Б ИНГО! Ты только что нашел решение своей проблемы! Только давай договоримся – ты прочтёшь текст до конца, окей? :)

Давай начистоту: тут один шлак, лучше закажи работу на author-24.pro и не парься – мы всё сделаем за тебя! Даже если остался один день до сдачи работы – мы справимся, и ты получишь «Отлично» по своему предмету! Только представь: ты занимаешься своим любимым делом, пока твои одногруппники теряют свои нервные клетки…

Проникнись… Это бесценное ощущение :)

Курсовая, диплом, реферат, статья, эссе, чертежи, задачи по матану, контрольная или творческая работа – всё это ты можешь передать нам, наслаждаться своей молодостью, гулять с друзьями и радовать родителей отличными оценками. А если преподу что-то не понравится, то мы бесплатно переделаем так, что он пустит слезу от счастья и поставит твою работу в рамочку как образец качества.

Ещё сомневаешься? Мы готовы подарить тебе сотни часов свободного времени за смешную цену – что тут думать-то?! Жизнь одна – не трать её на всякую фигню!

Перейди на наш сайт author-24.pro - обещаю, тебе понравится! :)

А работа, которую ты искал, находится ниже :)

Маскирование и демаскирование в аналитической химии

Содержание

Введение

. Основы маскирования

Основные маскирующие лиганды

. Демаскирование веществ

. Основные маскирующие реагенты

Неорганические маскирующие реагенты

Галогенсодержащие маскирующие реагенты

Кислород- и серосодержащие неорганические реагенты

2.1.3 Азот- и фосфорсодержащие неорганические реагенты

Органические маскирующие реагенты

Азот- и серосодержащие органические реагенты

Органические реагенты с донорными атомами кислорода

Органические реагенты с донорными атомами кислорода и серы

Окислительно-восстановительное маскирование.

Список литературы

Введение

Маскирование - эффективный и широко распространенный прием повышения селективности аналитических реакций. Многие методы, как определения элементов, так и маскирования основаны на одних и тех же реакция комплексообразования. Тем не менее, в первом случае идет речь, как правило, о взаимодействии определяемого элемента с одним реагентом, в то время как во втором в равновесии принимают участие, по крайней мере, четыре (а иногда и более) компонента - определяемый и маскируемый элементы, реагент и маскирующий лиганд. Равновесия в таких система отличаются значительно большей сложностью. В данной работе приведена классификация и характеристика маскирующих реагентов, рассматриваются теоретические основы маскирования и демаскирования.

1. Основы маскирования и демаскирования

Проблема маскирования имеет непосредственное отношение к одной из важнейших задач современной аналитической химии - повышению избирательности аналитических реакций и реагентов.

Цель маскирования - устранить влияние присутствующих в растворе веществ на реакции обнаружения или количественного определения какого-либо элемента.

Его преимущество по сравнению с методами отделения мешающих веществ посредством осаждения, экстракции, отгонки и др. состоит в экспрессности: не нужно затрачивать время на операции фильтрования и промывания осадков, разделения фаз и т.д.

Маскирование - это торможение или полное подавление реакции в присутствии веществ, способных изменять скорость или направление это реакции посредством влияния на ее кинетические или термодинамические условия.

В процессе маскирования различают препятствующее определению вещество Y, определяемое вещество X, аналитический реагент R, маскирующий агент L.

Вещества X и Y во многих случаях представляют собой катионы металлов, реже - незаряженные молекулы или анионы кислот.

Цель маскирования - устранить или предупредить протекание реакции между Y и R:

+ R = A + B, (1)

С тем, чтобы это не отразилось на реакции между X c R:

+ R = Р, (2)

которая должна протекать количественно.

Замаскировать реакцию можно несколькими способами.

.сдвинуть равновесие реакции (1) практически полностью влево.

