Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Osnovy_materialovedenia

.pdf
Скачиваний:
16
Добавлен:
16.03.2015
Размер:
2.66 Mб
Скачать

Рисунок 8.

Постулаты зонной теории

I Связанные электроны находятся в потенциальной яме атома. II Электроны имеют дискретный спектр энергий.

IIIНа каждом энергетическом уровне может одновременно находиться не более двух электронов

сразными спиновыми моментами.

Картина, представленная на рисунке 8, деформируется при объединении атомов в кристалл.

Рисунок 9 При объединении в пласты происходит след явление : во-первых, барьеры потенц ям соседних

атомов могут частично перекрываться. Потенциальные барьеры понижаются, это обусловлено взаимодействием двух эл оболочек. Электронные оболочки двух соседних атомов частично перекрываются .Это приводит к тому, что образуется некая область пространства, в которой одновременно присутствуют уже не два электрона с одинаковыми энергиями, а в двое больше. А это противоречит природе вещества

После сближения отдельных атомов на расстояние межатомного взаимодействия образуется потенциальная диаграмма со слитыми и пониженными границами потенциальной энергии между соседними атомами.

Если температура кристалла не рана 0 К, то расстояние между атомами постоянно изменяется, то есть, атомы колеблются. Поэтому в каждый фиксированный момент времени немного отклоняется от изображённой на рисунке 9. При сближении атомов энергия потенциального барьера между ними понижается, а при удалении – повышается. При образовании кластера, состоящего из двух атомов, электронные оболочки этих атомов взаимодействуют между собой, частично перекрываются, при этом фактически возникает ситуация, когда в одной точке пространства находятся уже не 2, а 4 электрона с одинаковой энергией, что противоречит постулату III. Следовательно, при образовании кластера каждый энергетический уровень расщепляется на 2 близко лежащих по оси энергии подуровня. При присоединении третьего – на 3, и так далее. Если мы имеем 1 см3 кристаллического вещества, то каждый энергетический уровень будет расщеплён 1022 – 1023 подуровней (по числу атомов), расстояние между ними находится в пределах 10-16 – 10-25 эВ.

[ 1 электрон-вольт – энергия, необходимая для перемещения 1 электрона в электрическом поле с напряжённостью 1 вольт]

Энергия 10-25 эВ пренебрежимо мала, поэтому считается, что в кристалл каждый энергетический уровень расщепляется в квазисплошную(потому что энергия сохраняет дискретность) разрешённую для пребывания электронов энергетическую зону.

11

Рисунок 10.

Рисунок 11.

Расслоение эн уровней валентной оболочки приводит к образованию валентной энергетической зоны твёрдого тела. Ниже валентной и выше запрещённой тоже есть разрешенный зоны.

Уровень Ферми – это верхний заполненный электронами энергетический уровень при 0 кельвина

.Показывает, сколько электронов в данном веществе. Если кол-во уменьшится, уровень Ферми понизится.

ПЕРЕХОД ЭЛЕКТРОНА ИЗ ВАЛЕНТНОЙ ЗОНЫ В ЗОНУ ПРОВОДИМОСТИприобретение энергии.

Условия возникновения и понятие об активационном характере токопрохождения.

Существует две причины возникновения макротоков в материалах:

1.Градиент потенциала dUdx E ;

2.Градиент концентрации dNdx gradN .

В соответствии с этими причинами электрический ток, возникающий под действием градиента потенциала называется дрейфовым, по действием концентрации – диффузионный.

Условия, необходимые для возникновения макротоков:

1.Наличие свободных носителей заряда: электронов, ионов, активных в зарядовом отношении радикалов.

2.Способность носителей заряда к перемещению, то есть подвижность.

Как для образования свободного носителя заряда, так и для начала его движения требуется какаято энергия, причём всегда. Принято различать эти энергии: энергия, необходимая для образования одного свободного носителя заряда – энергия активации носителя заряда; энергия, необходимая для перемещения – энергия активации подвижности.

