Математическое моделирование процессов термоустойчивости в конструкциях РЭС

Наименование,

Коэффициент нагрузки

KJ

TCJ ,K

тип элемента

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

0,8

0,9

1,0

293

0,02

0,02

0,05

0,10

0,20

0,34

0,51

0,73

1,00

Резисторы

313

0,06

0,06

0,11

0,19

0,32

0,53

0,69

0,92

1,29

338

0,11

0,11

0,18

0,32

0,51

0,79

1,04

1,43

2,18

проволочные

358

0,16

0,17

0,24

0,43

0,73

1,07

1,50

2,26

3,65

363

0,18

0,20

0,30

0,52

0,96

1,33

2,00

3,15

5,00

Интенсивность отказов λ, (среднее

Наименование элемента

значение)/(максимальное -

минимальное), 10 6 ч-1

Интегральные микросхемы

Гибридные

0,075 / (0,1 – 0,05)

Полупроводниковые

0,02 / (0,03 – 0,01)

Транзисторы кремниевые

Маломощные (до 150 мВт)

0,84 / (1,44 – 0,45)

Высокочастотные (менее 1 Вт)

0,50 / (1,67 – 0,16)

Средней и большой мощности

0,74 / (0,84 – 0,21)

В ключевом режиме

0,70 / (0,848 – 0,25)

Субминиатюрные двойные

2,6 / (4,31 – 0,87)

Микроволновые

9,66

Диоды

Кремниевые

0,2 / (0,452 – 0,021)

Кремниевые карбидные

0,1 / (0,55 – 0,002)

Субминиатюрные двойные

0,85 / (1,7 – 0,26)

Конденсаторы

Керамические

0,15 / (1,64 – 0,042)

Керамические переменные

0,02 / (0,351 – 0,012)

Стеклянные

0,06 / (0,87 – 0,0005)

Танталовые

0,6 / (1,934 – 0,108)

Пластиковые

0,135 / (0,178 – 0,003)

Нейлоновые

0,01 / (0,014 – 0,006)

Электролитические

0,035 / (0,513 – 0,003)

Резисторы

Композиционные 0,25 Вт и менее

0,016

Композиционные 0,5 Вт

0,06

Композиционные 2 Вт

0,071

Композиционные переменные

0,053

/ (0,533 – 0,007)

Металлоплёночные

0,2

/ (0,4 – 0,004)

Плёночные прецизионные

0,004

Потенциометры

0,26 / (0,5 – 0,02)

Проволочные прецизионные

0,073

/ (0,114 – 0,032)

Нелинейные

0,11 / (0,153 – 0,047)