Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Усилители промежуточной частоты

..pdf
Скачиваний:
4
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
17.18 Mб
Скачать

Приращения полной емкости контура для однокон­ турного каскада

ДС-, пГДС22 + m2àCuC+ ДС;

в двухконтурном каскаде:

 

 

ДСЛ1 — т2 -\-ДС22 +

ДС, для первого

контура;

ДСЭ2 = т^ДСи +

ДС, для второго

контура.

Здесь

ДСо2=

^022^ 22^ ' АС,1C==’ 8сцС,,сД/,

 

AC = bcCAt,

АС, = 8С1С,А^

AC2=

8C2C2At,

где 6С2г,

SCll, ôc, 8С1,

8С2 —значения

ТКЕ

соответственно

емкостей

С2г, СИс,

С, Ci + C2. Комбинируя приведенные

соотношения, можно записать

 

 

 

ДСЭ= 28С22С22 -)-

1|С-f- 8сС) At;

 

АСЯ, = (т28С22С22 4- 5С1С,) At,

АСЭ2 = (fti’Sci1С,,с 4" 8С2С2) Д/.

Отсюда, полагая АСя=0, AC3i= 0, ЛСя2= 0 , определяем необходимый ТКЕ конденсаторов, которые образуют собственные емкости контуров:

8с = - 28С22 %

4 -

% * ) •

§С1 — ^^022^22^1 >

8C=■=

^,8р110,,р/С2,

Входная и выходная активные проводимости мало­ мощных транзисторов в широком интервале рабочих тем­ ператур (—60-ь+60 °С) практически линейно зависят от температуры [11, 31, 44], т. е.

£ ш = £ и (1 + 0цА0 .

8 т —£22 (1 + Ô22AO,

где £ш, #22<— текущие значения

проводимостей;

gu,

g22 — значения

проводимостей

при

/ = 2 0 °С;

0ц,

622^

температурные

коэффициенты

проводимостей;

At — тем­

пературный интервал.

Значения ôn и Ô22 существенно зависят от вида схем каскадов по постоянному току и от величин сопротивле­ ний входящих в нее резисторов, а также от частоты и типа транзисторов. У кремниевых транзисторов 6ц и Ô22 обычно меньше, чем у германиевых. При жесткой стаби­ лизации рабочей точки и низких частотах, когда напря­ жения па электродах транзистора фиксированы, величи­ ны Ô11 и Ô22 обычно лежат в пределах [31]

ôii = —(3-^5) 10- 3 град~\ 622 = —(2 -5-4 ) 10~ 3 град~К

На высоких частотах величина 6 а уменьшается (по модулю) и может изменить знак на обратный [44]. При­ менение схем температурной стабилизации позволяет значительно уменьшить бц и ô22- Оценка влияния тем­ пературных изменений проводимостей gllf g22 на полосу пропускания может быть сделана по величине эквива­ лентного затухания контуров. Используя соотношения (3.23), (3.25), (3.33) и (3.35), нетрудно получить сле­ дующие соотношения для одноконтурного и двухкоитурного УПЧ;

dD= d3[l + (Ô11 + Ô22)А/], dan = d0 (1 + Ô22A/) , dv2t=zd3( 1 -j-ôiiA/),

где dDf dàU, d[)2 — эквивалентные затухания при темпе­ ратуре, равной /; — эквивалентные затухания при / =

-2 0 °С.

Вузкополосных УПЧ, когда удовлетворяется нера­

венство 0,8<^г//йэ< 1 , можно пренебречь влиянием неста­ бильности проводимостей gu, g22 на полосу пропускания.

В широкополосных УПЧ, когда требования к избира­ тельности не предъявлены, иногда достаточно (если бц + +Ô22< 0) обеспечить заданную полосу пропускания при максимальной рабочей температуре. При пониженных температурах полоса пропускания будет обеспечиваться с запасом. На высоких частотах, когда 0ц и Ô22 имеют разные знаки, обеспечивается частичная взаимная ком­ пенсация температурного влияния проводимостей gu и 822• При высоких требованиях к ширине полосы пропу­ скания необходимая компенсация изменений эквивалент­ ных затуханий контуров и, следовательно, стабилизация полосы пропускания часто достигается применением ука­ занных выше схемных методов термостабилизаиии ре-

302

}кима транзисторов. При особо высоких требованиях к стабильности полосы пропускания к контурам подклю­ чаются терморезисторы [50, 51] с достаточно большим отрицательным или положительным ТКС (температур­ ный коэффициент сопротивления). Из-за отсутствия в на­ стоящее время простых и достаточно точных методов расчета терморезисторы (иногда соединяемые с обычны­ ми резисторами) подбирают экспериментально в процес­ се доводки УПЧ.

