книги / Усилители промежуточной частоты

Заменяя в (7.43) А на Л,10, На.ЧоЛнМ Максимальный устойчивый ко­

Схемы каскадов с коррекцией внутренней обратной связи в транзисторных УПЧ

Из выражении (7.36) и (7.38) видно, что характер внутренней

ции. Возможны три простые схемы коррекции: типа R (рис. 7.15,а), типа L (рис. 7.15,6) и типа С (рис. 7.15,и).

Транзистор с подключенными к нему элементами RKy LK и С,, можно рассматривать как некоторый эквивалентный усилительный прибор. Для него условие коррекции записывается в виде

(Хк;)=1. (7.64)

Элементы Ru, L,.- и Ск незначительно изменяют частоту fH эквива­ лентного усилительного прибора, однако они существенно уменьшают постоянную ай э по сравнению с ак. Нетрудно показать, что постояи-

Усилитель имеет две особенности, связанные с выбо­ ром элементов схемы апериодического каскада (У?к, Сз) и ослаблением внутренней обратной связи во втором транзисторе. Рассмотрим их в указанном порядке. Пола-

Рис. 7.16. Принципиальная схема каскодного УПЧ типа общий эмиттер — общий эмиттер.

гаем, что обратная связь в резонансном каскаде отсут­ ствует, тогда коэффициент усиления первого каскада

К ___________ êli__________

* gmy ii+ ( f/f.r W + ( 2 ”KVl ’

где gzi, fs — низкочастотное значение крутизны первого транзистора и его предельная частота; g w — полная про­ водимость нагрузки в цепи коллектора:

ёж— ё ы + ё п

Тк= Са/g эю Сэ = С*22+ С ц + Ст.

Наличие емкости Сэ и частотная зависимость крутизны

.первого транзистора приводят к спаду частотной харак­ теристики первого каскада на высоких частотах. Пола­ гая верхнюю граничную частоту

/в=/р + 0,5Пп и [1 + ( Ш 2][1 + (2я/тн2)]-2 ,

определяем максимально допустимую постоянную вре­ мени коллекторной цепи

т

254

противления резистора в коллекторной цепи

Может оказаться, что значение RK, вычисленное по по­ следней формуле, отрицательно, или чрезмерно велико. Это в первом случае означает, что реальное значение верхней граничной частоты в схеме каскада больше ча­ стоты /B=fp+0>5IIn, во втором случае приводит к неже­ лательно большому увеличению напряжения источника питания из-за падения напряжения на RK■В таких слу­ чаях значение RK выбирается из условия обеспечения необходимого режима транзистора

С3 на коэффициент усиления последний будет равен

где

Аналогично предыдущему, находим минимальное значе­ ние постоянной времени

и емкость разделительного конденсатора

С3—Тбт/ (R S "I" Я8") •

Внутренняя обратная связь во втором транзисторе приведет к изменению его входной проводимости. Не­ трудно показать, что в этом случае она равна

g'BX = g'll+ ё э (К \ [A 2) g,

255

мость коллекторного колебательного контура, коэффи­ циент усиления с базы на коллектор второго транзисто­ ра и его активность; g — функция, определяемая первым

применением в резонансном каскаде коррекции или сов­ мещенной нейтрализации (рис. 7.18). Схема усилителя при этом содержит большее количество деталей по сравнению, например, с каскодным усилителем общий эмиттер — общая база (рис. 7.19,а). В этой связи необ­ ходимо определить частоту, до которой целесообразно применение усилителя общий эмиттер — общий эмиттер. Эта частота может быть получена из условия равенства усилительных потенциалов Лм(оэ-оэ) —7См(оэ-об). Решение этого уравнения относительно граничной частоты /гк в явном виде с учетом частотных свойств параметров транзисторов затруднительно. Наиболее просто задача решается приближенно сравнением усилительных потен­ циалов на средней частоте полосы пропускания для идентичных транзисторов. В первом приближении

?М

а — с коррекцией; б ~ с нейтрализацией внутренней обратной связи.

Усилитель типа общий эмиттер — общая база

Соединение транзисторов общий эмиттер — общая ба­ за является основным для каскадов УПЧ специальной аппаратуры. Оно имеет по сравнению с включением с об­ щим эмиттером два важных достоинства: в 10—30 раз большее значение активности и примерно в 2—3 раза более высокий усилительный потенциал. Это позволяет получить от каскада больший устойчивый коэффициент усиления.

В усилителе рис. 7.19,и применено последовательное питание коллекторных цепей обоих транзисторов. Коли­ чество деталей в схеме каскада несколько больше, чем