Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Учебники / Сборник задач по дисциплине Физические основы микроэлектроники

..pdf
Скачиваний:
1559
Добавлен:
13.06.2014
Размер:
1.52 Mб
Скачать

621.382.8(076)

№ 3817

C 232

 

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

ТАГАНРОГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ РАДИОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

КАФЕДРА ФИЗИКИ

СБОРНИК ЗАДАЧ

по дисциплине

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

Для студентов специальности 21.02.02

ЕГФ

Таганрог 2005

2

УДК 621.382. 8(076.5)

Составители: А.Г. Захаров, Ю.Б. Какурин, Н.А. Филипенко

Сборник задач по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». – Таганрог: Изд - во ТРТУ, 2005. – 91 с.

В сборнике приводятся вопросы теории, примеры решения и условия задач для работы в аудитории, а также самостоятельной работы по дисциплине «Физические основы микроэлектроники», изучаемой в V семестре. Сборник предназначен для студентов 3-го курса очной формы обучения по специальности 21.02. 02.

Табл.2. Ил.20. Библиогр.: 8 назв.

Рецензент: профессор кафедры физики ТРТУ канд. физ.-мат. наук, доцент А.Б. Колпачев.

91

Захаров Анатолий Григорьевич Какурин Юрий Борисович Филипенко Наталья Андреевна

СБОРНИК ЗАДАЧ

по дисциплине

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

Для студентов специальности 21.02.02

Ответственный за выпуск Захаров А.Г. Редактор Маныч Э.И.

Корректор Чиканенко Л.В.

ЛР №020565 от.23.06.1997г. Подписано к печати Формат 60x841/16. Бумага офсетная. Офсетная печать.

Усл. п. л.–5,8 Уч–изд. л.–5,7

Заказ № . Тираж 150 экз. «С»

_____________________________________________________________

Издательство Таганрогского государственного радиотехнического университета

ГСП 17А, Таганрог, 28, Некрасовский, 44 Типография Таганрогского государственного радиотехнического

университета ГСП 17А, Таганрог,28, Энгельса, 1

90

3

Для заметок

ПРЕДИСЛОВИЕ

Вашему вниманию предлагается сборник вопросов, упражнений и задач по дисциплине «Физические основы микроэлектроники».

Сборник предназначен для студентов третьего курса пятого семестра дневной формы обучения по специальности 21.02.02.

Подбор задач охватывает основные темы изучаемой дисциплины: элементы квантовой механики; статистика носителей заряда в полупроводниках; кинетические явления в полупроводниках; контактные явления в полупроводниках; поверхностные явления.

Сборник задач структурно разбит по числу занятий, проводимых в учебных группах в соответствии с календарным планом. Материал каждого занятия включает в себя: вопросы теории, основные формулы для решения задач, примеры решения задач, условия задач с ответами.

Вопросы теории приводятся для ориентации студента в тех проблемах, знание которых необходимо для решения задач по конкретной теме.

Основные формулы представлены в виде соотношений, наиболее часто применяемых при решении задач. Приводимые примеры решения задач облегчат освоение методики их решения.

Группа А содержит задачи программного минимума, решение которых в полном объеме обязательно для каждого студента. По некоторым темам составлена группа Б, в которую включены задачи, требующие творческого подхода к решению, они предназначены для студентов, желающих самостоятельно углубить знания по изучаемой дисциплине.

При составлении сборника задач использовалась литература [1-8]. Условия некоторых задач отредактированы по усмотрению составителей. При выполнении расчетов следует обратить внимание и учесть тот факт, что в приводимых условиях примеров и задач величины электрофизических характеристик полупроводников и полупроводниковых структур зачастую имеют размерности, которые широко используются в микроэлектронике, и не соответствуют системе СИ (см-3, А/см2, см2/с и др.). Кроме того, в некоторых условиях задач (занятия 3,4) такие характеристики полупроводниковых структур, как подвижность и собственная концентрация носителей заряда, отличаются по величине от приводимых в таблице приложения 3, что допустимо, поскольку указанные характеристики зависят от ряда факторов, например от концентрации примесных атомов, температуры, и поэтому могут принимать различные значения.

4

ЗАНЯТИЕ 1. ЭЛЕМЕНТЫ КВАНТОВОЙ МЕХАНИКИ

ВОПРОСЫ ТЕОРИИ

1.Уравнение Шредингера. Электрон в потенциальной яме.

2.Прохождения микрочастицы через потенциальный барьер.

