Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Твердотельная электроника.-3

.pdf
Скачиваний:
230
Добавлен:
05.02.2023
Размер:
3.04 Mб
Скачать

336

3.С2 – емкость варикапа при U=Uобр.доп,

4.kc = C1 - коэффициент перекрытия по емкости,

C2

5.Q –добротность варикапа.

Сб

С1

Сн

С2 U

Uобр.доп

Рисунок 5.6. ВФХ варикапа

Добротность определяет степень энергетических потерь в ЭДП и определяется как величина, равная отношению реактив-

 

wСбU

 

ной мощности Pреакт =

 

к мощности потерь Pпот

. Мощ-

2

 

 

 

ность потерь имеет две составляющие: потери в токоведущих элементах Pr и потери в p-n- переходе Pp -n .

P =

R I 2

=

1

(wC U )2 R ,

P

=

U 2

б

 

 

.

 

 

 

r

2

 

2

б

б

p -n

 

2Ra

 

 

 

 

 

 

Отсюда добротность варикапа равна

1

Q = (5.1.)

1 wCб Rб + wCб Ra

Как видно из (5.1) в область низких частот, когда мал первый член в знаменателе, добротность равна

Qнч = wCб Ra

(5.2)

На высоких частотах, когда пренебрежимо мал второй член,

337

добротность определяется как

Qвч =

1

(5.3)

wС R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

б б

 

dQ

 

Максимальная добротность, определяемая условием

= 0 ,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dw

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

равна Qmax

=

 

 

Ra

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(5.4)

2

 

 

Rб

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Частота,

соответствующая

максимальной

добротности, равна

 

 

 

 

 

wQmax

=

 

1

 

 

 

 

(5.5)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Cб Rб Rа

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6. Df

= fmax - fmin - диапазон частот варикапа (рис 5.7).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Q

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Qmax

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Qmax

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

fmin

 

fQmax

fmax

f

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рисунок 5.7. Зависимость добротности варикапа от час-

тоты

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Использовать

 

 

варикап

рекомендуется

в диапазоне частот

Df , где добротность максимальна, а потери минимальны. Обо-

значая Q

=

Q

max

 

 

 

 

можно

записать выражение для определе-

 

 

 

 

 

 

 

 

min

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ния fmax и

fmin .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

fmax

=

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

QminCб Rб

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(5.6)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

338

fmin

=

Qmin

 

 

 

 

 

 

 

Cб Rб

 

 

DCН

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7.

ТКC =

1

 

 

- температуный коэффициент емкости.

Cн

DТ

 

 

 

 

 

 

 

 

8.

 

TKQ =

 

1

 

DQmax

- температурный коэффициент

 

 

 

Qmax

DT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

добротности.

- условно графическое обозначение варикапа . Варикапы по функциональному назначению делятся на

умножительные и подстроечные.

5.6. Стабилитроны. Лавинно-пролетные диоды Стабилитроном называют полупроводниковый диод на

обратной ветви ВАХ которого имеется участок, где малому

изменению

напряжения

соответствует

большой

диапазон

изменения

тока. Физической

основой работы

стабилитрона

является явление электрического (лавинного

или

тунельного)

пробоя. Действительно при электрическом пробое ВАХ на обратной ветви (кривая 1 рис.5.8.) содержит участок, где малому изменению напряженияDU соответствует большой диапазон изменения токаDI . Это обстоятельство является основой работы стабилитрона.

Поскольку для диодов на основе германия более вероятен тепловой пробой, ВАХ которого имеет вид кривой 2 на рис. 5.9, то на основе германия стабилитроны не изготавливаются. Все стабилитроны производятся на основе кремния.

Параметры стабилитрона (рис. 5.9).

1) Uст - напряжение стабилизации. Напряжение стабилиза-

ции однозначно определяется напряжением пробоя p-n перехода.

2) Iстmin - минимальный ток стабилитрона. Это ток на участке

перехода от тока насыщения к току пробоя. Обычно величина этого тока составляет 50 – 100 мкА.

339

3) Iстmax - максимальный ток стабилитрона. Величина этого тока ограничивается предельной плотностью тока и допустимой

мощностью рассеивания. Так что Iстmax = Pmax .

Uст

I

DU

U

1

DI

2

Рисунок 5.8. Обратная ветвь ВАХ диода при электрическом пробое

4) Icсрт -среднее значение тока стабилитрона, как средне-

арифметическое между Iстmax и Iстmin .

I

Uст

U

Iстmin

Iстср

Iстmax

Рисунок 5.9. ВАХ стабилитрона

5) ТКН – температурный коэффициент напряжения стабилизации.

Численное значение ТКН определяется как относительное изменение напряжения стабилизации при изменении температуры

340

TKН =

1

 

DUст

.

 

 

Uст

 

DТ

В зависимости от механизма пробоя ТКН может быть положительным (при лавинном пробое) и отрицательным (при туннельном пробое) (рис. 5.10).