Основное внимание при проектировании и наладке УПЧ уделяется термостабилизации коэффициента уси­ ления, величина которого прямо пропорциональна пря­ мой проходной проводимости транзистора. Прямая про­ ходная проводимость уменьшается с повышением темпе­ ратуры

 

 

| У 2 1 11=

I^211( 1+ Ô2iA/),

 

где

|y 2i | , —значение

прямой

проходной

проводимости

при

температуре /;

|K2i | — ее

величина

при t = 20°С;

Ô21 — температурный

коэффициент проводимости.

В режиме

жесткой

стабилизации рабочей точки

у дрейфовых

германиевых транзисторов

[31] ô2i= —(2 -5-

4)10~3 град-1. У кремниевых транзисторов Ô21 в несколь­ ко раз меньше. Усилительный потенциал каскада (5.9) с учетом приведенных соотношений записывается в виде

к __

\Yu\t

_

2 V

gntg22t

1 ^ 0 + ^1 1 ^ 0 0 + ^22^0

где K— усилительный потенциал каскада при темпе­ ратуре, равной t\ Км — его значение при / = 2 0 °С.

Характер зависимости Кмг от температуры опреде­ ляется типом транзисторов, схемой их питания, рабочей частотой и величиной входящих в схему резисторов. Обычно всегда удается подобрать величины резисторов такими, чтобы обеспечить заданную стабильность коэф­ фициента усиления каскада. Вопросы температурной стабилизации коэффициента усиления являются общими для линейных усилителей различного назначения (уси­ лители низких частот, видеоусилители, усилители высо­ кой частоты и др.). В настоящее время опубликовано большое количество работ [4, И, 17, 25, 30, 51 и др.], посвященных этому вопросу. Однако предлагаемые ме­ тоды не обеспечивают необходимой точности расчетов, требуют иногда знания редко используемых параметров

транзисторов и подчас чрезмерно громоздки. Значения

сопротивлений резисторов схем термостабилизации, вы­ численные по формулам, рекомендуемым различными авторами, нередко существенно отличаются друг от дру­ га и могут быть рекомендованы как ориентировочные. В процессе наладки каскадов УПЧ величины сопротивле­ ний этих резисторов практически всегда уточняются экс­ периментально.

Обоснование теории и инженерных методов расчета рассмотрен­ ных схем температурной стабилизации применительно к УПЧ выхо­ дит за рамки настоящей книги. Поэтому ограничимся рассмотрением наиболее простой (нс уступающей другим по точности) методики расчета, исходящей из того, что условием стабильности коэффициен­ та усиления каскада УПЧ является равенство относительного изме­ нения коллекторного тока в рабочей точке и нормированного диапа­ зона рабочих температур:

где

7'о = 293°К; Тм—Тт — диапазон рабочих температур в граду­

сах

К.

 

 

 

 

 

 

И с х о д н ы е д а н н ы е д л я р а с ч е т а

 

 

Напряжение источника питания Ек.

 

 

 

Напряжения еКэ, ток /ок в исходной рабочей точке при Т=Т0_

 

Рабочий интервал температур Гм—Тт.

 

 

Обратный коллекторный ток / ко при

Т = Т 0.

 

 

Вспомогательные параметры: / и Ù, значения которых вычисля­

ются по формулам

 

 

 

 

 

/ --= / к02еГ“_Го/'°

U = 1,8 (Гм - Тт).

 

Расчетные соотношения для резисторов термостабилизации име­

ют следующий вид.

 

 

 

 

1.

Схема

с отрицательной обратной связью по постоянному току

(рис. 8.6,а)

 

 

 

 

 

 

/?а =

( 0 . 6 - 1 ,0 ) 4 22-.

#Ф =

1он

- Я „

 

 

 

1ОН

 

 

г, ___________/ W OK

Е« - /о Л в

Если оказалось, что Лф^О, то целесообразно в первой формуле

взять

меньшее

значение численного

коэффициента,

либо увели­

чить Ек.

с комбинированной

отрицательной

обратной связью

2.

Схема

(рис.

8.6,в).

 

 

 

Сопротивления резисторов R?, и Rф вычисляются по формулам предыдущего случая, а резисторов R\ и Rï.

 

. R ^ J L

D _____ (^i "h R<b) ^ок

 

f R3 I R' ~

^ - ( Я з + Л ф ) / о к ’

где /?'i — значение сопротивления

резистора Æi, вычисленное по

формулам предыдущего случая.

батарей (рис. 8.6,г)

3. Схема

с питанием

от

двух

Я, =

и I ( 7’- ~

Гт

/,. -

/) , £„ = Я3/ок + в*.