ОСНОВНЫЕ ФОРМУЛЫ ДЛЯ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ

1. Общее уравнение Шредингера:

ih ∂Ψ = − h2 ∆Ψ +UΨ,

t 2m

где Ψ (x,y,z,t) – волновая функция частицы; m – масса микрочастицы;

– оператор Лапласа =

2

+

2

+

2

; U (x,y,z,t) – потенциальная

x2

y2

z2

 

 

 

 

энергия поля, в котором движется микрочастица.

2. Стационарное уравнение Шредингера:

ψ + 2hm2 (E U )ψ = 0 ,

где ψ(x,y,z) – амплитуда волновой функции Ψ (x,y,z,t); E – полная энергия микрочастицы; U – ее потенциальная энергия.

Стандартные условия, которым должны удовлетворять физически допустимые решения уравнения Шредингера: конечность, непрерывность и однозначность ψ-функции, непрерывность ее производной по координатам.

3.Условие нормировки для функции ψ:

ψ 2dx =1.

V

 

 

89

 

 

 

СОДЕРЖАНИЕ

 

Предисловие...................................................................

3

Занятие 1.

Элементы квантовой механики…………………………… 4

Занятие 2.

Статистика носителей заряда в полупроводниках........

18

Занятие 3,4.

Кинетические явления в полупроводниках…………… 25

Занятие 5,6.

Контактные явления……………………………………. 46

Занятие 7.

Поверхностные явления………………………………….. 70

Список рекомендуемой литературы.....................................

83

Приложение 1. Соотношения между некоторыми физическими единицами. Множители для образования дольных и кратных единиц…………………………………………………………………. 84

Приложение 2. Некоторые физические постоянные……………….. 85

Приложение 3. Основные параметры и свойства полупроводников и диэлектриков, применяемых в твердотельной электронике……….. 86

Приложение 4. Графики зависимостей удельного сопротивления от концентрации примесей для Ge, Si и GaAs при 300 К…………...… 88

88

 

 

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Приложение 4

4. Вероятность

прохождения

 

 

микрочастицы

через

ГРАФИКИ ЗАВИСИМОСТЕЙ УДЕЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ

потенциальный барьер – коэффициент «прозрачности»:

 

 

 

 

D = exp( 2 2

2m(U E )dx ) ,

 

 

 

 

 

 

ОТ КОНЦЕНТРАЦИИ ПРИМЕСЕЙ ДЛЯ Ge, Si И GaAs ПРИ 300 К

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

x

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

h x

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где x1 и x2 – координаты точек, между которыми потенциальная энергия

 

микрочастицы U больше полной энергии E. Кроме того, коэффициент

 

«прозрачности» может быть рассчитан по формуле

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D =1 –

 

 

A

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где А1 – амплитуда падающей на барьер волны, А2 – амплитуда

 

отраженной от барьера волны.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ПРИМЕРЫ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ

 

 

 

 

 

 

 

Пример 1. Рассмотрите прямоугольную потенциальную яму с

 

бесконечно высокими стенками и шириной l (рис. 1.1.). Определите вид

 

волновой функции и энергию микрочастицы, находящейся в

 

потенциальной яме.

 

 

 

 

 

 

U(x)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Решение

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

для U

 

 

 

 

 

U

 

Запишем

уравнение

Шредингера

 

 

 

 

 

 

указанных на рис. 1.1 областей:

 

 

 

 

 

I

 

II

 

III

 

− для областей I, III

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U=0

 

 

E

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d 2ψI ,III

8π 2 m

 

 

 

 

(1.1)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+ h2 ( E U )ψI ,III = 0

0

 

 

l x

 

 

dx2

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис.1.1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

− для области II

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d 2ψII + 8π2m EψII

= 0 .

 

 

 

 

(1.2)

 

 

 

dx2

h2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Введем обозначения в уравнениях (1.1) и (1.2) соответственно:

6

k1 = 2hπ 2m( E U ) ;

k = 2hπ 2mE .

С учетом введенных обозначений общие решения уравнений (1.1) и (1.2) будут иметь вид:

ψI ,III = Aeik1 x + Beik1 x = Aeik2 x + Beik2 x ;

(1.3)

ψII = Ceikx + Deikx .

(1.4)

В (1.3) k1 = ik2. Найдем значения коэффициентов А, В, С и D. Из условия задачи U → ∞ следует, что k2 → ∞. Для того чтобы ψI оставалась при этом конечной, необходимо, чтобы В = 0. С другой стороны, чтобы ψI была конечной и при x , необходимо, чтобы и А = 0. Таким образом,

в областях I и III ψI(x)=ψIII(x)=0.

