1.4 Разновидности электрических переходов

1.4.1 Гетеропереходы

Гетеропереход образуется двумя полупроводниками, различающимися шириной запрещенной зоны. Параметры кристаллических решеток полупроводников, составляющих гетеропереход, должны быть близки, что ограничивает выбор материалов. В настоящее время наиболее исследо­ванными являются пары: германий-арсенид галлия, арсенид галлия-мышьяковидный индий, германий-кремний. Различают n-pиp-nгетеропереходы (на первое место ставится буква, обозначающая тип электропроводности полупроводника с более узкой запрещенной зоной). На основе гетеропереходов возможно также создание струк­турn-nиp-p.

Рисунок 1.16 Упрощенная энергетическая диаграмма p-nгетероперехода в равновесном состоянии.

На рисунке 1.16 приведена упрощенная энергетическая диа­грамма n-pперехода между арсенидом галлия р-типа (W_P= 1,5 эВ) и германиемn-типа (W_n= 0,67 эВ) в состоянии равновесия (U= 0). При контакте полупровод­ников происходит перераспределение носителей зарядов, приводящее к выравниванию уровней Фермиp- иn-областей и возникновению энергетического барьера для элек­троновn-областиqU_knи. для дырокp-областиqU_кp, при­чемU_кn>U_кp.

Рисунок 1.17 Упрощенная энергетическая диаграмма p-nгетероперехода, включенного в прямом состоянии.

В состоянии равновесия ток через n-pпереход равен нулю. Поскольку потенциальные барьеры для дырок и электронов различны, при приложении к гете­ропереходу прямого напряжения смещения он обеспечит эффективную инжекцию дырок из полупроводника с боль­шей шириной запрещенной зоны (рис. 1.17).

1.4.2 Контакт между полупроводниками одного типа электропроводности

Контакт полупроводников с одним типом электропро­водности, но с разной концентрацией примесей обознача­ют р⁺-р или п⁺-п (знаком "плюс" отмечается полупро­водник с большей концентрацией примесей). В таких кон­тактах носители из области с большей концентрацией при­меси переходят в область с меньшей концентрацией. При этом в области с повышенной концентрацией нарушается компенсация зарядов ионизированных атомов примеси, а в другой области создается избыток основных носителей зарядов. Образование этих зарядов приводит к появлению на переходе собственного электрического поля и кон­тактной разности потенциалов, определяемой следующи­ми соотношениями: дляp⁺-р перехода

;

для n⁺-nперехода .

В этих переходах не образуется слой с малой концентра­цией носителей зарядов, и их сопротивление определяет­ся в основном сопротивлением низкоомной области. По­этому при прохождении тока непосредственно на контак­те падает небольшое напряжение и выпрямительные свойст­ва этих переходов не проявляются. В p⁺-p иn⁺-n- переходах отсутствует инжекция неосновных носителей из низкоомной области в высокоомную. Если, например, к переходуn⁺-nподключен источник тока плюсом кn-области, а минусом кn⁺-области, то из n⁺-области в n-область будут переходить электроны, являющиеся в ней основ­ными носителями зарядов. При изменении полярности внешнего напряжения из n⁺-области вn-область должны инжектироваться дырки, однако их концентрация мала, и этого явления не происходит. Переходы типаp⁺-pиn⁺-nвозникают при изготовле­нии омических контактов к полупроводникам.

Рисунок 1.18 Энергетическая диаграмма p-iперехода.

Промежуточное поло­жение между p⁺-p- илиn⁺-n- и p-n переходом занимаютp-iиn-iпереходы. Такие переходы обра­зуются между двумя плас­тинами, одна из которых имеет электронную или ды­рочную электропроводность, а другая - собственную.

На рис 1.18 показаны энергетическая диаграмма и изменение концентра­ций на границе двух по­лупроводников с p- иi-областями. Вследствие раз­ности концентраций носи­телей зарядов вp- иi-областях происходит инжекция дырок изp-области вi-область и электронов изi-области вp-область. Вследствие малой величины инжекционной составляющей электрон­ного тока потенциальный барьер на границе перехода соз­дается неподвижными отрицательными ионами акцепторов р-области и избыточными дыркамиi-области, диффундирующими в нее изp-области. Поскольку>>, глуби­на распространения запирающего слоя вi-области значи­тельно больше, чем в р-области.