Величина £о округляется в сторону увеличения до ближайшего стандартного напряжения источника питания цепи базы. После это­ го уточняется R3 и рассчитывается Rф по формулам

Ra = (Е б—Сбэ)//ок,

R ф = ( Е к— бно) //ок*

Изменения температуры меняет величину обратной проходной проводимости транзистора и глубину внутрен­ ней обратной связи в каскадах УПЧ, что может ухуд­ шить устойчивость последних. Обратная проходная про­ водимость транзистора несколько уменьшается с увели­ чением температуры [4] по закону, близкому к линей­ ному:

|У121* = I У12I (1+ àioàt) ,

где |Ki2|* — значение модуля

обратной

проходной про­

водимости

при

температуре,

равной

/;

|Ki2| — ее значе­

ние при 20

°С;

ôi2 — температурный

коэффициент обрат­

ной проходной проводимости. В режиме жесткой стаби­

лизации рабочей точки

ôi2 = —(0,2

0,5) 10-3

град-t.

Устойчивый коэффициент усиления каскада УПЧ про­

порционален

величине

 

активности

транзистора (см.

табл. 7.1).

 

 

величины

|Ki2|* по сравнению

Небольшие изменения

с изменениями

величины

|K2ij*

вызывает

уменьшение

активности транзистора

 

 

 

 

 

 

At = Y

I

^21 I il I

^12

I ь

 

поэтому устойчивость каскадов УПЧ следует обеспечи­ вать прежде всего при максимальной рабочей темпера­ туре.

В каскадах с нейтрализацией или коррекцией вну­ тренней обратной связи температурные изменения об­

ратной проходной проводимости, вызванные главным об­ разом изменениями емкости См, приводят к нарушению условий нейтрализации или коррекции. Ослабление это­ го недостатка достигается использованием в цепях ней­ трализации и коррекции конденсаторов с отрицательным ТКЕ примерно той же величины, что и ТКЕ емкости Ci2.

8.8. СОСТАВЛЕНИЕ ПРИНЦИПИАЛЬНОЙ СХЕМЫ УПЧ НА УНИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

Свойства униполярных транзисторов близки к свойствам элек­ тронных ламп. Это делает весьма схожими и принципиальные схемы их каскадов на тех и других усилительных приборах.

Цепь затвора. В зависимости от типа полевого транзистора ис­ пользуются два режима.

1. Обедненный режим, характеризующийся уменьшением прово­ димости канала при увеличении от нуля напряжения смещения на участке затвор — исток.

2. Обогащенный режим, отличающийся увеличением проводимо­ сти канала при возрастании от нуля напряжения смещения на уча­ стке затвор — исток.

Транзисторы с р-п переходом работают только в обедненном режиме. Полевые МДП-транзисторы с индуцированным каналом ис­ пользуются только в обогащенном режиме. Полевые МДП-транзи­ сторы со встроенным каналом могут работать как в обедненном, так и в обогащенном режиме. Наиболее распространенные схемы пита­ ния цепей затвор — исток полевых транзисторов с р-п переходом изо­ бражены на рис. 8.15. Схемы, аналогичные рис. 8.15,0, е, применя­ ются в каскадах на МДП-транзисторах с индуцированным каналом. Все варианты схем рис. 8.15 могут применяться в каскадах на МДПтранзисторах со встроенным каналом.

Цепь затвора может быть выполнена по параллельной (рис. 8.15,а, б) или последовательной (рис. 8.15,0, г) схеме. Парал­ лельная схема используется в одноконтурных каскадах, последова­ тельная — в двухконтурных. Резистор R3 при параллельном питании затвора уменьшает входное сопротивление каскада и увеличиваетего шумы. Поэтому в узкополосных и малошумящих каскадах целе­ сообразно применение последовательной схемы цепи затвора.

Сопротивление

резистора

R t выбирается

от десятых

долей до

единиц мегом. Величины Rn и Си вычисляются по формулам:

Rn—Enlln, с„ ^

(20^-50)/2я/о^и,

 

 

где Еп, I» — напряжение смещения

на участке затвор — исток и ток

истока в рабочей точке.

 

 

 

 

 

 

При усилении

слабых

сигналов

транзистор

может

работать

при нулевом смещении (в схемах

рис. 8.15,6,

г, д

элементы Rn, Си

будут отсутствовать).

 

 

 

 

 

 

Значения сопротивления

резистора

/?ф и

емкость конденсатора

Сф определяются в результате расчета системы АРУ. Типичные их величины У?ф=0,1 Мом, Сф=0,1 мкф. Если каскад на униполярном

транзисторе должен

работать в широком интервале температур, то

в нем напряжение

смещения на затвор подается с делителя

Рис. 8.15. Схемы питания цепи затвора полевого транзистора:

а,

в — параллельная

и

последовательная

от внешнего

источника питания:

б,

г — параллельная

и

последовательная за

счет

тока истока; д — комбиниро­

 

ванная;

е —• с делителя и

за

счет

тока

истока.