Для определения C и D, воспользовавшись условием непрерывности волновой функции

ψI(0)=ψII(0)=0,

получаем C+D = 0 или С = – D. Подставив полученное соотношение в

(1.4), найдем

ψII = C(eikx eikx )= C1 sin kx ,

(1.5)

где C1 = 2iC.

Из условия непрерывности для правой стенки потенциальной ямы

ψII(l) = ψIII(l) = 0,

получим

С1sin kl = 0.

При С 1 0 это возможно, когда

87

Продолжение таблицы

Параметр

Обозна-

Si

Ge

SiO2

 

чение

 

 

 

Электрическое поле

Еm

3 105

8 104

(6–9) 106

при пробое, В/см

 

 

 

 

 

Эффективная масса:

mn

 

 

 

 

электронов,

m

1,08

0,55

 

 

mp

m

 

 

 

дырок

 

0,81

0,3

 

 

Сродство к электрону,

χ

4,05

4

1,0

эВ

 

 

 

 

 

Коэффициент

 

 

 

 

 

диффузии (см2/с):

Dn

34,6

 

 

для электронов,

99

дырок

Dp

12,3

47

Коэффициент

 

 

1,412

0,606

0,014

теплопроводности,

 

 

 

 

 

Вт/см K

 

 

 

 

 

Постоянная

a

0,543

0,566

кристаллической

 

 

 

 

 

решетки, нм

 

 

 

 

 

Эффективная

 

 

 

 

 

постоянная Ричардсона

 

 

 

 

 

в теории

 

 

 

 

 

термоэлектронной

А*

 

 

 

эмиссии для кремния и

 

 

 

германия (А cм-2К-2):

 

 

2,2 А

1,11 А

 

n-типа,

 

 

 

р-типа

 

 

0,66 А

0,34 А

 

А=120А cм-2К-2 – постоянная Ричардсона для свободных электронов

86

Приложение 3

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ И СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ,

ПРИМЕНЯЕМЫХ В ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКЕ

Параметр

Обозна-

Si

Ge

SiO2

 

чение

 

 

 

Атомная

 

28,1

72,6

60,1

(молекулярная)

 

 

 

 

масса, моль

 

 

 

 

Атомный номер

Z

14

32

14/8

Плотность, г/см3

 

2,33

5,32

2,19

Атомная

N

5,0 1022

4,4 1022

2,2 1022

(молекулярная)

плотность, см-3

 

 

 

 

Относительная

ε

11,7

16,0

3,9

диэлектрическая

 

 

 

 

проницаемость

 

 

 

 

Ширина

 

 

 

 

запрещенной зоны

Eg

 

 

 

при 300 К, эВ

1,124

0,67

8 ÷ 9

при 0 К, эВ

 

1,170

0,744

 

Собственная

ni

1,45 1010

2,4 1013

 

концентрация

носителей заряда

 

 

 

 

при 300 К, см-3

 

 

 

 

Удельное

 

45

2,3 105

сопротивление при

 

 

 

 

300К, Ом см,

 

 

 

 

Температура

 

1412

937

 

плавления, °C

 

1700

Подвижность

 

1300

3800

20

электронов при

µn

300 К, см2/В с

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Подвижность

 

500

1800

10-8

дырок при 300 К,

µp

см2/(В с)

 

 

 

 

7

kl = nπ; n = 1,2,…

Тогда kn может иметь следующие значения:

kn = n πl , n = 1,2,…

Подставляя kn в (1.5), получим следующее выражение для волновой функции ψII, которую обозначим через ψn:

ψn = Cn sin( n πlx ) .

Постоянная Cn находится из условия нормировки этой функции

Cn = 2l .

Таким образом, волновая функция микрочастицы в потенциальной яме имеет вид

ψn = 2l sin( n πlx ),

аэнергия состояния, описываемого данной волновой функцией, определяется выражением

En = h2 n2 . 8ml2

Пример 2. Одномерный потенциальный барьер имеет форму, представленную на рис. 1.2. Определите коэффициент прозрачности этого барьера для микрочастиц массой m и с энергией E (U1<E<U0), движущихся к нему слева.

8

Решение

Одномерное амплитудное уравнение Шредингера записывается в виде

h2 d 2ψ

= (E U )ψ .

