Нанохимия для всех

Пятое место – относится не к научному открытию, а к грамотно организованному в 2000 г. мероприятию по продвижению массированных перспективных научных исследований – т.н. «Национальная нанотехнологическая инициатива» США. Наука всего мира теперь многим обязана энтузиастам этой инициативы — тогдашнему президенту Б. Клинтону и д-ру М. Роко (Mihail C. Roco) из Национального научного фонда США.

Общемировой объем финансирования наноисследований в 2007 г. превысил 12 млрд. долл. Соответсвующие научные программы запущены в 60 (!) странах мира.

Четвертое место – полупроводниковые лазеры и светодиоды на GaAs (первая разработка датируется 1962 г.), основные компоненты телекоммуникационных систем, CD и DVD плееров, лазерных принтеров.

1,3–(Al,Ga)As – широкозонный полупроводник,

2–GaAs узкозонный полупроводник, толщина слоя d<1.

В слое 2 наблюдается инверсия населенности за счет сверхинжекции.

Третье место – эффект гигантского магнитосопротивления в многослойных структурах из магнитных и немагнитных материалов (1988 г.), на его основе созданы считывающие головки для жестких дисков, которыми сегодня оснащены все персональные компьютеры.

Если сложить "пирог" из разных металлов, чередуя слои из магнитного железа и немагнитного хрома, а затем к полученному кристаллу толщиной несколько нанометров приложить магнитное поле, то сопротивление кристалла падает многократно. Сняли поле, оно резко увеличивается. Дело в том, что под действием поля так называемые магнитные моменты слоев железа выстраиваются параллельно, а когда его нет - антипараллельно. Поэтому и столь резко меняется сопротивление. Такие кристаллы позволили значительно увеличить плотность хранения информации как в оперативной памяти так и на жестких дисках.

Зависимость магнитосопротивления от магнитного поля

Второе место – сканирующая туннельная микроскопия — не вызывает никакого удивления, ведь именно это изобретение (1981 г.) послужило толчком к наноисследованим и нанотехнологиям.