(рис. 8.15,6’)» сопротивления резисторов которого Ял\, Ям подбирают­ ся так, чтобы обеспечить достаточно высокую стабильность харак­ теристик УПЧ в рабочем диапазоне температур.

Цепь стока. В подавляющем большинстве практических схем применяется последовательное питание стока (например, рис. 8.16,а— в одноконтурном УПЧ и рис. 8.16,6 — в двухконтурном). Схема кас­ када с нейтрализацией внутренней обратной связи изображена на рис. 8.16,6. Для ослабления паразитной обратной связи по общей цепи питания в цепь стока включен фильтр развязки ЯфСф:

Я ф ( Е о — Е я — £ с и ) Д с t

в)

Рис. 8.16. Схемы каскадов УПЧ на

полевом транзисторе:

г/ — одноконтурный; б - - двухконтурный;

в — с

нейтрализацией внутренней

обратной

связи.

 

Рис. 8.17. Схема каскада двухконтурного УПЧ на каскодном соеди­ нении полевого и биполярного транзисторов;

где Ес — напряжение источника питания; ecu — напряжение сток — исток п рабочей точке; / с — ток стока.

Емкость конденсатора Сф может быть рассчитана по формуле (8.51).

Для ослабления влияния внутренней обратной связи иногда применяют каскодные соединения униполярного и биполярного тран­ зисторов (рис. 8.17). Такие схемы обеспечивают весьма высокую развязку входного и выходного контуров, имеют небольшую входную проводимость, хорошо работают в широком диапазоне температур, дают большое усиление при малом уровне перекрестной модуля­ ции.

8.9. ПРОВЕРКА КАСКАДОВ УПЧ НА УСТОЙЧИВОСТЬ

Электрический расчет принципиальной схемы начи­ нается с проверки каскадов на устойчивость путем сравнения максимального устойчивого коэффициента усиления

К у, = 0,5 т/Т у п \1 \У ,,\

(8.60)

с резонансным коэффициентом усиления каскада /Ср, определенным без учета влияния внутренней обратной связи в усилительном приборе. Проверка выполняется отдельно для предварительных и для оконечного каска­ дов. Соотношения для расчета резонансных коэффици­ ентов усиления каскадов по напряжению приведены в табл. 8.3. Степень влияния внутренней обратной связи

характеризуется величиной

отношения

Лр/Àyi (табл. 8.4),

Приведенные в таблице

граничные

значения

/C P// C y i =

= 1,2 и /Ср//СУ1 = 3, соответствующие различным

степеням

неустойчивости,

являются

ориентировочными.

Граница

между слабой

и умеренной степенями неустойчивости

может изменяться в пределах 1 ,2 2 , а между умеренной и сильной — от 2 до 4.

Порядок расчета элементов межкаскадных цепей устойчивости каскадов (в том числе и преобразователя частоты) приведен в § ’8.10 .

В неустойчивых каскадах приходится принимать специальные меры по повышению устойчивости, завися­ щие от степени неустойчивости. При слабой неустойчи­ вости применяются способы пассивного метода повыше­ ния устойчивости. Если степень неустойчивости умеренная, то используются способы активного метода повышения устойчивости. В случае сильной неустойчивости по­ вышение устойчивости достигается одновременным при­ менением обоих методов.

Т а б л и ц а 8.3

Расчетные соотношения для резонансных коэффициентов

________________ усиления по напряжению__________________

Вид

режима

Опти­

мальное

согласо­

вание

Опти­

мальное

рассогла­

сование

Согласо­

вание

Одноконтурный каскад

Двухконтурный каскаа

Л \ , - £ )

Y

х

Л'м

(«1 + 0.1 + атс)

к - 1+ V О - з г )

I

рола

 

 

I

/

d 0 d

« м н - И

У

 

«t +

«me.

II

рода

 

Щ к

«

/

d „ — d

^ о О + Р 2)

 

 

a l +

amc2

 

 

S

 

P

5

Рассогла­

 

1 + ? ' 2 * М ,Г (С 1+ С И +

сование

2п1 р (C + C m+

Ct + C t)

-►---------------- ------------------

 

 

 

 

+C<) (С, +

Cm + Ci)

 

 

 

 

Т а б л и ц а 8.4

Степень влияния внутренней обратной связи

Отноше­

* р/К У1<1

1</Ср//СУ1< 1 .2

1, 2 < K f/ K n <s£S К , ' К , г > 3

ние коэф­

фициен­

 

 

 

 

 

тов уси­

 

 

 

 

 

ления

 

 

 

 

 

Степень

Каскад

 

Слабая

Умеренная

Сильная

устойчи­

устойчив

неустойчивость

неустойчивость

неустойчи­

вости

 

 

 

 

вость

каскада