(1.6)

 

 

 

2m dx2

 

 

 

Рис.1.2

Если частица расположена слева от барьера, то U = 0 и уравнение (1.6) принимает вид

d 2ψ

= − 2mE ψ .

 

dx2

h2

 

Общее решение данного уравнения определяется выражением

ψ L

= Ae ik1 x + Be ik1 x ,

(1.7)

где

 

 

 

k

=

2mE .

 

1

 

h

 

 

 

 

Для микрочастиц, находящихся в центральной

части, имеем

U = U0, причем U0 > E. Соответствующее решение уравнения Шредингера

(1.6) для этой области записывается как

 

ψ M

= Ce k2 x + De k2 x ,

(1.8)

где

 

 

 

k2

=

2m(U0 E)

 

.

 

 

 

h

 

Наконец, для микрочастиц, находящихся справа от выступа потенциального барьера, U = U1 < E. Здесь, поскольку мы рассматриваем волну, распространяющуюся в положительном направлении оси x, решение уравнения (1.6) будет следующим:

85

Приложение 2

НЕКОТОРЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ ПОСТОЯННЫЕ

Наименование

Символ

Числовое значение

Скорость света в вакууме

с

2,998 108 м/с

Заряд электрона

q

1,602 10-19

Кл

Масса покоя электрона

m

9,109 10-31

кг

Отношение заряда электрона к его

q/m

1,759 10-11

Кл/кг

массе

 

 

 

 

 

Постоянная Планка

h

6,626 10-34

Дж с

Приведенная постоянная Планка,

ħ

1,055 10-34

Дж с

равная h/2π

 

 

 

 

 

Постоянная Больцмана

k

1,381 10-23

Дж/К

Постоянная Стефана Больцмана

 

5,670 10-8 Вт/(м2 К4)

Число Авогадро

NA

6,023 1023 1/моль

Постоянная Фарадея

F

6,649 104 Кл/моль

Магнитная постоянная

µ

 

-6

Гн/м

 

0

1,257 10

 

Электрическая постоянная

ε

 

-12

Ф/м

 

0

8,849 10

 

 

Энергия, соответствующая одному

1эВ

1,06 10-19 Дж

электрон-вольту

 

 

 

 

 

Температурный потенциал при

ϕT

25,8 мВ

 

 

 

температуре 300 К

 

 

 

 

 

Постоянная Ридберга

R

1,097 107 1/м

84

ПРИЛОЖЕНИЯ

Приложение 1

СООТНОШЕНИЯ МЕЖДУ НЕКОТОРЫМИ ФИЗИЧЕСКИМИ ЕДИНИЦАМИ. МНОЖИТЕЛИ ДЛЯ ОБРАЗОВАНИЯ ДОЛЬНЫХ И КРАТНЫХ ЕДИНИЦ

1 ампер (А) =1 Кл/с 1 ангстрем = 10-10 м = 10-4 мкм

1 атмосфера (ат) = 760 мм рт. ст. = 101 325 Па

1 кулон (Кл) =1 А с 1 электрон-вольт (эВ) = 1,60 10-19 Дж 1 фарад (Ф) = 1 Кл/В

1 калория (кал) = 4,1868 Дж

1 генри (Гн) = 1 В с/А 1 джоуль (Дж) =107 эрг = 1 Вт с = 6,25 1018 эВ =1 Н м = 1 Кл В

1 микрометр (мкм) = 10-6 м 1 ньютон (Н) = 1 кг м/с2 1 сименс (См) = 1 Ом-1 1 тесла (Тл) = 1 Вб/м2 1 вольт (В) = 1 Вт/А 1 ватт (Вт) = 1 Дж/с

1 вебер (Вб) = 1 В с гига (Г) = × 109

мега (М)= × 106 кило (к) = × 103

микро (мк) = × 10-6 нано (н) = × 10-9 пико (п) = × 10-12

9

 

ψ R = Fe ik3 x ,

(1.9)

где

k3 = 2m(E U1 ) . h

Запишем теперь условия, которым должны удовлетворять функции

ψL, ψM и ψR:

 

Ae ik1d / 2

+ Be ik1d / 2

= Ce k2d / 2

+ De k2d / 2 ;

 

 

(1.10)

ik1 Ae ik1d / 2

 

ik1 Be ik1d / 2 = k2Ce k2d / 2

k2 De k2d / 2 ;

 

 

(1.11)

 

Fe ik3d / 2 = Cek2d / 2 + Dek2d / 2 ;

 

 

 

 

 

 

(1.12)

 

ik3 Fe ik3d / 2

= k2Cek2d / 2

k2 Dek2d / 2 .

