Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Cхемотехника_конспект.doc
Скачиваний:
31
Добавлен:
12.05.2015
Размер:
8.35 Mб
Скачать

Схемотехніка кіл зміщення визначається будовою польового транзистора (надалі пт).

  1. Польові транзистори з p-n переходом в залежності від типу каналу.

Для ПТ з каналом р-типу напруга на заслоні повинна бути “+” , щоб перехід заслін-канал був закритий (для каналу n-типу має бути “-“).

Найчастіше при включенні ПТ для подачі Eзм використовують автоматичне зміщення.

Струм стікання Iстік =0, оскільки перехід закритий.

URзм. = Eзм0 = URстік. + Uв.з.

Напруга на Rзм. буде запиральною для переходу заслин-витык.

Польові транзистори з ізольованим заслоном ( МОН або МДН- транзистори).

  1. ПТ з вбудованим каналом.

Якщо на заслін подати “-“ , то основні носії --

електрони, будуть витікати з “n”-каналу.

При Eз.в. канал буде збіднений (R).

Для цього типу транзистора використовують автоматичне зміщення , аналогічне до попереднього випадку.

  1. ПТ з індукованим каналом.

При E­в.с.=0 та Eзм.=0 між витоком та стоком струм відсутній, оскільки, між ними знаходиться два p-nпереходи (один з них в будь-якому випадку буде закритим). Це перехід можна буде відкрити, якщо в під затворній області створити високу концентрацію з n-носіїв, для цього на заслін потрібно подати напругу із знаком “+”. При цьому електрони перемістяться з підложки в область під затвором і створять індукований канал, через який і почнеться рух електронів.

При використанні ПТ з індукованим каналом, для подачі зміщення , використовують звичайний подільник напруги.

Тут Rс для ПТ є аналогом Rк для біполярних транзисторів, а Rв. – аналог Rе.

Розрахунки для ПТ аналогічні розрахункам для біполярних транзисторів, при IЗ0=0.

Причому Rд1, та Rд2 вибирають з розрахунку економічності та малого впливу на вхідний

опір RВх.

Eзм0 = Uз.в.0 + URв.

Uз.в.0 – знаходять за статичним вольт-амперними характеристиками, при вибраному Iс.0 .

URв – задають аналогічно URе..

Лекція№10

Розділ. Режими роботи транзисторних каскадів.

Під режимом роботи розуміють сукупність напруг та струмів для певної схеми ввімкнення активних елементів.

Режими роботи можна охарактеризувати вказавши робочі точки на статичних характеристиках робочого елемента.

Статичні характеристики знімають при Uке = const.

Uбе = Varia; iб = Varia, iк = Varia звідси маємо, що Uке = Varia,

Uке = Eж URк – URе= Eж – iк• + i­е•Rе=

=Eж –iк•(Rк + Rе­)

Uке=Eж –iк0•(Rк + Rе­)

Надалі, для спрощення будемо використовувати апроксимовані статичні характеристики.

Uке=0 = Eж –iк0•(Rк + Rе­)

звідси маємо:

Iк0m =Eж­ / (Rк + Rе­)

Режим роботи можна задати, вказавши положення робочої точки на статичній характеристиці робочого елемента.

Якщо rL = 0, то навантажувальна характеристика проходить через Eж та Eж / rL.

Навантажувальні характеристики для змінного струму.

При розгляді режиму роботи за постійним струмом , потрібно враховувати, що Rк є навантаженням тільки в кінцевих каскадах і то не завжди. Реально паралельно до Rк вмикають Rн, і тому Rк буде тільки частиною загального навантаження для каскаду.

ׁU = ׁUбе0 +ׁUе

iк = iб· h21е = Iб0 ·β +iб·h21

iб· h21е = Iк0 iб·h21= Iк˜

Оскільки ׁIк˜=ׁIк˜ Rн+ׁIк˜ Rк, то з цього видно , щоRктаRн з”єднані паралельно.

Еквівалентна схема виходу каскаду.

Надалі будемо використовувати позначення Iк˜ н для струму, що протікає через навантаження Iк˜ R н.

R= =Rк + Rе

R˜ = Rк || Rн = Rк*Rн /( Rк+Rн)

Навантажувальна характеристика для постійного струму.

Для змінного струму потрібно провести окрему навантажувальну характеристику. Її будують в два етапи:

  1. Поводять допоміжну характеристику через точки Eжта Eж/ R˜.

  2. Отриману допоміжну навантажувальну характеристику переміщають паралельно самій собі до положення вибраної робочої точки.

Наподалі будемо реалізовувати навантажувальні характеристики тільки для змінного струму.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]