Чувствительность электронорезистов (Кл/см2) зависит от величины минимального электрического заряда, приходящегося на единицу площади, необходимого для полного проявления резиста. Чувствительность негативных резистов выше, чем позитивных, но проявленный в нем рисунок имеет наклонные боковые стенки, что уменьшает его разрешающую способность. В качестве негативных резистов используют полиглицидилметакрилаткоэтилакрилат (ПГМАКЭА). При облучении в негативном резисте образуются стимулированные радиацией поперечные связи в молекулах полимера, происходит соединение соседних цепочек молекул. В результате возникает сложная трехмерная структура с молекулярным весом, превышающим вес полимера в необлученных местах.

В позитивных электронорезистах, напротив, уменьшается молекулярный вес в экспонированной области из-за разрыва химических связей или расщепления цепочек под действием радиации. Полимер становится растворимым в растворителе, который не действует на высокомолекулярный материал. Позитивными резистами являются полиметилметакрилат (ПММА), полибутен-1 сульфона (ПБС). Растворителем для позитивного резиста служит смесь метилизобутилового кетона (МИБК) и изопропилового спирта в соотношении 1:1. Позитивные электронорезисты имеют разрешающую способность менее 0,1 мкм, тогда как разрешающая способность негативных резистов, ограниченная их разбуханием, не превышает 1 мкм.

5. Металлизация

Впервых образцах ИС соединения между компонентами осуществлялись

спомощью тонких проволочек, присоединяемых к контактным участкам методом термокомпрессии, но такие соединения были дорогими и нетехнологичными.

После появления планарной структуры ИМС межсоединения стали выполняться с помощью тонких металлических пленок, нанесенных на

изолирующий слой SiO2.

Для осуществления коммутации в ИС можно использовать следующие материалы: Аu, Ni, Pb, Ag, Сr, Аl, а также системы Ti - Аu, Мо - Аu, Ti - Pt - Аu

и т.д.

К системам металлизации ИС предъявляются следующие требования: - высокая проводимость ( ρ <10−6 Ом·см);

-хорошая адгезия как к Si, так и к SiO2;

-способность к образованию качественного омического контакта с кремнием n- и p - типов;

-отсутствие вредных интерметаллических соединений или протекания реакций, разрушающих кремний в процессе обработки и эксплуатации системы;

-технологичность методов осаждения и нанесения рисунков;

-устойчивость к электродиффузии в металле;

-металлургическая совместимость со сплавами, которые применяются для присоединения внешних проводов к металлизированной схеме.