6.17. Установите соответствие:

1. Информационный вход соединен с выходом младшего разряда а. циклический сдвиг вправо

2. Информационный вход соединен с выходом старшего разряда б. циклический сдвиг влево

3. В освободившейся триггер вводится 0 в. логический сдвиг

7. Правила и режимы работы типовых ПЦУ. Например:

7.1. При прямом счете и настройке на 1101₂ СУНС достаточно входов ...

7.2. При обратном счете и настройке на 0110₂ СУНС достаточно входов ...

7.3. При настройке на х<Q_н СУНС необходимы входы ...

7.4. Со старшего разряда двоичные наборы вводятся в регистр сдвига ...

7.5. С младшего разряда двоичные наборы вводятся в регистр сдвига ...

7.6. 1-тактный циклический сдвиг вправо преобразует 1001₂ в x₂= ...

7.7. 1-тактный циклический сдвиг влево преобразует 1001₂ в x₂= ...

7.8. 1-тактный логический сдвиг вправо преобразует 1001₂ в x₂= ...

7.9. 1-тактный логический сдвиг влево преобразует 1001₂ в x₂= ...

7.10. При настройке на х>Q_н СУНС необходимы входы ...

7.11. Логический сдвиг влево эквивалентен:

А. умножению на 2

Б. делению на 2 с округлением в большую сторону

В. делению на 2 с округлением в меньшую сторону

Г. увеличению на 2

Д. уменьшению на 2

7.12. Логический сдвиг вправо эквивалентен:

А. умножению на 2

Б. делению на 2 с округлением в большую сторону

В. делению на 2 с округлением в меньшую сторону

Г. увеличению на 2

Д. уменьшению на 2

7.13. Циклическому сдвигу отвечает схема:

А. Б. В. Г. Д.

7.14. Логическому сдвигу отвечает схема:

А. Б. В. Г. Д.

8. Полупроводниковые ЗУ. Например:

8.1. Режим регенерации задается комбинацией:

А. RAS пассивен, CAS пассивен Б. RAS активен, CAS пассивен В. RAS пассивен, CAS активен

Г. RAS активен, CAS активен Д. W/R активен

8.2. Установите соответствие:

1. EPROM а. программируется однократно пользователем

2. RAM б. стирание информации ультрафиолетовым облучением

3. PROM в. стирание информации электрическим путем

4. EEPROM г. программируется однократно изготовителем

5. ROM д. оперативная память

8.3. Запоминающим элементом статических ОЗУ является ...

8.4. Укажите все характерные особенности ППЗУ типа EEPROM:

а. общее стирание информации г. число циклов перепрограммирования 10 - 100

б. избирательное стирание информации д. время стирания информации не менее 30 минут

в. число циклов перепрограммирования до 10⁴

8.5. Запоминающим элементом динамических ОЗУ является ...

8.6. Укажите все характерные особенности ППЗУ типа EPROM:

а. общее стирание информации г. число циклов перепрограммирования 10 - 100

б. избирательное стирание информации д. время стирания информации не менее 30 минут

в. число циклов перепрограммирования до 10⁴

8.7. Режим регенерации задается сигналами:

А. Б. В.

Г. Д. W/R активен

8.8. Установите правильную последовательность активизации входов:

1. Адрес столбца 2. W/R 3. CAS 4. Адрес строки 5. RAS

8.9. Укажите правильное распределение сигналов управления:

А. Б. В.

Г. Д.

9. Структура TMS320C6x. Например:

9.1. Доступ к перекрестным линиям TMS320C6x не имеют модули ...

9.2. В TMS320C6x адресную арифметику выполняют модули ...

9.3. Общее число РОН TMS320C6x равно ...

9.4. Общее число модулей TMS320C6x равно ...

9.5. Регистровые пары РОН TMS320C6x образуются по правилу:

А. четный и следующий по номеру нечетный Г. любые нечетные

Б. любые четный и нечетный Д. любые

В. любые четные Е. нечетный и следующий по номеру четный

9.6. Регистровая пара РОН TMS320C6x записывается через символ …

9.7. Укажите функции контроллера ПДП TMS320C6x:

а. обмен данными между областями внутрикристальной памяти

б. начальная загрузка программы в память процессора

в. обмен данными между внешними устройствами и внешней памятью

г. обмен данными между внешними устройствами и внутрикристальной памятью

д. обмен данными между внешней и внутрикристальной памятью

9.8. Укажите все функции контроллера ИВП TMS320C6x:

а. обмен данными между внешними устройствами и внешней памятью

б. обмен данными между областями внутрикристальной памяти

в. начальная загрузка программы в память процессора

г. обмен данными между внешними устройствами и внутрикристальной памятью

д. обмен данными между внешней и внутрикристальной памятью

9.9. Укажите все функции таймеров TMS320C6x:

а. реализация счетчиков б. прерывание процессора в. синхронизация контроллера ПДП

