optika

зоны переходит в свободную зону, и при наличии электрического поля потечёт ток, который, однако, значительно слабее тока в металлах.

2. Свободные электроны в металле. Рассмотрим кубик металлического проводника единичного объёма, в котором имеется n свободных электронов. В соответствии с рассмотренной выше теорией свободные (валентные) электроны образуют зону, попарно располагаясь на энергетических уровнях. Электроны образуют особый вид газа, в котором все пары электронов имеют разные энергии. Такой газ называется ферми-газом. В молекулярной физике аналогов ему нет, так как любые атомы или молекулы, их которых состоит газ, могут иметь одинаковую энергию. В этом приближении металл можно рассматривать как потенциальную яму (см. §20), размеры которой определяются границами кубика металла. Глубина ямы задаётся потенциальной энергией U0, обусловленной притяжением электронов к положительно заряженным ядрам кристаллической решётки металла (рис. 29.2).

Рис. 29.2

Энергия электронов считается отрицательной, внутри ямы (объёма металла) изображены уровни энергии n электронов, нулевая энергия соответствует выходу электрона из металла. Как видно из рисунка, энергии электронов различны, и существуют электроны с наивысшей энергией. Самый высокий уровень энергии называется уровнем Ферми (Kf). Свободные электроны металла удерживаются внутри него силами притяжения со стороны ядер. Чтобы вырвать электрон из металла, нужно затратить работу выхода W0. Минимальная работа в этом случае определяется работой выхода с уровня Ферми (W0 = U0 – Kf ), на котором энергия электрона за счёт наличия тепловой энергии самая высокая. Изложенная модель позволяет рассмотреть различные свойства металла и, в том числе, важные с точки зрения техники контактные явления.

3. Контактная разность потенциалов. Контактная разность потенциалов была рассмотрена в разделе «Электрический ток». Рассмотрим вопрос о том, как она объясняется с точки зрения зонной теории. Напомним, что при соединении двух металлических

103

Больцмана, Т — абсолютная температура металла. Общая контактная разность потенциалов равна:

Таким образом, обосновывается формула (19.2) во втором томе данного «Курса физики».

§30. ПОЛУПРОВОДНИКИ Полупроводниками называют группу веществ, электропроводность которых

занимает промежуточное положение между металлами и диэлектриками. Исследования полупроводников показали, что их электрические свойства в большой степени зависят от чистоты полупроводника и от примесей, которые в них находятся. Понятие чистоты веществ относительно. Абсолютно чистых веществ не бывает и лишь природа иногда приближается к такому идеалу, создавая такие образования, как алмаз. Искусственно создаваемые вещества всегда содержат примеси, которые попадают из окружающей среды, со стенок приборов и т.д. С точки зрения химии чистым считается вещество, в котором содержится один посторонний атом на 1000 собственных атомов (концентрация 0,1 %). Остановимся сначала на электропроводности чистых полупроводников.

1. Чистые полупроводники. Полупроводниками являются химические элементы четвёртой группы таблицы Менделеева и некоторые другие соединения. Типичными представителями полупроводников являются кристаллы кремния и германия, в которых атомы объединены ковалентной связью. Вследствие теплового колебательного движения атомов может произойти разрыв некоторых химических связей, в результате чего возникает свободный электрон, который будет хаотически двигаться по кристаллу (рис. 30.1, на котором показана часть кристалла кремния и одна разорванная связь). Удаление электрона приводит к нарушению химической связи, поскольку она осуществляется лишь одним валентным электроном. Эту неполноценную связь называют дыркой. Дырку можно рассматривать как положительный заряд, равный заряду электрона по абсолютной величине, так как в месте, покинутом электроном, будет недостаток электрона. На место дырки может попасть электрон от соседней химической связи. Это приводит к изменению положения дырки. Поэтому дырка будет хаотически перемещаться по кристаллу. Происходит и обратный процесс: электрон и дырка, встречаясь друг с другом, соединяются. Это приводит к их исчезновению и восстановлению химической связи. Такой процесс называют рекомбинацией. Таким образом, в полупроводнике при любой температуре имеется определённая концентрация свободных

105

электронов и дырок, которыми и обусловливается собственная электропроводность полупроводников.