ТКН, %

 

 

 

лавинный пробой

0,08

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,04

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Uст, В

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

8

12

16

0,04

 

 

 

 

0,08

 

 

 

туннельный пробой

 

 

 

Рисунок 5.10. Зависимость знака ТКН от напряжения стабилизации

6) Rст – статическое сопротивление, определяемое как

Rст = Uст .

Iстср

7) Rд - динамическое (дифференциальное) сопротивление,

определяемое как Rд = DU ст .

DIст

8) Q – коэффициент качества стабилитрона. Определяется

как

Q =

Rст

.

 

 

 

Rд

Чем больше значение Q, тем лучше стабилитрон выполняет функцию стабилизации напряжения.

- условно-графическое обозначение стабилитрона

Стабилитрон включается в схему, показанную на рисунке

5.11.

341

Как будет видно из дальнейшего рассмотрения, без ограничительного резистора стабилитрон функцию стабилизации напряжения на нагрузке выполнять не может.

При работе стабилитрона в схеме стабилизации напряжения возможны два варианта:

 

 

 

Rогр

 

-

 

 

 

 

 

 

 

Iн

 

 

 

 

 

Iст

 

 

 

 

 

 

 

 

Е

 

 

 

 

VД

 

 

Rн

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+

Рисунок 5.11. Схема включения стабилитрона

1) Изменяется входной сигнал на величинуDE , а необходимо поддерживать неизменным напряжение на нагрузкеU н и

ток через нагрузку Iн

2) Входной сигнал не изменяется(Е=const), но изменяются параметры нагрузки (Rн). При этом стабилитрон должен поддерживать неизменным напряжение на нагрузке Uн.

Рассмотрим первый случай. В соответствии с уравнением Кирхгофа можно записать

 

E = Uст + Rогр (Iст + Iн )

(5.7)

При увеличении входного сигнала на величинуDE в силу

того, что напряжение U ст изменяется незначительно, то за счет

увеличения тока через стабилитрон на величинуDIст

скачек

входного сигнала погасится на ограничительном резисторе R .

 

 

огр

Так что

DE = U ст + Rогр (DIст + Iн )

(5.8)

Отсюда видна необходимость обязательного наличия в схеме Rогр. Однако, несмотря на то, что скачек входного сигнала гасится на ограничительном резисторе, главная роль в поддержании неизменного напряжения на нагрузке принадлежит ста-

342

билитрону. Именно благодаря наличию на ВАХ стабилитрона участка, где малому изменению напряжения соответствует большой диапазон изменения тока, скачек входного сигнала DE гасится на Rогр и на нагрузку не влияет.

Величина ограничительного резистора в данном случае определяется соотношением

R

=

DE -Uст

,

 

 

(5.9)

 

 

 

огр

 

DIст + Iн

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где DE =

E

 

+ E

 

 

 

DIст =

I max + I min

 

 

max

 

min

;

ст

ст

.

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Конечно, изменение входного сигнала вызывает изменение напряжения на стабилитроне , иследовательно, на нагрузке. Оценим величину DU н = DUст . Можно записать, что

 

æ DU

ст

 

DU

ст

ö

DE = DU

ç

 

+

 

÷

R

 

R

 

ст + Rогр ç

 

 

÷

 

è

д

 

н

ø

Тогда DUст =

 

DE

 

 

 

 

 

(5.10)

 

Rогр

 

 

1 +

+

Rогр

 

 

Rд

Rн

 

 

 

Из (5.10) видно, что при

 

Rогр

>>1 DUст << DE , т.е. изменение

 

 

 

 

 

 

Rд

напряжения на стабилитроне всегда много меньше, чем измене-

ние входного сигнала. Таким

образом,

при

выборе

R

надо

 

 

 

 

огр

 

всегда выполнять условие: R

>> R .

 

 

 

 

огр

д

 

 

 

 

Во втором случае входной сигнал не изменяется. Тогда при

изменении Rн изменяется ток нагрузки Iн , и, чтобы поддержать

неизменным Uст , необходимо, чтобы

ток

через

стабилитрон

изменялся в противоположную сторону. Т.е. если Iн

растет, то

Iст должен уменьшаться на

такую же величину.

Тогда

при

E = const Uст остается неизменным.

343

E = Uст + Rогр (DIст + DIн )

Видим, что и во втором случае стабилизация напряжения на нагрузке достигается благодаря способности стабилитрона -из менять в широких пределах значение тока. Напряжение же на нем остается практически неизменным.

Значение Rогр в этом случае выбирается исходя из следую-

щего выражения:

Rогр

=

E -U

ст

,

(5.11)

DIст

+ DIн

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где DIст

=

I max

+ I min

DI

н =

I max + I min

 

ст

 

 

ст

,

 

н

 

н

,

 

 

2

 

 

 

2

 

 

 

Uст

 

 

 

 

Uст

 

 

 

 

 

I max =

,

 

I min =

.