В том случае, если величина этих энергий пренебрежимо мала, говорят, что имеет место безактивационный механизм образования носителей заряда и подвижности (электропроводности)

12

Материалы

Механизм

Механизм

образования

подвижности

 

Металлы

безактиваци

безактиваци

онный

онный

 

Полупровод

активационн

безактиваци

ники

ый

онный

Диэлектрики

активационн

активационн

ый

ый

 

Электролит

безактиваци

активационн

ы

онный

ый

Чисто безактивациооный механизм электропроводности имеют только металлы. Остальные классы веществ имеют электропроводность активационного типа.

Не вдаваясь в механизм движения носителей заряда, очевидно 6электрический ток равен произведению числа носителей заряда на их подвижность: J N .

Подвижность носителей заряда.

В соответствии с существующими причинами возникновения электрического тока, различают дрейфовую и диффузионную подвижности.

- дрейфовая подвижность – скорость направленного движения носителя заряда в результате

 

см2

воздействия на него внешнего электрического поля с напряжённостью 1В/см. Размерность

 

.

 

 

В с

д - диффузионная подвижность – скорость направленного движения носителя заряда под

 

 

см2

 

 

действием единичного градиента концентрации. Размерность

 

 

 

.

 

 

 

 

моль

с

Рассмотрим, как зависит подвижность от атомарной структуры вещества (материала) и характера токопрохождения. Для описания дрейфовой подвижности применимы две модели: пролётная и прыжковая.

Пролётная модель применима к веществам, для которых существует понятие длины свободного пробега. Графически можно представить

Рисунок 12.

В движении электронов при наличии Е≠0 возникает отклонение от прямолинейности движения – параболическая траектория движения. При этом очевидно, что направленность всему движению придаёт именно это отклонение в сторону действия электрического поля.

Для дальнейшего изучения нам потребуются следующие понятия:

длина свободного пробега λ;

средняя скорость теплового движения VT

средняя скорость направленного движения VE

Допущение: энергия направленного движения носителя заряда гораздо меньше тепловой энергии:

13

q E k T .

Следовательно E k T , то есть мы говорим о слабых электрических полях. q

Согласно допущению очевидно, что

VT VЕ VT ,

то есть приращение скорости, обусловленное действием электрического поля, незначительно. Для расчёта подвижности необходимо оценить расстояние, которое носитель заряда проходит за

одну секунду.

Среднее время пролёта между соударениями

 

 

 

 

 

.

 

V

 

V

 

V

 

T

Е

 

T

Тогда количество соударений в 1 секунду

1 VT .

За время свободного пролёта носитель под действием электрического поля направленно смещается на расстояние N1:

N

a 2

, где а – коэффициент, a

q E

.

 

 

 

1

2

 

 

 

m

 

 

 

 

 

 

N

q E 2

 

 

 

 

 

.

 

 

 

 

 

 

 

1

2

m

 

 

 

 

 

Учитывая элементарных перемещений в одну секунду можно сказать, что

V

N

1 q E 2

 

 

q E

 

q E

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Е

 

 

 

 

 

1

 

 

2 m

 

 

2 m

 

2 m VT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VЕ

 

 

 

q

 

 

E ,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

m VT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

q

 

 

,

 

VЕ E .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 m VT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Поскольку

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

m V 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k T

 

VT

 

k T

,

 

 

 

 

 

T

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

m

 

 

 

 

 

итоговое выражение для подвижности примет вид:

 

 

q

 

 

 

.

2

 

 

k T m

Из него следует два вывода:

1.Дрейфовая подвижность не зависит от величины напряжённости электрического поля.

2.Истинная скорость носителя заряда при любых напряжённостях может быть определена по

формуле:

VЕ E .

Данное выражение является проявлением закона Ома для микромира.

Прыжковая модель Применима для описания движения носителей заряда, при котором теряет смысл понятие длина

свободного пробега.

14

Рисунок 13.