Найдём зависимость электропроводности полупроводника от температуры. Сила тока

I в проводнике связана со скоростью υ упорядоченного движения электронов соотношением

I = enυS, где е — заряд электрона по абсолютной величине; n — концентрация свободных электронов (электронов проводимости), т.е. число электронов в единице объёма; S — площадь поперечного сечения проводника (см. т. 2, §16). Собственная проводимость полупроводника обусловлена электронами и дырками. Поэтому сила тока будет зависеть от концентрации пе электронов и пр дырок, а также от их скоростей υе и υр упорядоченного движения, т.е.

Si Si

Si Si

Рис. 30.1

Установлено, что концентрация носителей тока зависит от температуры полупроводника. Найдём эту зависимость. Если энергия теплового движения атомов

достаточна для разрыва химической связи, то появляются свободный электрон и дырка, т.е. электронно-дырочная пара. Обозначим эту энергию через Wg. Число таких пар N1, возникающих в единице объёма в течение одной секунды, зависит от энергии Wg и

−Wg

определяется законом (т. 1, §33): N1 = a e kT , где a — коэффициент пропорциональности; к — постоянная Больцмана; Т — абсолютная температура проводника. С другой стороны, в полупроводнике непрерывно идёт процесс рекомбинации электронов и дырок. Число рекомбинированных пар N2 в единице объёма за одну секунду пропорционально числу электронов и дырок, т.е. N2 = bnenp, где b — коэффициент пропорциональности. Число электронов и дырок в полупроводнике одинаково, так как они появляются парами. Поэтому

N2 = bne2 = bnp2. Поскольку концентрация носителей тока при неизменной температуре постоянна, то число рождающихся пар должно равняться числу

106

увеличивается сила тока, протекающего по полупроводнику, при неизменном напряжении на нём. Из этого следует, что с повышением температуры сопротивление полупроводника и его удельное сопротивление уменьшаются. В этом заключается коренное отличие полупроводников от металлов, у которых с ростом температуры удельное сопротивление ρ увеличивается (ρ = αρ0T, где α — температурный коэффициент сопротивления; ρ0 —

удельное сопротивление проводника при 0 °С (см. т. 2, §18). Из соотношения (30.3) следует также, что при Т → 0 сила тока стремится к нулю. Следовательно, сопротивление полупроводника становится очень большим и при низкой температуре он является диэлектриком, что подтверждается и опытом. Физически это объясняется тем, что энергии теплового движения не хватает на образование электронно-дырочной пары. Оценим число электронно-дырочных пар в полупроводнике, например, в кремнии при разных температурах. Для кремния Wg ≈ 1,1 эВ (1 эВ = 1,6 10–19 Дж) и А ≈ 2 1019 см–3. При температуре жидкого

− 1,11,610−19

азота (Т = 77 К) из формулы (30.2) получаем ne = np = 2 1019 e 1,3810−23 77 ≈10−17 м−3. Это означает, что одна электронно-дырочная пара возникает в кубе с ребром 4 км. При комнатной температуре концентрация электронно-дырочных пар равна ne = np ≈ 2,4 1015 см3. Увеличение температуры на 223 K привело к изменению концентрации электронно-дырочных пар изменению концентрации электронно-дырочных пар в 1036. Поскольку концентрация носителей тока при температуре 77 К очень мала, то полупроводник при этой температуре ведёт себя как диэлектрик. При комнатной же температуре число носителей тока в единице объёма значительно меньше, чем у металлов (пе ~ 1023 см–3), но больше, чем у диэлектриков. Поэтому проводимость полупроводников занимает промежуточное значение между металлами и диэлектриками.

107

2. Примесные полупроводники. Чистые полупроводники не представляют практического интереса. Для электроники весьма полезными оказались так называемые легированные полупроводники, т.е. полупроводники, в которые введены примеси. Они подразделяются на полупроводники n- и p-типа.

а) Полупроводники n-типа. Если в кристаллическую решётку четырёхвалентного полупроводника, например кремния, внедрить пятивалентный атом, например мышьяк, то для образования ковалентных связей с соседями ему надо четыре электрона. Пятый же электрон, вследствие теплового движения, может оторваться от атома. В результате этого атомы примеси превращаются в положительные ионы появляются свободные электроны, обусловливающие проводимость полупроводника (рис. 30.2). Такие примеси называются донорными, а сам полупроводник называют полупроводником n-типа (от слова negative — отрицательный).

