Пmax =

-

Пmax = ;

-

Пmax = ;

-

Пmax = ;

##theme 6 ##score 2 ##type 1 ##time 0:00:00

На рис. приведена схема коррекции АЧХ усилителя:

+

низкочастотная, с помощью элементов Rф; Cф

-

низкочастотная, с помощью элементов Rф; Cбл;

-

низкочастотная, с помощью элементов Rк; Cбл;

-

высокочастотная, с помощью элементов Rб2; Cр2;

##theme 6 ##score 2 ##type 1 ##time 0:00:00

На рис.1 приведена схема НЧ коррекции АЧХ усилителя, а на рис.2 - ее эквивалентная схема. Коррекция АЧХ осуществляется при выполнении

условий: сопротивление во всем диапазоне усиливаемых частот; сопротивление

+

на средней частоте диапазона

-

на нижней частоте диапазона;

-

на верхней частоте диапазона;

-

на всех частотах диапазона;

##theme 6 ##score 3 ##type 1 ##time 0:00:00

На рис.1 приведена схема НЧ коррекции АЧХ усилителя, на рис.2 - ее эквивалентная схема, а на рис.3 - нормированная АЧХ. Коррекция АЧХ осуществляется при выполнении условий:

+

при RГ >> Rк << RН (при высокоомных нагрузках), например, в схемах с

полевыми транзисторами. Для биполярных транзисторов коррекция хорошо работает в схемах с высокими RН

-

при RГ << Rк << RН (при низких RГ), например, в схемах с обычными

транзисторами. Для биполярных транзисторов коррекция хорошо работает в схемах с высокими RН;

-

при RГ >> Rк >> RН (при высоких RГ), например, в схемах с полевыми

транзисторами. Для биполярных транзисторов коррекция хорошо работает в схемах с низкими RН;

-

схема хорошо работает при RГ << Rк >> RН (при при низких RГ ), например, в

схемах с обычными транзисторами. Для биполярных транзисторов коррекция хорошо работает в схемах с низкими RН;

##theme 6 ##score 3 ##type 1 ##time 0:00:00

На рис. 1 приведена схема, а на рис. 2 нормированная переходная

На рис. представлена схема:

+

НЧ коррекция с помощью ООС

-

сложной ВЧ коррекции;

-

без коррекции;

-

НЧ коррекции с помощью элементов Rэ; Cэ;

##theme 6 ##score 3 ##type 1 ##time 0:00:00

На рис. приведена схема:

+

ВЧ коррекции с параллельной индуктивностью L

-

НЧ коррекции с помощью элементов Rэ; Cэ;

-

ВЧ коррекции с помощью элементов Rсв; Cсв;

-

НЧ коррекции с помощью элементов Rк; Ср2;

##theme 6 ##score 3 ##type 1 ##time 0:00:00

На рис.1 показана эквивалентная схема, а на рис. 2 принципиальная схема резисторного усилителя на транзисторе:

+

с ВЧ коррекцией с параллельной индуктивностью L

-

с НЧ коррекцией с помощью элементов Rэ; Cэ;

-

с ВЧ коррекцией с помощью элементов Rсв; Cсв;

-

с НЧ коррекцией с помощью элементов Rк; Ср2;

##theme 6 ##score 3 ##type 1 ##time 0:00:00

На рис.1 показана принципиальная схема, а на рис. 2 нормированная частотная характеристика резисторного усилителя на транзисторе:

Здесь: коэффициент коррекции.

+

с ВЧ коррекцией с параллельной индуктивностью L

-

с НЧ коррекцией с помощью элементов Rэ; Cэ;

-

с ВЧ коррекцией с помощью элементов Rсв; Cсв;

-

с НЧ коррекцией с помощью элементов Rк; Ср2;

##theme 6