г. синхронизация контроллера ИВП д. управление портами процессора

9.10. Укажите спящий режим 3 TMS320C6x:

А. тактирования лишено ядро

Б. тактирования лишена внутрикристальная периферия

В. тактирования лишен практически весь кристалл

Г. тактирования лишена внутрикристальная память

Д. отключено напряжение питания

9.11. Установите спящий режим 2 TMS320C6x:

а. тактирования лишено ядро

б. тактирования лишена внутрикристальная периферия

в. тактирования лишен практически весь кристалл

г. тактирования лишена внутрикристальная память

д.отключено напряжение питания

9.12. Укажите спящий режим 1 TMS320C6x:

А. тактирования лишено ядро

Б. тактирования лишена внутрикристальная периферия

В. тактирования лишен практически весь кристалл

Г. тактирования лишена внутрикристальная память

Д. отключено напряжение питания

10. Структура строки ассемблера TMS320C6x. Например:

10.1. Расположите поля слева направо:

1.модуль 2.операнды 3.комментарий 4.команда 5.метка 6.параллельные линии 7.условие

10.2. Укажите все варианты правильного начала поля метки:

а. L… б. _L… в. _1… г. 5… д. * е. ; ж. :

10.3. Поле метки завершается символом …

10.4. Укажите все варианты правильного заполнения поля модуля:

а. .М б. .М1 в. М г. М1 д. пробел

10.5. Имя объекта в поле модуля начинается символом …

10.6. В схеме комментарий начинается символом …

10.7. В схеме комментарий начинается символом …

10.8. Укажите все объекты, допустимые в поле команды:

а. мнемоника команды б. мнемоника директивы в. имя макрокоманды г. выражение на языке ассемблера д. пробел

10.9. В поле операндов нельзя указывать:

А. имя регистра РОН Г. адресный код

Б. константу в числовой форме Д. исполнительный адрес

В. выражение на языке ассемблера

10.10. Объекты поля операндов разделяются символом …

10.11. При [R] команда выполняется, если …

11. Понятие и методы адресации операндов. Например:

11.1. Обращение к операнду, указание на который содержится в команде, называется …

11.2. Информация об адресе операнда, содержащаяся в команде, называется …

11.3. Номер физической ячейки памяти, к которой производится обращение, называется …

11.4. Если операнд указывается численной константой, то адресация называется …

11.5. Если А_К = А_И, адресация называется …

11.6. Если А_К указывает регистр РОН, содержащий операнд, адресация называется …

11.7. Если А_К указывает регистр РОН, содержащий А_И, адресация называется …

11.8. Адресация по схеме называется …

11.9. Адресация по схеме называется …

11.10. Адресация по схеме называется ...

12. Формат и назначение команд пересылки данных TMS320C6x. Например:

12.1. Команда MVK пересылает … бит.

12.2. MV означает операцию:

А. ввод исходных данных

Б. копирование содержимого одного регистра РОН в другой регистр РОН

В. загрузка регистра РОН содержимым ячейки памяти

Г. пересылка в память содержимого регистра РОН

Д. перемещение содержимого одного регистра РОН в другой регистр РОН

12.3. ST означает операцию:

А. ввод исходных данных

Б. копирование содержимого одного регистра РОН в другой регистр РОН

В. загрузка регистра РОН содержимым ячейки памяти

Г. пересылка в память содержимого регистра РОН

Д. перемещение содержимого одного регистра РОН в другой регистр РОН

12.4. LD означает операцию:

А. ввод исходных данных

Б. копирование содержимого одного регистра РОН в другой регистр РОН

В. загрузка регистра РОН содержимым ячейки памяти

Г. пересылка в память содержимого регистра РОН

Д. перемещение содержимого одного регистра РОН в другой регистр РОН

12.5. MVK означает операцию:

А. ввод исходных данных

Б. копирование содержимого одного регистра РОН в другой регистр РОН

В. загрузка регистра РОН содержимым ячейки памяти

Г. пересылка в память содержимого регистра РОН

Д. перемещение содержимого одного регистра РОН в другой регистр РОН

12.6. В командах загрузки/хранения адресная часть начинается символом …

12.7. Укажите формат поля операндов в командах загрузки:

А. *А_к,<регистр> В. *<регист-источник>,<регистр-приемник> Д. *А_и,<регистр>

Б. <регистр>,*А_к Г. <регистр-приемник>,*<регист-источник> Е. <регистр>,*А_и

12.8. Команда LDB пересылает ... бит.

12.9. Укажите мнемоники команд загрузки/хранения:

а. MVK б. MV в. MVKH г. MVKLH д. LDH Е. STH

12.10. Укажите значения третьей буквы в мнемониках команд загрузки/хранения:

а. объем пересылаемых данных

б. закон изменения величины «смещения»

в. правило вычисления исполнительного адреса

г. правило размещения пересылаемых данных в приемнике

д. правило изменения содержимого регистра адреса

12.11. Укажите формат поля операндов в командах ввода исходных данных:

А. <численная константа>,<регистр> Б. <символьная константа>,<регистр>

В. <регистр>,<численная константа> Г. <регистр>,<символьная константа>

Д. <выражение>,<регистр>

13. Правила выполнения основных команд TMS320C6x. Например:

13.1. Команда LDB(H, HU, BU) размещает операнд по правилу:

А. Б. В. Г.

