- •Министерство образования рф
- •Лабораторная работа № 1 Радиоэлектронные измерения
- •Порядок выполнения работы
- •Рекомендуемый библиографический список
- •Лабораторная работа № 2 Линейные цепи
- •Дифференцирующие цепи
- •Интегрирующие цепи
- •Коэффициент передачи интегрирующей цепи
- •Порядок выполнения работы
- •Рекомендуемый библиографический список
- •Лабораторная работа № 3 Резонансный контур
- •Порядок выполнения работы
- •Рекомендуемый библиографический список
- •Лабораторная работа № 4 Биполярные транзисторы.
- •Транзисторы
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Рекомендуемый библиографический список
- •Лабораторная работа № 5 Полевые транзисторы.
- •Порядок выполнения работы
- •Данные наблюдений оформить таблицей
- •Резистивно-емкостный каскад
- •Избирательные усилители
- •Обратная связь в усилителях
- •Дифференциальный усилитель
- •Порядок выполнения работы
- •Рекомендуемый библиографический список
- •Лабораторная работа №7 Операционные усилители
- •Оу как элемент для выполнения математических операций
- •Порядок выполнения работы
- •Рекомендуемый библиографический список
- •Лабораторная работа № 8. Генерирование колебаний.
- •Генераторы гармонических колебаний.
- •Порядок выполнения работы
- •Рекомендуемый библиографический список
- •Лабораторная работа № 9 Амплитудная модуляция и детектирование.
- •Амплитудная модуляция.
- •Порядок выполнения работы.
- •Рекомендуемый библиографический список
- •Лабораторная работа № 10 Линейные цепи с распределенными параметрами.
- •Отражение волн на концах линии
- •Входное сопротивление линии.
- •Порядок выполнения работы
- •Рекомендуемый библиографический список
Порядок выполнения работы
Запустите программу Electronics Workbench и откройте файл lab.41.ewb, содержащий схему, показанную на рис. 5. Она используется для исследования вольтамперных характеристик (ВАХ) биполярного транзистора в схеме с общей базой.
Схема содержит источник тока Ie, вольтметр Ueb для измерения напряжения эмиттер-база, исследуемый транзистор VT, источник питания Uk, вольтметр Ukb для контроля напряжения коллектор-база и амперметр Ik для измерения тока коллектора
Рис. 5
.
1.2. Снимите входные ВАХ Ie = f(Ueb) при фиксированных значениях Ukb путем изменения тока Ie и измерения Ueb. (Ukb = 0, 5 и 10 В).
Данные наблюдений оформить таблицей:
|
|
| ||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1.3. Снимите выходные характеристики Ik = f(Ukb) при фиксированных значениях Ie путем изменения напряжения Ukb и измерения Ik. Выполнить подобные операции для Ie = 1, 5 и 10 мА.
Данные измерений оформить в виде таблиц:
|
|
| ||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1.4. По входной характеристике Ie = f(Ueb) при Uk= 10 В определите дифференциальный коэффициент передачи эмиттерного тока по формулеи дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода по формуле .
1.5. По выходной характеристике Ik = f(Ukb) при Iэ = 10 мА определите дифференциальное сопротивление коллекторного перехода по формуле .
2. Снимите ВАХ транзистора в схеме с общим эмиттером.
2.1. Откройте файл lab42.ewb со схемой, показанной на рис. 6, для снятия характеристик транзистора. Схема содержит источник тока Ie, вольтметр Ueb для измерения напряжения эмиттер-база, исследуемый транзистор VT, источник питания Еk, вольтметр Ukе для контроля напряжения коллектор-эмиттер, сопротивление нагрузки Rk и амперметр Ik для измерения тока коллектора.
2.2 Снимите входные ВАХ Ie = f(Ueb) при фиксированных значениях Ek путем изменения тока Ie и измерения Ueb. (Ek = 0, 5 и 10 В).
Данные наблюдений оформить таблицей:
|
|
| ||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 6
2.3. Снимите зависимость , т.е. семейство выходных характеристик транзистора, для чего изменяя напряжение Ек, фиксировать значения тока коллектора при определенных постоянных значениях тока базы (0.5, 1, 1.5, 2, 2.5mA).
Данные измерений оформить в виде таблиц:
|
|
| ||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2.4. Снять зависимость тока коллектора от изменений тока базы, т.е. , при постоянном значении напряжения . Результаты опыта занести в таблицу:
| ||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2.5. Произвести расчёт следующих параметров транзистора:
а) рассчитать величину выходного сопротивления транзистора по формуле: , используя результаты измерений или построенные графики.
б) рассчитать величину входного сопротивления транзистора по формуле: , используя результаты измерений и построенные графики семейства входных характеристик транзистор.
в) по снятой зависимости построить зависимость дифференциального коэффициента передачи тока . Расчёт величины вести по формуле: .
г) по результатам расчёта величины определить коэффициент передачи эмиттерного тока . Расчет величины вести по формуле: .