Lek_16-20_Cher
.pdfКонтроль по изменению σ можно применять также при разделении партии изделий по структуре, твердости и другим характеристикам сплавов.
Контроль количества примесей и химического состава
При наличии даже незначительного количества примесей изменяются электропроводность и технологические свойства металла, что может явиться причиной образования дефектов.
Рисунок 14
Влияние примесей на электропроводность алюминия (а) и меди (б)
Приборы структуроскопы позволяют установить зависимость σ металлов от наличия различных примесей и решить обратную задачу — по электропроводности и составу примесей определять их количество.
На рис. показано изменение σ технического алюминия в зависимости от содержания примеси железа и кремния, которые повышают хрупкость алюминия.
Электропроводность меди значительно уменьшается при наличии примесей различных элементов (за исключением некоторого количества кислорода) (рис. 17, б). Особенно вредны примеси висмута и свинца, из-за которых возникает красноломкость меди.
Применяя подобные приборы, можно сэкономить время при контроле степени чистоты металла, так как электропроводность может быть определена на небольших образцах плавки (пробах), в то время как расплав еще находится в печи.
Можно контролировать легирование расплава одним элементом, например легирование меди фосфором. При добавлении 0,018—0,038% Ρ электропроводность меди понижается до 49 • 106 — 41 • 106 См/м. Ее определяют по образцам, взятым из расплава. Жидкий металл легируют до тех пор, пока не будет получено нужное значение σ
Прибором измерителем электропроводности можно определить содержание кислорода в окисленном расплаве меди и необходимое количество восстановителей, добавляемых в расплав путем измерения σ проб.
Аналогичные задачи можно решать и для других металлов.
Испытателями электропроводности можно оценивать ликвацию элементов в изделии, определять химический состав двухкомпонентных сплавов.
Тема 19.
Контроль листов (пластин) накладными ВТП
Контроль листов (пластин) накладными ВТП
Зависимости модуля вносимого напряжения от толщины листа T и зависимость аргумента Чувствительность накладного ВТП к параметрам листа Вопросы для самоконтроля:
Лист – это ОК с параллельными плоскими поверхностями, толщина которого меньше или соизмерима с глубиной проникновения электромагнитного поля.
Рисунок 15
Уравнения, которые описывают процессы в этой модели, те же, что и для полупространства.
Добавляются граничные условия на тонкой границе листа: Непрерывность векторного потенциала и его производных на границе. Отличие в решении:
(1)
- параметр интегрального преобразования
{Нужно записать значение векторного потенциала в среде 1 и в среде 3 для возможности контроля экранными преобразователями}
Рисунок 16
При |
лист можно считать п/п (см. годограф) |
|
||
Между годографами |
|
и |
имеются углы на комплексной |
|
плоскости отличные от |
нуля при некоторых значениях |
и |
возможно раздельное |
|
измерение толщины T и |
удельной электрической проводимости σ |
листа. 2 T 3 |
||
|
|
|
|
* |
Зависимости модуля аргумента U вносимого напряжения
от толщины листа T
Рисунок 17
С ростом β (ростом f) получается, что та , которую можно считать толщиной насыщения, уменьшается () при увеличении β.
Т.е. для больших β более тонкий лист является непроницаемым () {зависимости более линейны, чем фазовые толщиномеры делать удобнее, т.к. они будут иметь линейную шкалу}
Для зазора
Рисунок 19
Рисунок 18
Для рисунка 4: кривые носят экспоненциальный характер.
Для рисунка 5: зависимость слабо выражена, при росте β степень этой зависимости падает.
Удобно строить фазовые толщиномеры с отстройкой от зазора (т.е. наличие зазора дает малую погрешность)
Можно создать хороший измеритель удельной электрической проводимости, |
|
|
нечувствительный к зазору (фазовый метод = измерение ψ). |
|
|
Для измерителя σ кривая |
была бы градуировочной кривой, а кривая |
- |
функцией влияния. Обычно функций влияний столько, сколько мешающих факторов. Для измерения зазора (измерения изоляционных покрытий) целесообразно использовать модуль (амплитуду)
Рисунок 20
Чувствительность накладного ВТП к параметрам листа
Зависимость модуля чувствительности от параметра β.
Рисунок 21
Условия выбора толщины листа при разной частоте для достижения максимальной чувствительности по амплитуде
Оптимальность с точки зрения максимальной чувствительности по амплитуде. Существуют другие чувствительности – по аргументу, по фазе. Чувствительность к удельной электрической проводимости
Рисунок 22
Рисунок 23
Максимум чувствительности к проводимости получается при при различных T
Чувствительность к β для листа или трубы больше, чем для п/п или цилиндра.
Тема 20. Контроль листов экранными накладными ВТП
Контроль листов экранными накладными ВТП
Влияние параметров листа на вносимое напряжение
Вопросы для самоконтроля:
Рисунок 24
Для третьей среды решение из общей задачи о контроле лиса для векторного потенциала
(1)
(2)
при z=hи ,
выражение (1) описывает решение, т.к. зависимость от параметров объекта входит в φ, а зависимость зазоров hв и hи – экспоненциальная.
λ была введена как параметр интегрирования [λ]=1
Физический смысл λ: пространственная частота распределения плотности возбуждающего тока.
Т.е. как бы заменяет сосредоточенный источник на можество распределенных в пространстве (т.е. бесконечным рядом).
Решение представляется в виде пределам суммы всех распределенных источников, т.е. несобственный интеграл.
Ососбенность выражения в том, что показатель степени λ(z-hв) – своеобразен
Можно сделать очень важный для практики вывод:
Значение векторного потенциала, а значит и Uвн*, которое с ним связано, не зависит от положения листа между возбуждающей и измерительной обмоткой по координате z и определяется только расстояние между ними.
Если есть двусторонний доступ к листу, то всегда выбирают экранный преобразователь.
Влияние параметров листа на вносимое напряжение
Рисунок 25
Рисунок 26
На определенном участке можно получить линейную градуировочную характеристику
Рисунок 27
Если , то можно считать, что зависимость линейная
изависят от T на начальном участке.
Можем получить фазовый толщиномер листа с линейной шкалой
Есть область пересечения годографов для σ и T, что говорит о том, что можно разделить их влияние, но условия разделения хуже. Для экранных НВТП естественно
δ > T.