Si Si

Si Si

Рис. 30.2

б) Полупроводники p-типа. Если внедрить в кристаллическую решётку четырёхвалентного полупроводника (кремния) трёхвалентный атом (например, бор), то для образования ковалентной связи с соседями ему надо четыре электрона, а у него их только три. Поэтому одна связь оказывается не укомплектованной. Атом бора захватывает один электрон от соседнего атома кремния, так как это энергетически выгодно. В результате этого атомы примеси превращаются в отрицательные ионы, а в полупроводнике возникают дырки, обусловливающие его электропроводность (рис. 30.3). Проводимость этого типа называется дырочной, примесь — акцепторной, а полупроводник — p-типа (от слова positive — положительный).

108

заполненной зоне появляются вакантные (незанятые) места, которые и являются дырками. Они обозначаются кружочками (рис. 30.4). Если к полупроводнику приложить разность

потенциалов, т.е. соз-

W

Рис. 30.4

дать в нём электрическое поле, то электроны переходят с нижнего энергетического уровня на более высокий уровень. Это означает возникновение электрического тока. Перемещение электронов в заполненной зоне приводит к движению дырок по энергетическим уровням, которое эквивалентно движению положительного заряда +e, равного по абсолютной величине заряду электрона. Таким образом, проводимость чистого полупроводника, называемая собственной проводимостью, обусловлена электронами и дырками. Собственная проводимость полупроводников мала.

Если полупроводник нагреть, то проводимость его возрастает, так как с повышением температуры увеличивается энергия теплового движения электронов, что приводит к увеличению числа электронов, переходящих из заполненной зоны в свободную зону, растёт число носителей тока. Это и влечёт за собой увеличение электропроводности полупроводника.

б) Примесные полупроводники. В легированных полупроводниках примеси создают дополнительные энергетические уровни между свободной и заполненной зонами. Это облегчает электронам преодоление энергетических барьеров. В зависимости от того, как расположены энергетические зоны примеси, полупроводники разделяются на два вида: п-типа и р-типа.

Полупроводники n-типа. В полупроводнике n-типа примесные энергетические уровни лежат чуть ниже свободной зоны (рис. 30.5). Электроны с этих уровней, вследствие теплового движения, могут легко переходить в свободную зону и таким образом создавать условия для появления тока. Так как дополнительные уровни примеси поставляют электроны в свободную зону, то их называют донорными. Проводимость этого полупроводника обусловлена электронами и называется электронной, а сам полупроводник —

полупроводником n-типа

110

Полупроводники p-типа. В полупроводниках этого типа энергетические

уровни примеси расположены чуть выше заполненной зоны (рис. 30.6). Электроны из заполненной зоны переходят на уровни примеси, и в ней появляется дырка. При заполнении дырки другими электронами, под действием электрического поля она перемещается, и поведение дырки, как указывалось, аналогично поведению положительного заряда. Проводимость этого типа называется дырочной (обратим внимание, что она имеет место в заполненной зоне), примесь называют — акцепторной (принимает на себя электроны), а полупроводник — полупроводником p-типа

§31.ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

На основе примесных полупроводников созданы устройства, являющиеся важными компонентами современных электронных приборов — диоды, транзисторы и т.д. Их важным преимуществом являются высокая надёжность, большой срок службы и миниатюрность. В настоящее время на 1 см2 удаётся разместить тысячи таких элементов, в связи с чем и появились, например, персональные ЭВМ, размещающиеся на столе и обладающие огромными вычислительными возможностями. Рассмотрим принцип работы двух основных элементов — диодов и транзисторов.

1. Полупроводниковый диод. Рассмотрим контактные явления, происходящие при соединении полупроводника n-типа с полупроводником p-типа, в результате чего получается диод с p-n-переходом. Используем тот же подход, что был применен при рассмотрении контактных явлений в проводниках. На рис. 31.1 приведены диаграммы потенциальной энергии полупроводников p- и n-типов до того, как они были приведены в контакт.

111