 

 

 

 

Rmin

 

 

 

 

 

 

н

 

 

 

н

 

Rmax

 

 

 

 

 

 

 

 

н

 

 

 

 

 

 

н

 

 

 

 

 

Для оценки изменения напряжения на нагрузке в этом случае используется формула

DUст =

Rогр × DIн

 

(5.12)

 

1 +

Rогр

 

 

 

Rд

 

 

 

 

Для получения бóльшего, чем номинал прибора напряжения

Uст стабилитроны включают последовательно, с подключением

параллельно стабилитронам выравнивающих

резисторов. Для

получения меньшего, чем номинал Uст стабилитрон включают

последовательно с резистором. Параллельное включение стабилитронов не рекомендуется из-за большого разброса параметров. Однако на практике широко используется многокаскадное включение стабилитронов (рис. 5.12).

При этом коэффициент стабилизации kст определяемый как

k

ст

=

DE / E

, будет

определяться

произведением

DUст /Uст

 

 

 

 

 

коэффициентов стабилизации каждого каскада.

 

 

Для компенсации температурного дрейфа напряженияста

 

билизации

прибегают

к

включению

последовательно

со

 

 

 

 

 

 

 

344

 

 

 

 

 

 

 

 

 

стабили-троном

терморезистора,

имеющего

обратный

температурный коэффициент.

 

 

 

 

 

 

 

 

Для стабилитронов с положительным ТКН для этой цели

обычно

 

 

используют

дополнитльный

,

диодвключаемый

последовательно

со

стабилитроом. Такие

 

 

 

стабилитроны

называют термокомпенсированными.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rогр

 

 

Rогр

Rогр

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Е

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rн

 

 

 

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рисунок 5.12. Многокаскадное включение стабилитронов

Для стабилитронов с положительным ТКН для этой цели

обычно

 

 

используют

дополнитльный

,

диодвключаемый

последовательно

со

стабилитроом. Такие

 

 

 

стабилитроны

называют термокомпенсированными.

 

 

 

 

 

 

 

 

Для стабилизации напряжений разной полярности используется встречное последовательное ключение стабилитронов или выпускаемые промышленностью двуханодные стабилитроны

(

).

Стабистор – это полупроводниковый диод, напряжение на

котором в области прямого смещения слабо зависит от тока в заданном диапазоне и предназначен для стабилизации малых напряжений (<1 В). Для увеличения напряжения стабилизации применяют последовательное соединение стабисторов. Стабисторы имеют отрицательный ТКН. Основное отличие p-n перехода стабисторов – достаточно высокая степень легирования базы диода.

Стабилитроны и стабисторы имеют очень широкое практическое применение в схемах стабилизации напряжения, формирователей и ограничителей импульсов, схемах защиты и т.д.

По уровню мощности стабилитроны делятся на: маломощные< 0,3 Вт;

средней

мощности– 0,3 ¸ 5 Вт;

мощные

> 5 Вт,

345

а по значению напряжения стабилизации на напряжения до9 В,

от 10 до 99 В, и от 100 до 200 В.

Шумовые диоды

Полупроводниковый шумовой диод — это полупроводниковый прибор, являющийся источником шума с заданной спектральной плотностью в определенном диапазоне частот.

В начальной стадии лавинного пробоя процесс ударной ионизации оказывается неустойчивым: ударная ионизация возникает, срывается, возникает вновь в тех местах р-n перехода, где оказывается в данный момент достаточная напряженность электрического поля. Результатом случайной неравномерности генерации новых носителей заряда при ударной ионизации являются шумы, которые характерны для определенного диапазона токов. При работе таких, например, приборов, как стабилитроны, шумы — явление вредное. Именно поэтому диапазон токов, соответствующий шумам, исключают из диапазона рабочих токов стабилитронов. Однако для различных измерений в радиотехнике нужны генераторы шумовых напряжений.

Таким образом, в качестве генератора шумовых напряжений можно использовать диод в диапазоне обратных токов от минимального Iпроб. min до максимальногоIпроб . max пробивного тока,

где наблюдается наибольшая интенсивность электрических флуктуаций. Так, для шумовых диодов КГ401А...КГ401В этот диапазон соответствует значениям токов 10 мкА…. 1 мА.

Основными параметрами шумовых диодов являютсяспектральная плотность шума Sш — эффективное значение напряжения шума, отнесенное к 1 Гц, при заданном токе пробоя, а также

граничная частота равномерности спектраfгр — наибольшая

частота спектра, при которой удовлетворяется в сторону отрицательного отклонения заданное требование по неравномерности спектральной плотности шума (при заданном токе пробоя).

Одним из справочных параметров шумовых диодов является

средний температурный коэффициент спектральной плотности шума TKSш — отношение относительного изменения спектраль-