Этого можно достигнуть следующими приёмами:

а) введение в систему заблаговременно большого избытка веществ А и В. Так реакцию,

(IV) + AsO2- → Ce(III) + AsO43-

можно устранить вводя предварительно избыток AsO43-.

б) изменение концентрации водородных ионов раствора. Этот приём эффективен, когда реагент имеет кислотный или основной характер и его взаимодействие с Х сопровождается выделением протонов:

+ HR → XR +H+

если реагент вступает в реакцию с Y:

+ HR → YR + H+.

В качестве маскирующего агента в данном случае выступают ионы водорода при определенном значении их концентрации в растворе.

. сдвинуть равновесие реакции (2) путём уменьшения концентрации Y под влиянием введённого маскирующего агента (Ox, Red, HL, L).

Маскирующий агент понижает концентрацию Y в растворе; степень этого понижения должна быть такова, чтобы предотвратить взаимодействие Y с R при доступной вследствие маскирования концентрации Y.

Здесь возможны следующие варианты:

а) изменение окислительного состояния постороннего вещества восстановлением, при этом используют такие реагенты как аскорбиновая кислота, гидразин, гидроксиламина хлорид, тиосульфат натрия, хлорид олова. Например: определение Co в виде тиоцианатного комплекса; при этом мешающее действие Fe3+ можно устранить, восстановив железо до Fe(II) хлоридом олова(II).

Можно также и окислить мешающий элемент. Окислители - перманганаты, дихроматы и т.д.

б) связывание мешающего определению элемента Y в растворимое комплексное соединении с лигандом L:

+ L = P.

Это наиболее часто применяемый прием маскирования.

Маскирование, основанное на реакциях комплексообразования, - наиболее важный и широко распространенный прием повышения селективности аналитических реакций.

Для такого маскирования можно привести другое определение: маскирование - процесс химического превращения вещества, в результате которого предупреждаются или устраняются некоторые реакции данного вещества и, как правило, не происходит выделения каких-либо веществ в другую фазу.

В зависимости от аналитических свойств продуктов взаимодействия X и Y различают несколько типов маскируемых реакций.

Маскирование образования окрашенных соединений. Этот тип маскируемых реакций распространён в тех случаях, когда при взаимодействии Y с R образуется окрашенное соединение, цвет которого мешает наблюдать и измерить поглощение света продуктом заключительной аналитической реакции между X и R. Естественно, что сам маскирующий агент не должен быть окрашен или его полоса поглощения должна располагаться в другой области спектра.

Примером может служить обнаружение или определение индия с помощью ализарина в присутствии алюминия, который даёт цветную реакцию с реагентом. Маскирование осуществляют введением ионов фтора, которые предупреждают образование окрашенного комплекса алюминия с ализарином, не ослабляя в тоже время заметно окраски комплекса индия.

Маскирование при экстракционном разделении ионов. В качестве примера возьмём экстракционное разделение алюминия и титана посредством хлороформного раствора 8-оксихинолина. Экстракцию титана можно замаскировать введением раствора пероксида водорода, образующего с титаном устойчивый пероксидный комплекс. Оксихинолинат алюминия переходит в органическую фазу.

Основные маскирующие лиганды

Наиболее распространённый приём маскирования - связывание мешающего определению иона Y в устойчивое комплексное соединение посредством комплексующего агента L.

Успех маскирования, основанного на образовании комплексных соединений, зависит от правильного выбора соответсвующего лиганда. Почти всегда мешающее определению вещество Y необходимо связать в как можно более устойчивое соединение. Чем выше устойчивость комплекса, тем лучший эффект маскирования наблюдается при прочих равных условиях.

Один из принципов, позволяющих осуществить оценку устойчивости, состоит в качественной оценке устойчивости комплексов в зависимости от строения электронных оболочек катионов-комплексообразователей, и от их положения в Периодической системе.

Все катионы-комплексообразователи целесообразно разделить на три группы.

