Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Учебное пособие УСТРОЙСТВА СВЧ И АНТЕННЫ электродинамика.pdf
Скачиваний:
1027
Добавлен:
26.03.2015
Размер:
2.43 Mб
Скачать

 

Полагая в (9.41) ϕ = 0 и опуская не зависящие от ϑ множители, получаем выражение нормиро-

ванной ДН в Е-плоскости (хoz на рис.9.20) F (ϑ)=

(1+cosϑ)

sinux

. Заметим, что в E-плоскости Е

 

 

 

 

 

 

 

 

ϑ

2

 

ux

 

ϕ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=0. Полагая

ϕ=π/2, аналогично получаем выражение

ДН в

H-плоскости (yoz на рис.9.20)

F (ϑ)=

(1+cosϑ)

 

sinuy

, где u

=0,5γasinϑ. Заметим, что в Н-плоскости E

=0 .

 

 

 

ϕ

2

 

 

 

y

 

 

 

 

ϑ

 

 

 

 

uy

 

 

 

 

 

 

Множители системы в главных плоскостях имеют вид функции F(u) = sin u/u такой же, как для прямолинейной амплитудной непрерывной системы, длина которой равна размеру прямоугольного раскрыва. Следовательно, в данном случае справедливы выводы относительно ширины и ориентации главного лепестка и уровня боковых лепестков, приведенные в подразд. 9.2. Так как поле в раскрыве синфазно, а амплитудное распределение равномерно, то в соответствии с формулой (8.10) получаем выражение для КНД

 

4π

 

ES dS

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D=

 

S

 

 

 

,

(9.42)

 

 

 

2

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

λ

 

 

 

 

 

 

 

 

ES dS

 

 

 

S

где отношение интегралов определяет эффективную площадь раскрыва, равную в данном случае S. КНД для синфазной равноамплитудной прямоугольной площадки имеет максимальное значение:

D =

4π

ab=

4π

S .

(9.43)

 

 

0

λ2

λ2

 

Нарушение синфазности и равноамплитудности поля в раскрыве, как следует из формулы (9.42), снижает КНД. Однако использование амплитудного распределения, спадающего к краям площадки, приводит к уменьшению уровня боковых лепестков при некотором расширении главного лепестка ДН. Это позволяет за счет уменьшения КНД оптимизировать отношение величин боковых и главного лепестков.

9.3.5. Излучение из непрерывного раскрыва круглой площадки

x

 

 

 

 

Рассмотрим простейший случай синфазного равноамплитудного

 

 

M

 

 

распределения. Пусть вектор ES

(рис.9.21) параллелен оси х, a HS

ϕ

 

 

 

оси у. В этом случае исходные выражения для расчета поля излуче-

R

 

 

dS

 

 

 

ния будут такими же, как и для случая прямоугольной площадки.

 

R

 

 

ρ

 

 

 

Для круглых площадок удобнее использовать полярную систему ко-

 

ϕ’

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

θ

 

 

ординат ρ, ϕ (рис.9.21). В полярных координатах dS=ρdϕ'dρ. Учиты-

ES

 

 

 

 

 

 

 

вая это, формулу (9.40) запишем в виде

 

 

 

z

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Hs

 

 

 

 

 

i

iγR0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

y

 

 

 

 

E =

2λR

e

 

(1θcosϕ−1ϕsinϕ)×

 

Рис. 9.21

 

 

 

1

2π

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

×(1+cosθ)

ES (ρ,ϕ')eiγρsinθcos(ϕ−ϕ')ρdϕ'dρ.

(9.44)

 

 

 

 

 

0

0

 

 

 

 

 

 

 

 

При постоянстве и синфазности поля на круглом раскрыве вследствие осевой симметрии Eθ=Eϕ=E0 поле излучения согласно (9.44) будет равно

E =2λiR eiγR0 (1θcosϕ−1ϕsinϕ)×

12π

×(1+cosθ)E0a2 rdr eiurcos(ϕ−ϕ')dϕ=

00

=AE0 2πa2

1

 

rJ0 (ur)dr =ASE0 2J1 (u)/u ,

(9.45)

 

0

 

93