книги / Усилители промежуточной частоты
..pdf<?G |
t(1 0 - |
20)/2 lt/0тс/ ]JI |
1 |
I |
для |
схем |
рис' |
^ |
|
|
0 I | Y2l |
| |
для |
схем |
рис. 8 . 8 , |
<?, е\ |
|
|
с |
l°2nf020' |
+ |
|
для рис. 8 .8, 6 , 6 . |
(8.54) |
||
Недостатками схем с параллельным питанием явля |
||||||||
ются |
потери энергии |
полезного |
сигнала на резисторах |
/?б, что уменьшает усилительный потенциал и коэффи циент усиления каскада, кроме того, резистор Ro вносит в схему дополнительные шумы.
На рис. 8.9 изображены способы питания цепи базы от отдельного источника EQ. Схемы содержат небольшое количество детален и обеспечивают высокую темпера турную стабильность в диапазоне температур —60 +70 °С. Они наиболее удобны при последовательном пи тании цепи база — эмиттер (рис. 8.9,а, б, в). Параллель ное питание (рис. 8.9,г) удобно лишь в схеме с общей
базой. Сопротивление резистора |
и |
емкости конденса |
|
тора Со определяются соотношениями |
|
||
RB "Ь (£б |
*бэ)//э. |
|
|
|
|
|
(8.55) |
Основные варианты схем |
питания |
цепи база — эмит |
тер с помощью делителя изображены на рис. 8.10. Их можно классифицировать на схемы с последовательным (рис. 8.10 ,а, б, д, ж) -и параллельным (рис. 8.10,в, г, з, з) питанием. В схемах рис. 8.10,а, в, д, е делитель Ru R2
подключен |
непосредственно к 'источнику |
питания, |
а в остальных схемах — через резистор Rф. У части схем |
||
(рис. 8 .10 ,а, |
в, ду е) для температурной стабилизации |
используется отрицательная обратная связь по постоян ному току и они сводятся к схеме рис. 8.6,а; у других схем (рис. 8.10 ,6, г, ж, з) имеет место комбинированная обратная связь по постоянному току и напряжению. Их аналогом является схема рис. 8.6,в.
В каскадах с параллельным питанием входная про водимость возрастает из-за шунтирующего действия де лителя R\f R2 (рис. 8.10 ,3, г) и резистора R3 (рис. 8.10 ,з, з), что приводит к уменьшению коэффициента усиления каскада. Кроме того, эти схемы требуют больших вели-
в, г. п.чp.'i.i.ic'.Ti.iiot'
чин емкостей конденсаторов Со, Сф, CD-и Ср, чем в ка скадах с последовательным питанием.
В одноконтурных каскадах с последовательным пита нием (рис. 8.10 ,а, д) переменная составляющая входного тока транзисторов замыкается через конденсаторы Со и Сэ, а при параллельном питании (рис. 8.10,в, е) — через конденсаторы Сф, Ср, Сэ. Суммарная проводимость этих емкостей переменному току на промежуточной частоте должна быть в 10— 20 раз больше входной проводимости каскада, так как в противном случае на них образуется заметное падение напряжения сигнала. Напряжение на входе транзистора и коэффициент усиления при этом уменьшаются. Исходя из этого, приходим к следующим расчетным формулам для этих емкостей:
Сб, Сэ 20 ч- 40 |
М Yu | |
для |
схемы рис. |
8. 10, а, |
(8.56) |
||
2^° |
\ | У21 |
| для |
схемы рис. |
8. 10, д, |
|||
С |
С С |
Г ""- ^30 -f-fc60 у |
|
|
|||
ор, ^б, о э, Ьф |
- |
2 ^ |
/Ч |
|
|
||
I Y U I + ^ 7 “Ь ^ " для |
схемы |
Рис- 8.Ю, |
в> |
||||
х |
|
для |
схемы |
рис. 8 .10 , е. |
|||
I ^2i I -Ьо~ |
|||||||
|
к* |
|
|
|
|
|
|
В двухконтуриых каскадах (рис. 8.10,6, г, ж, з) ве личины емкостей конденсаторов в цепи база — эмиттер существенно зависят от способа включения второго кон тура полосового фильтра. При автотрансформаторном включении (рис. 8.10 ,6 , ж), несмотря на использование последовательного питания, конденсаторы Сэ и Со имеют сравнительно большие емкости
с |
С > |
20 -f- 40 |
( | Yn | |
для |
схемы рис. |
8.10,0, g 57 |
|
31 |
6 |
2п/0 |
| | |
I |
для |
схемы рис. |
8 .10 , ж . |
В случае емкостного включения контура (рис. 8.10. г,
3)
^01 Сб |
10 -ь 20 |
X |
|
2я/0 |
|||
|
|
||
I Уп I + д1— I 1 для Схемы |
рис. 8.10 , г, |
||
X |
|
(8.58) |
I ^2i I + £— для схемы рис. 8 .10 , з.
Расчеты показывают, что во втором случае емкости конденсаторов Са и Со получаются значительно меньши ми, чем в первом.
Поскольку | K21I ^> | Кц|, то значения емкостен Ср, Сф, Сэ, Со в каскадах с общей базой получаются значитель-
i - M - ï î * 5т
а)
Рис. 8.11. Принципиальные схемы каскадов при непосредственном подключении делителя питания цепи базы к коллектору:
а — без обратной связи; в — с обратной связью на частоте сигнала.
но большим'и, чем в схемах с общим эмиттером. Иногда из-за удобств монтажа резистор R2 делителя питания базы соединяют непосредственно с коллектором тран зистора (рис. 8.11). В схеме рис. 8.11,а это приводит к некоторому увеличению выходной проводимости тран зистора и к уменьшению усилительного потенциала и коэффициента усиления. В каскаде рис. 8.11,6 наряду с этим через/? 2 возникает отрицательная обратная связь, вызывающая значительное уменьшение коэффициента усиления. Количество конденсаторов или их емкостен в схемах рис. 8.10 может быть уменьшено при непосред-
использовано последовательное включение коллекторных цепей всех каскадов УПЧ. Это позволяет значительно уменьшить количество деталей в УПЧ. Примеры схем трехкаскадпых УПЧ с последовательным питанием пока заны на рис. 8.14. В схемах рис. 8.14,а, б все транзисто ры включены с общим эмиттером, в схеме рис. 8.14,г?
Рис. 8.13. Принципиальные схемы оконечного каскада УПЧ:
а — с параллельным; б — е последовательным питанием коллекторной цепи.
транзистор первого каскада включен с общим эмиттером, второго и третьего — с общей базой. Температурная ста билизация всех схем обеспечивается резистором R. На пряжение участка база — эмиттер образуется делителя ми R it /?2. Последовательное питание часто применяется
вкаскодных соединениях двух транзисторов. Изменение резонансной частоты контуров каскада
вызывается температурной нестабильностью как собст венных параметров контура — его индуктивности и емко сти, так, главным образом, нестабильностью емкостей mi2‘C22 и т>12Сцс, вносимых в контур со стороны усили тельных приборов. Сдвиг резонансной частоты каскада достаточно просто уменьшается до допустимого значения путем соответствующего выбора величины и знака ТКЕ (температурный коэффициент емкости) конденсатора, образующего собственную емкость контура.