К первой группе относятся катионы с электронной конфигурацией типа инертных газов, содержащие во внешней оболочке два или восемь электронов. К ним относятся однозарядные катионы лития, натрия, калия, рубидия, цезия, двухзарядные катионы бериллия, магния, кальция, стронция, бария, трёхзарядные катионы алюминия, скандия, иттрия, лантана, четырёхзарядные катионы титана, циркония, гафния, а так же катионы ниобия и тантала.

Строение внешней электронной оболочки центральных ионов-комплексообразователей сильно влияет на свойства образующихся координационных соединений. Катионы с двумя или восемью электронами во внешней электронной оболочке образуют комплексы со значительной долей ионной связи. Устойчивость оболочек типа инертных газов обуславливает малую поляризуемость и малую деформацию внешних ионов при взаимодействии с различными лигандами. Полезной характеристикой является также отношение заряда к радиусу, называемой ионным потенциалом, который характеризует интенсивность электрического поля вокруг данного иона.

Сформулированная зависимость даёт возможность сделать вывод о степени маскирования катионов металлов теми или иными лигандами.

Вторую группу ионов-комплексообразователей составляют катионы с недостроенным d-подуровнем. Такие электронные оболочки при действии электроотрицательных лигандов деформируются значительно больше, чем 8-электронные оболочки ионов, и доля ковалентности химической связи металл-лиганд возрастает.

В третью группу входят катионы, содержащие во внешней оболочке 18 или 18+2 электронов. К 18-электронным катионам относятся катионы цинка, кадмия, ртути, галлия, индия, талия, германия, олова, мышьяка и сурьмы в высшей степени окисления.

Для этой группы катионов характерны иные зависимости. В комплексах преобладает ковалентная связь, осуществляемая парой электронов, которые находятся в совместном владении катиона-комплексообразователя и лиганда.

Существенную роль в маскировании играет способность различных анионов образовывать комплексы неодинаковой устойчивости. Так, ионы фтора образуют с катионами первой группы более прочные комплексы, чем другие галогенид-ионы, что находит объяснение в жёсткости электронных оболочек и в размерах галогенид-ионов.

Для качественной оценки маскирующего действия лигандов можно также привлечь предложенный Пирсоном принцип жёстких и мягких кислот и оснований (ЖМКО).

К классу жёстких кислот относятся H+, Li+, Na+, K+, Be2+, Mg2+, Ca2+, Sr2+, Mn2+, Al3+, Sc3+, Ga3+, In3+, La3+, Nb3+, Cr3+, Co3+, Fe3+, As3+, Ti4+, Zr4+, U4+, Ce4+, Hf4+, Wo4+, Sn4+, UO22+, VO2+2 и др.

Мягкие кислоты: Cu+, Ag+, Au+, Tl+, Hg+, Pd2+, Cd2+, Pt2+, Hg2+, Co(CN)52-, Pt4+, Tl3+, RS+, I2, Br2..

Жёсткие основания: H2O, OH-, F-, CH3COO-, PO43-, Cl-, ClO4-, и др.

Мягкие основания - это R2S, RSH, RS-, SCN-, R3P, R3As, CN-, RCN, R-

Пирсон сформулировал правило: жесткие кислоты предпочтительно связываются с жесткими основаниями, а мягкие кислоты - с мягкими основаниями. Применимость принципа ЖМКО и сформулированного правила к оценке маскирующего действия лигандов создаёт возможность для рационального выбора и прогнозирования лигандов, обладающих наибольшим или наименьшим маскирующим эффектом.

Так, фторид-ион, представляющий жёсткое основание, образует стабильные комплексы с алюминием, бериллием, скандием, хромом, железом и рядом других жёстких кислот и, следовательно, проявляет к ним наибольшее маскирующее действие. Наоборот, фторид-ион не маскирует в заметной степени, например, катионы серебра, золота, палладия и т.д., которые принадлежат к классу мягких кислот.