Как и в предыдущей модели, введём ограничение:

q E b W , что говорит о том, что модель справедлива лишь для малых электрических потерь. k T

1. Электрическое поле не способно непосредственно перенести носитель заряда из одного положения в другое.

2. Электрическое поле только нарушает симметрию потенциальных диаграмм. Следовательно, вероятности нахождения заряда в различных положениях различны.

3. Носитель заряда совершает колебательные движения в положении равновесия с частотой и только благодаря тепловой флуктуации способен приобрести энергию, достаточную для преодоления энергетического барьера, то есть для перехода из одного равновесного состояние в другое.

4. Направленное движение будет обусловлено неодинаковой частотой прыжков вправо и влево,

что обусловлено разной высотой энергетических барьеров.

Влево: W

q E b

, вправо: W

q E b . Из этого следует, что скорости перемещения вправо и

 

 

 

2

 

2

влево VП и VЛ будут

различными и очевидно, что скорость направленного движения будет

представлять собой сумму этих скоростей:

VE VП VЛ .

Оценим её величину. Носитель заряда совершает колебаний в одну секунду, то есть принимает

попыток преодолеть

барьер. Обозначим П

и Л - число удачных попыток преодолеть

соответственно правый или левый барьер.

 

 

 

 

W

 

q E b

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

kT

 

2kT

 

 

 

 

П

e

 

 

 

 

 

;

 

 

 

 

 

 

 

q E b

 

 

 

 

 

 

 

 

 

W

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

kT

 

 

2kT

 

 

 

 

Л

e

 

 

 

 

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Тогда разница Р

 

 

определит количество элементарных шагов направленного движения носителя

в единицу времени:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

W q E b

 

q E b

 

 

 

e kT e

2kT

 

 

e

2kT

.

 

 

Р

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Необходимо разложить полученное выражение в ряд. Используем допущение, которое мы приняли в начале – о малости энергии электрического поля и разложим экспоненты в ряд с

ограничением двумя членами разложения:

 

 

q E b

 

 

 

 

 

W

 

q E b

 

q E b

 

W

 

 

Р

e

 

kT 1

 

 

 

1

 

e

 

kT

 

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2kT

 

2kT

 

 

 

kT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

15

W
V Р b e kT
b qb e W
kT
kT

Поскольку величина каждого шага составляет b, то скорость насителя

b q E b . kT

.

Из полученной зависимости можно сделать выводы:

1.Скорость направленного движения (подвижность) не зависит от напряжённости электрического поля.

2.Истинная скорость вычисляется по формуле:

V E .

Диффузионная подвижность носителей заряда.

Предположим, что в материале искусственно поддерживается градиент концентрации вида:

Рисунок 14.

Возникает поток Z.

Z D gradN ,

где D – коэффициент диффузии, D VT . Знак минус в выражении говорит о том, что диффузия

3

идёт в сторону уменьшения концентрации.

Отсечём на графике слой вещества с толщиной 1см и со средней концентрацией носителей заряда N и введём понятие средней диффузионной скорости носителя:

Z Vд N ;

Vд N D gradN ;

V

D gradN

;

 

 

 

д

 

 

 

N

 

 

 

 

 

 

 

 

D

 

VT

.

д

 

 

 

 

 

N

 

3N

 

 

 

 

 

Из полученной зависимости можно сделать вывод:

В отличии от дрейфовой подвижности, диффузионная зависит от причины, вызывающей направленное перемещение носителей заряда, то есть от концентрации. Чем меньше концентрация, тем скорость диффузионного движения больше.

Количество носителей заряда.

16

Для безактивационного механизма образования носителей заряда, который имеет место в металлах и электролитах. Энергия, необходимая для активации, мала (10-19эВ). Поэтому в них число носителей заряда определяется в основном количеством атомов в единице объёма.

Что касается активационного механизма образования носителей заряда, то здесь существует другая система подсчёта, которая опирается на квантовую статистику. Предположим, что для образования носителей необходимо затратить энергию W . Количество нейтральных атомов и молекул, которые могут быть превращены в ионы составляет N0 в 1см3. Тогда без учёта процесса гибели носителей заряда число атомов, которые могут претерпеть акт ионизации N будет определяться:

W

N A N0 e kT , где А – коэффициент пропорциональности, зависит от материала (1…3).

ln N ln A N0 W ; kT

 

 

 

1

 

ln N f

 

.

