ТЭМ_экзамен_билеты

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 1

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Движение электрона в кристалле. Уравнение Шредингера, волновая функция, ее физический смысл. Принцип Паули.

2. МДП-транзистор со встроенным каналом. Структура и принцип действия.

3. Зависимость ВАХ диода от температуры.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 2

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Зонная теория полупроводников. Валентная зона и зона проводимости. Запрещенная зона. Зависимость E_g от температуры. Значения E_g для основных материалов. Понятие эффективной массы.

2. МДП-транзистор с индуцированным каналом. Выходные вольт-амперные характеристики.

3. Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай толстой базы.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 3

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Собственный и легированный полупроводник. Уравнение электронейтральности.

2. МДП-транзистор со встроенным каналом. Выходные вольт-амперные характеристики.

3. Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай тонкой базы.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 4

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Заполнение зон электронами в случае вырожденного полупроводника. Функция распределения Ферми-Дирака. Уровень Ферми.

2. МДП-транзистор с индуцированным каналом. Выходные вольт-амперные характеристики.

3. Зависимость контактной разности потенциалов от температуры.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 5

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Заполнение зон электронами в случае невырожденного полупроводника. Функция распределения Максвелла-Больцмана. Уровень Ферми.

2. Диод Шоттки.

3. Зависимость контактной разности потенциалов от степени легирования.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 6

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Эффективная плотность состояний и ее зависимость от температуры. Собственная концентрация.

2. Туннельные диоды. Энергетические диаграммы для различных смещений.

3. Зависимость ВАХ диода от температуры.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 7

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Донорный и акцепторный полупроводник. Зависимость положения уровня Ферми от температуры.

2. Типы тиристоров и их ВАХ.

3. Зависимость обратного тока диода от степени легирования.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 8

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Электропроводность полупроводников и ее зависимость от температуры. Определение E_g по температурным зависимостям электропроводности.

2. Влияние сопротивление базы на ВАХ pn-перехода. ВАХ диода в линейном и полулогарифмическом масштабе.

3. Зависимость барьерной ёмкости диода от обратного напряжения.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 9

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Подвижность электронов и дырок. Зависимость подвижности от температуры и концентрации ионов примеси.

2. Выпрямление на полупроводниковом диоде.

3. Зависимость диффузионной ёмкости диода от прямого тока.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 10

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Зависимость от температуры концентрации носителей и положения уровня Ферми. Температура истощения T_i.

2. Принцип работы светодиода.

3. Зависимость обратного тока диода от степени легирования.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 11

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Неравновесные носители заряда. Понятие квазиуровня Ферми. Генерационно-рекомбинационные процессы. Время жизни носителей. Механизмы рекомбинации. Максвелловское время релаксации.

2. Схемы включения МДП-транзистора.

3. Зависимость ВАХ диода от температуры.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 12

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Неравновесные носители в электрическом поле. Уравнение непрерывности. Уравнение Пуассона. Диффузионная длина.

2. Униполярные транзисторы. Полевые транзисторы с управляющим электронно-дырочным переходом: принцип работы, ВАХ.

3. Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай толстой базы.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 13

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Диффузионные и дрейфовые токи. Коэффициент диффузии. Соотношение Эйнштейна.

2. Биполярные транзисторы. Включение транзистора по схеме с общей базой. Принцип действия.

3. Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай тонкой базы.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 14

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Контакт электронного и дырочного полупроводника. Понятие работы выхода и энергии сродства. Область пространственного заряда.

2. Схемы включения МДП-транзистора.

3. Зависимость ВАХ диода от температуры.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 15

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Контакт электронного и дырочного полупроводника. Контактная разность потенциалов.

2. Собственные фоторезисторы: принцип работы.

3. Зависимость ВАХ диода от температуры.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 16

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Распределение концентрации носителей в pn-переходе при нулевом, прямом и обратном смещении.

2. Чувствительность фотоприемников. Спектральные характеристики собственных фоторезисторов.

3. Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай толстой базы.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 17

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Энергетические диаграммы pn-перехода при нулевом, при прямом и обратном смещении.

2. Примесные фоторезисторы. Спектральные характеристики примесных фоторезисторов и их зависимости от температуры.

3. Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай тонкой базы.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 18

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. ВАХ pn-перехода. Явление инжекции и экстракции.

2. Тиристор. Энергетические диаграммы. ВАХ динистора.

3. Зависимость контактной разности потенциалов от температуры.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 19

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Генерационно-рекомбинационные процессы в ОПЗ. Понятие эффективной времени жизни носителей.

2. Статические ВАХ транзистора по схеме с ОБ. Коэффициент передачи по току, коэффициент инжекции, коэффициент переноса.

3. Зависимость контактной разности потенциалов от степени легирования.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 20

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Распределение концентрации неосновных носителей в базе транзистора для различных режимов (нормальный усилительный, инверсный, насыщение и отсечки).

2. Характеристическое сопротивление диода.

3. Зависимость ВАХ диода от температуры.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 21

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Барьерная и диффузионная емкость pn-перехода.

2. Включение транзистора по схеме с общим эмиттером. Статические ВАХ транзистора по схеме с ОЭ.

3. Зависимость обратного тока диода от степени легирования.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 22

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Дифференциальные параметры биполярного транзистора.

2. Лавинный, туннельный и тепловой пробой pn-перехода.

3. Зависимость барьерной ёмкости диода от обратного напряжения.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 23

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Температурная зависимость параметров биполярного транзистора.

2. Тиристор. Энергетические диаграммы. ВАХ динистора.

3. Зависимость диффузионной ёмкости диода от прямого тока.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 24

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Эквивалентные схемы транзисторов. Формулы Эберса-Молла.

2. Тиристор. Энергетические диаграммы. Коэффициенты усиления тиристора.

3. Зависимость контактной разности потенциалов от степени легирования.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 25

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. r-параметры транзистора как четырехполюсника.

2. МДП-транзистор со встроенным каналом. Структура и принцип действия.

3. Зависимость контактной разности потенциалов от степени легирования.