Приложения Некоторые свойства металлов (таблица 1)

№ ВАР.

Элемент

Структура

Атомная масса

Параметр решетки, Å

Плотность, г/см³

Удельное сопротивле­ние, мкОм·см

Температура, К

Работа выхода , эВ

Дебая (T_D)

Ферми (T_F·10^-4)

плавления (T_пл)

1

Na

ОЦК

22.9

4.23

1.013

4.75

158

3.75

371

2,35

2

Mg

ГПУ

24.30

3.2

1.74

4.30

400

8.27

922

3,64

3

Al

ГЦК

26.98

4.05

2.7

2.74

428

13.49

933

3.74

4

Ti

ГПУ

47.9

2.95

4.51

43.1

420

1933

5

Cr

ОЦК

51.96

2.88

7.19

12.9

360

2130

6

Fe

ОЦК

55.84

2.87

7.87

9.8

470

13.0

1808

4.31

7

Cu

ГЦК

63.54

3.61

8.93

1.7

343

8.12

1356

4.47

8

Nb

ОЦК

92.91

3.3

8.58

14.5

275

6.18

2741

4.01

9

Ag

ГЦК

107.87

4.09

10.50

1.61

225

6.36

1234

4.28

10

In

тетра

114.82

4.59

7.29

8.75

108

9.98

429.8

11

Sb

ромб

121.7

4.51

6.69

41.3

211

12.7

900.4

4,08

12

Cs

ОЦК

132.9

6.05

1.999

20

38

1.83

302

1,81

13

W

ОЦК

183.8

3.16

19.25

53

400

3683

4.63

14

Au

ГЦК

196.9

4.08

19.28

2.2

165

6.39

1337

4.58

15

Pb

ГЦК

207.2

4.95

11.31

21

105

10.87

601

4.52

16

Bi

ромб

208.9

4.75

9.8

11.6

119

54

544.5

4,4

17

Zn

ГЕК

65.38

2.66

7.14

5.96

234

10.9

693

3.86

18

Ni

ГЦК

58.71

3.52

8.9

6.9

375

1726

4.84

19

Pt

ГЦК

195.09

3.92

21.45

10.58

230

2045

5.29

20

Ta

ОЦК

180.95

3.31

16.6

13.2

225

21

Mo

ОЦК

95.94

3.15

10.2

5.2

380

2890

4.37

22

V

ОЦК

50.942

3.02

6.1

24.8

390

2163

23

Rb

ОЦК

85.47

5.59

1.53

11.29

56

2.15

312

2,16

№ ВАР.

Тип

примеси

Полупроводник

Ширина запрещенной зоны

Эффективная масса

Подвижность

Работа

выхода,

эВ

E_G

(0 К), эВ

E_G

(300 К), эВ

m"_n / m_e

m"_p / m_e

μ_n,

см²·В^‑1·с^‑1

μ_p,

см²·В^‑1·с^‑1

1

9

n

p

Si

1.166

1.11

 0.98

 0.19

 0.5

 0.16

1350

480

4.83

2

10

n

p

Ge

0.74

0.67

1.58

 0.082

0.3

0.04

3900

1900

4.80

3

11

n

p

GaAs

1.52

1.43

0.07

0.5

0.12

8600

400

4.71

4

12

n

p

GaSb

0.81

0.69

0.045

0.39

4000

650

4.76

5

13

n

p

InAs

0.43

0.36

0.028

0.33

30000

240

4.90

6

14

n

p

InSb

0.235

0.17

0.0133

0.6

0.012

76000

5000

(78 К)

4.75

7

15

n

p

InP

1.42

1.28

0.07

0.4

4000

650

4.45

8

16

n

p

AlSb

1.6

1.6

0.11

0.39

50

400

4.86

№ вар.

1

2

3

4

5

6

концентрация

примесей, см^-3

10¹³

10¹⁴

10¹⁵

10¹⁶

10¹⁷

10¹⁸