 

 

 

 

T

 

ln N

tg

 

1

 

 

 

 

Т

 

 

 

 

 

 

 

Рисунок 15.

Возьмём на этой прямой 2 точки

ln N ln A N

W ;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

0

 

kT1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ln A N

 

W .

 

 

 

 

 

 

 

 

ln N

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

0

 

kT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

W

1

 

 

 

1

 

 

 

 

 

ln N ln N

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

T1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

kT1 T2

 

 

 

 

 

 

 

ln N ln N

 

ln N ;

1

 

 

1

 

1

;

2

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

T2

 

 

 

T1 T

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

W

k ln N

k tg .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

T

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Зависимость изменения концентрации носителей заряда от температуры, построенная в логарифмических координатах, определяет величину энергии ионизации данного материала через угол наклона данной прямой.

[Для полупроводников W - ширина запрещённой зоны]

17

Вывод основного уравнения электропроводности вещества.

Макроскопический подход Рассмотрим опыт по схеме, изображённой на рисунке 16.

 

 

 

Рисунок 16.

 

U R I ,

где

R

коэффициент

пропорциональности сопротивления цепи.

Из опыта известно:

 

 

R

l

,

где

 

-

коэффициент

 

 

S

 

 

 

 

пропорциональности, удельное сопротивление.

Введём искусственно ещё одну величину:

1 - удельная проводимость.

Вывод: R, и - экспериментально измеряемые величины опыта, которые не дают

представления о природе токопрохождения и не раскрывают взаимосвязь между величиной тока и структурой вещества.

I

U

 

El

 

 

ES

ES .

R

 

l

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S

 

 

 

 

Микроскопический подход Рассмотрим процесс прохождения тока с молекулярно-атомарной позиции.

Предположим, что в 1 см3 данного проводника находится N носителей заряда. Они перемещаются по проводнику со средней скоростью направленного движения VE . При этом

очевидно, что в течении одной секунды через любое сечение проводника пройдёт количество зарядов, находящееся с объёме между двумя сечениями, отстоящими друг от друга на расстояние, равное VE .

Рисунок 17

I qNV qNSVE .

Согласно результатам, полученным в разделе, посвящённом подвижности, -

VE E,

I q N S E;

q N S E E S ,

q N - основное уравнение электропроводности вещества.

В этом случае, если в материале имеется не один тип носителей заряда, а n –

n

qi Ni i .

i 0

18

Материалы электронной техники.

Проводящие материалы (проводники)

В настоящее время не существует общепринятой классификации проводниковых материалов. В физике, химии и технике проводящие материалы (как и все другие) классифицируются по различным признаками.

Приведём одну из возможных классификаций по нескольким признакам: состав, функции, проводимость.

Далее эти группы можно разбить на более мелкие, используя другие признаки классификации. Механизм прохождения тока по поверхности проводника обусловлен движением собственных

электронов (для металлов), следовательно, проводники являются материалами с электронной проводимостью (первого рода). Проводниками второго рода называются электролиты, представляющие собой растворы кислот и щелочей.

Электропроводность металлов обусловлена наличием большого числа свободных электронов. Согласно классической теории Друде-Лоренца, электроны в металлах обобществлены в некий единый электронный газ. Данная теория хорошо действует в диапазоне нормальных температур, однако, при температурах, близких к 0 К, она не работает: описывая поведение электронов газовыми законами, теория утверждает, что все электроны должны лишиться своей энергии, а металлы при этом перестанут проводить электрический ток, что не верно. Поэтому в настоящее время электропроводность металлов принято описывать по законам квантовой статистики Ферми-Дирака, которая утверждает:

 

e2

n2 / 3

l 8

 

1

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

,

 

 

 

 

 

 

 

h

 

 

3

 

 

 

где е – заряд электрона;

n - концентрация электронов;

l - длина свободного пробега; h – постоянная Планка.

