3 Схемы исследования

Схемы для снятия характеристик биполярного транзистора собирается на универсальной панели, на которой имеется разъем для подключения исследуемого транзистора, а также другие радиодетали, некоторые из них используются в данной работе. Схема собирается при помощи проводов со штекерами, которые вставляются в соответствующие гнезда.

Принципиальная схема для транзистора структуры p-n-p в схеме исследования ОБ приведена на рисунке 1.1. Так как на входе схемы желательно иметь источник тока, то к регулируемому источнику напряжения G₁ последовательно подключается резистор R. Для питания коллекторной цепи используется регулируемый источник напряжения G₂.

Рисунок 1.1 - Схема исследования БТ структуры p-n-p с общей базой.

Приборы PV1 и PA1 используются для измерения входных напряжения и тока соответственно, а приборы PV2 и PA2 для выходных.

Для исследования транзистора структуры n-p-n следует поменять полярности источников питания.

Рисунок 1.2-Схема исследования БТ структуры n-p-n c общим эмиттером.

Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n при исследовании с ОЭ приведена на рисунке 1.2. Назначение приборов такое же, как и в предыдущей схеме. При исследовании транзистора со структурой p-n-p следует поменять полярности источников питания.

4 Задание к работе в лаборатории

4.1 Собрать схему для снятия характеристик транзистора при включении

его по схеме с ОБ. Обратите внимание на структуру транзистора и правильность подключения источников питания и измерительных приборов.

4.2 Снять две входные характеристики транзистора I_Э= f(U_ЭБ) при U_КБ=0 и U_КБ= (0,2-0,5) U_{КБ МАКС}. Первую характеристику снимать до напряжения, при котором I_Э=0,5I_{К МАКС} , вторую - до таких значений, при которых выполняется условие Р_К=U_КБ*I_К <P_{K МАКС}. Результаты измерений занести в таблицу 1. Пример заполнения таблицы приведен ниже.

Таблица 1 I_Э= f(U_ЭБ) U_КБ=const

	UЭБ,В	0-0,1	0,2	0,3	0,4
UКБ= 0 В	IЭ,	0				IЭ =0,5IЭ МАКС
UКБ =5 В	мА

4.3 Снять три выходные характеристики транзистора I_К=f(U_КБ).

Первую для I_Э1=0, вторую для I_Э2=(0,2-0,4)·I_{K МАКС} и третью для I_Э3=2·I_Э2. При снятии характеристик не превышать предельно допустимые параметры

U_{КБ МАКС}, I_{К МАКС}, P_{К МАКС}. Результаты измерений занести в таблицу 2. Пример таблицы дан ниже.

Таблица 2 I_К=f(U_КБ)  I_Э=const

	UКБ, В	0	1	2	5	10	15
IЭ 1= 0	IК, мкА
IЭ =5 мА	IК,
IЭ =10 мА	мА

Примечание: при исследовании выходных характеристик обратите внимание на пределы измерения рА2 (мкА или мА) для различных значений входного тока I_Э.

4.4 Собрать схему для снятия характеристик транзистора при включении его по схеме с ОЭ.

4.5 Снять две входные характеристики I_Б=f(U_БЭ); одну при U_КЭ=0,

вторую при U_КЭ=(0,2-0,4)U_{КЭ МАКС} . Входное напряжение при этом менять до такой величины, при которой электрические параметры транзистора не превышают максимально допустимых значений.

Результаты измерений занести в таблицу 3, которая аналогична таблице 1.

4.6 Снять семейство из 7-8 выходных характеристик I_К=f(U_КЭ) при токах базы, указанных на типовых характеристиках в справочнике, включая I_Б=0. Особое внимание обратить на участок характеристик в режиме насыщения, т.е. U_КЭ=0 - 1 В. Результаты измерений заносятся в таблицу 4. Пример таблицы приведен ниже. Особое внимание обратить на то, чтобы Р_К не превышало 0,75 Р_{К МАКС}.

Таблица 4 I_К=f(U_КЭ) I_Б=const

	UКЭ,В	0,1	0,2	0,5	1	2	5	7	10
IБ1 =0 мкА	IК , мкА
IБ2
IБ3
IБ4
IБ5	IК, мА
IБ6
IБ7
IБ8