Обращение к памяти еерrом
Обращение
к EEPROM ведется посредством регистров,
расположенных в пространстве В/В. Время
обращения при записи составляет от 2,5
до 4 мс, в зависимости от напряжения VCC
Регистр
адреса EEPROM- EEARH, EEARL.
Регистр
данных EEPROM – EEDR
При
чтении регистр EEDR содержит данные,
считываемые из EEPROM по адресу, определяемому
EEAR.
Регистр
управления EEPROM – EECR
EERIE
(EEPROM Ready Interrupt Enable) – разрешение
прерывания по готовности EEPROM. При
установленных в состояние 1 бите EERIE
и I-бите регистра SREG разрешается прерывание
по готовности EEPROM.
EEMWE
(EEPROM Master Write Enable) - Управление разрешением
записи EEPROM. Бит EEMWE определяет, будет ли
установленный в состояние 1 бит EEWE
разрешать запись в EEPROM. При установленном
в состояние 1 бите EEMWE установка бита
EEWE приведет к записи в EEPROM по заданному
адресу.
EEWE
(EEPROM Write Enable) - Разрешение
записи EEPROM. Сигнал
разрешения записи является стробом
записи в EEPROM. Запись установленных
данных по установленному адресу EEPROM
выполняется по установке бита EEWE.
При этом бит EEMWE обязательно должен
быть в состоянии 1, иначе запись не
произойдет.
EERE
(EEPROM Read Enable) - Разрешение
чтения EEPROM. Сигнал
разрешения чтения является стробом
чтения EEPROM. Бит EERE должен быть
установлен по установлении в регистре
EEAR требуемого адреса. После аппаратной
очистки бита EERE считываемые данные
будут располагаться в регистре EEDR.
Защита памяти программ и данных
Lock
Bits. При записи нуля в LB1 блокируется
запись данных во Flash и EEPROM память.
Одновременно блокируется возможность
изменять конфигурационные ячейки. Если
записать ноль еще и в LB2, то блокируется
и возможность чтения всех данных. После
этого прочитать содержимое вашей
программы становится невозможным. Для
повторного использования микроконтроллера
нужно выполнить команду «Стирание
микросхемы». При этом вся информация,
записанная в микросхему, теряется, зато
способность чтения и модификации
восстанавливается.