Д.

13.2. Команда EXTU выполняется по правилу:

А. Б. В. Г.

Д. Е. Ж.

13.3. Если CMPGT R1,R2,R3 и R3=0, то:

А. R1 = R2 Б. R1  R2 В. R1 < R2 Г. R1 > R2 Д. R1  R2 Е. R1  R2

13.4. Результат выполнения команды ABS представляется в ... коде.

13.5. Команда MVK(H, LH) выполняется по правилу:

А. Б. В.

Г. Д.

14. Ограничения целостности ресурсов TMS320C6x. Например:

Команда n

Команда n+1

Команда n+2

14.1. Число выполняемых пакетов фрагмента || Команда n+3 равно …

14.2. Число команд, выполняемых TMS320C6x одновременно,  ...

14.3. Регистрами условия РОН А могут быть ...

14.4. Правило использования модулей нарушено в фрагменте:

А. ADD .S1 A0,A1,A2 Б.ADD .S1 A0,A1,A2 В. ADD .L1 A0,A1,A2 Г. ADD .S1 A0,A1,A2 Д. ADD .S1 A0,A1,A2

|| SUB .S1 A3,A4,A5 SUB .S1 A3,A4,A5 || SUB .S1 A3,A4,A5 SUB .S2 B3,B4,B5 || ADD .L1 A3,A4,A5

14.5. Назовите все регистры условия РОН В: …

14.6. Правило использования перекрестных линий нарушено в фрагменте:

А. ADD .L1 A0,B1,A1 Б. ADD .L1 A0,B1,A1 В. ADD .L1 A0,B1,A1 Г. ADD .L1 A0,B1,A1 Д. ADD .L1 A0,B1,A1

|| MPY .M1 A4,B4,A5 MPY. M1 A4,B4,A5 || MPY .M2 B4,A4,B5 MPY .M2 B4,A4,B5 || ADD .S1 A3,A4,A5

14.7. Ограничение чтений одного и того же регистра нарушено в фрагменте:

А. MPY .M1 A1,A1,A4 Б. MPY .M1 A1,A1,A4 В. MPY .M1 A1,A1,A4 Г. MPY .M1 A1,A1,A4

|| ADD .L1 A1,A1,A5 || [A1] ADD .L1 A0,A1,A5 || ADD .L1 A0,A1,A5 ADD .L1 A1,A1,A5

|| SUB .D1 A1,A2,A3 || SUB .D1 A1,A2,A3 || SUB .D1 A1,A2,A3 || SUB .D1 A1,A2,A3

Д. MPY .M1 A1,A1,A4

[A1] ADD .L1 A0,A1,A5

|| SUB .D1 A1,A2,A3

14.8. Правило записи в один и тот же регистр нарушено в фрагменте:

А. MPY .M1 A0,A1,A2 Б. MPY .M1 A0,A1,A2 В. ADD .L1 A4,A5,A2 Г. ADD .L1 A4,A5,A2

ADD .L1 A4,A5,A2 || ADD .L1 A4,A5,A2 MPY .M1 A0,A1,A2 || MPY .M1 A0,A1,A2

Д. MPY .M1 A0,A1,A2

|| ADD .L1 A4,A5,A3

14.9. Правила использования модулей .D нарушено в фрагменте:

А. LDW .D1 *A0,A1 Б. LDW .D1 *A0,A1 В. LDW .D1 *A0,B1 Г. LDW .D1 *A0,B1 Д. STW .D2 A0,*B1

|| LDW .D2 *A2,B1 || LDW .D2 *B0,B2 || STW .D2 A4,*B4 || LDW .D2 *B4,A1 || STW .D1 B4,*A4

15. ЦАП и АЦП. Например:

15.1. Суммирование эталонных токов, пропорциональных весовым коэффициентам двоичных разрядов, является принципом действия ...

15.2. Укажите все блоки микросхемы ЦАП:

а. согласующее устройство б. токовые ключи в. резистивная матрица г. источник опорного напряжения д. усилитель

15.3. Диаграмма отвечает АЦП типа ...

15.4. Укажите фрагменты резистивной матрицы:

а. б. в. г. д.

15.5. Параметр i-го элемента резистивной матрицы определяется выражением:

А. Rⁱ Б. R2^n-1-i В. Ri Г. R^n-1-i Д. R2ⁱ

15.6. Укажите фрагмент резистивной матрицы:

А. Б. В. Г. Д.

15.7. Диаграмма отвечает АЦП типа ...

15.8. Диаграмма отвечает АЦП типа …