С точки зрения зонной теории твёрдого тела металлы представляют собой вещества, у которых валентная зона смыкается с зоной проводимости (может быть перекрывается), то есть запрещенная зона отсутствует, что обуславливает лёгкость возникновения свободных носителей заряда.

В зонной диаграмме металла присутствует уровень Ферми, но для металлов он определяется как верхний заполненный энергетический уровень при абсолютном нуле по кельвину (то есть электроны теряют свою энергию, но они не падают на нулевой энергетический уровень, а занимают низшие энергетические уровни). Электроны как наиболее подвижные элементарные частицы в материале являются главными носителями энергии, причём не только электрической но и тепловой. Следовательно, чем больше электронов и чем выше электропроводность материала, тем выше теплопроводность, что подтверждается законом Лоренца:

19

T L T ,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где T - удельная теплопроводность,

 

 

 

 

 

 

L0 - число Лоренца (является постоянной для материала).

 

 

 

 

 

Температурная зависимость электропроводности металла.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I зона. Пунктиром обозначена кривая для

 

 

 

 

 

 

 

 

 

идеального металла. На практике:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1. Металл приобретает постоянную и весьма

 

 

 

 

 

 

 

 

 

малую величину удельного сопротивления

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.

Металл

 

переходит

в

состояние

 

 

 

 

 

 

 

 

 

сверхпроводимости при ТСВ.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

II зона. Нелинейность характеристики выражается

 

 

 

 

 

 

 

 

 

уравнением

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

~ Т n , n=1…5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

III

зона

линейный

участок,

зона

 

 

 

 

 

 

 

 

 

эксплуатационных температур.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IV зона располагается вблизи температуры

 

 

 

 

 

 

 

 

 

плавления ТПЛ. Большая часть металлов резко

 

 

 

 

 

 

 

 

 

скачком увеличивает своё удельное сопротивление.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Однако некоторые (висмут Vi, галлий Ga) –

 

 

 

 

 

 

 

 

 

уменьшают. Это связано с особенностями

 

 

 

 

Рисунок 18

 

кристаллической решётки.

 

 

 

 

 

 

 

 

V зона для большинства металлов характерна

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

увеличением удельного сопротивления.

 

 

ТК

 

 

1

 

d

, где

 

- удельное сопротивление при нормальных условиях (Т=0°С, р=765

 

0

 

0

 

 

 

 

dT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

мм рт. ст.)

Материалы высокой проводимости

К ним принято относить проводники с удельным сопротивлением в нормальных условиях не более 0,1 мкОм·м. Наибольшее применение в микроэлектронике находят медь Cu, алюминий Al, серебро Ag, золото Au. Рассмотрим их подробнее.

Медь Cu.

Обладает преимуществами:

1.Малое удельное сопротивление (занимает второе место после серебра);

2.Достаточно высокая механическая прочность;

3.Удовлетворительная стойкость к коррозии;

4.Хорошая обрабатываемость, высокая технологичность;

5.Относительная лёгкость пайки и сварки, слабая растворимость в припое.

Способ получения меди сводится к последовательной серии плавок из руды типа сульфида меди с интенсивным кислородным дутьём.

Марки меди: МТ – медь твёрдая, негартованная; ММ – медь мягкая, гартованная. Стандартная меди имеет удельное сопротивление =0,01724 мкОм·м.

В качестве проводников в России используется медь марок М1 (99,9% Сu, не более 0,08% кислорода), М0 (99,95% Cu, не более 0,02% кислорода) и М00 (99,99% Cu).

Удельная проводимость меди весьма чувствительна к примеси: 0,5% Zn, Cd, Ag – уменьшает проводимость на 5%

0,5% Ni, Al, Sn – уменьшает проводимость на 25-40%

0,5% Be, As, Fe, P, Si– уменьшает проводимость более чем на 55%.

20

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]