 

 

 

 

(1.13)

Из условий (1.10) и (1.11) получаем

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2ik Aeik1d / 2

 

=( ik

+ k

2

)Cek2 d / 2 +( ik

k

2

)Dek2 d / 2

,

(1.14)

1

 

 

1

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а из условий (1.12) и (1.13) определяем:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(k2

+ ik3 )Feik3d / 2

= 2k2Cek2d / 2 ;

 

 

 

 

 

 

(1.15)

 

(k2

ik3 )Feik3d / 2

= 2k2 Dek2d / 2 .

 

 

 

 

 

 

(1.16)

Путем исключения из уравнений (1.14), (1.15) и (1.16)

коэффициентов C и D находим:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2ik Aeik1d / 2

(ik

+ k

2

)e

k2d (k

2

+ k

)

 

(ik

k

2

)ek2d (k

2

k

)

,

 

1

 

=

1

 

 

 

3

 

+

1

 

 

 

 

3

 

Feik3d / 2

 

 

 

 

2k2

 

 

 

 

 

 

 

2k2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

откуда получаем следующее выражение для коэффициента прозрачности барьера:

10

 

k

3

 

 

F

 

2

=

16k k 2k

3

 

=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k

 

A

 

2

(k22 k1k3 )2 (ek2d ek2d )2 + (k1k2 + k2k3 )2 (ek2d + ek2d )2

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4 E (U0 E) E U1

.

 

= [(U0 E) E(E U1 )]2 sh2k2d + (U0 E)( E E U1 )2 ch2k2d

 

 

Пример 3. Потенциальная энергия имеет вид U(x) = Ũ(x) + αδ(x-x0), где Ũ(x) – ограниченная функция. Каковы свойства волновой функции микрочастицы ψ(x) и ее производной в окрестности точки x0 ?

Решение

Запишем уравнение Шредингера для данного случая:

h2 d 2ψ

+ [U(x) + αδ(x-x 0 ) ]ψ = Eψ .

(1.18)

 

 

 

2m dx 2

 

 

 

Из уравнения (1.18) вытекает непрерывность функции ψ(x) в точке x0 и разрывный характер производной функции в этой точке. Величина

скачка

производной функции должна

быть

такой,

чтобы

δ-функциональное слагаемое в функции

d 2ψ

(производная разрывной

 

 

dx2

 

 

 

функции)

компенсировало слагаемое

αδ(x x0)ψ(x0)

в левой

части

уравнения (1.18). Проинтегрировав (1.18) по области x0 − ε < x < x0 + ε,

ε> 0 и устремляя ε 0, находим

ddxψ (x0) ddxψ (x0+0)ddxψ (x0 0) = (2mα2)ψ(x0);

ψ(x0 + 0) = ψ(x0 0).

(1.19)

Пример 4. Определить коэффициенты прохождения и отражения микрочастиц в случае δ-функционального потенциала U(x) = αδ(x) (рис.1.3). Рассмотреть предельные случаи E ∞ и E 0.

Решение

Считаем для определенности, что микрочастицы движутся в положительном направлении оси x. Решения уравнения Шредингера, описывающего отражение таких частиц, при x < 0 и x > 0 имеют вид

83

СПИСОК РЕКОМЕНДУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1.Захаров А.Г. Физические основы микроэлектроники: Учеб. пособие. – Таганрог: Изд–во ТРТУ, 1999. 221 с.

2.Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2–х кн. /Пер. с англ. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Мир, 1984. Кн.1, 456 с. Кн.2, 456 с.

3.Терехов В.А. Задачник по электронным приборам: Учеб. пособие для вузов. 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Энергатомиздат, 1983. –

280 с.

Рис. 7.3

4.Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника /Пер. с испан. С.И. Баскакова; Под ред. В.А. Терехова. – М.: Высш шк., 1991. – 351 с.

5.Галицкий В.М., Карнаков Б.М., Коган В.И. Задачи по квантовой механике: Учеб. пособие. – М.: Наука, 1981. – 648 с.

6.Иродов И.Е. Сборник задач по атомной и ядерной физике. – М.: Госатомиздат, 1963. – 346 с.

7.Мин Чен. Задачи по физике с решениями /Пер. с английского. Ю. А. Янайта; Под ред. В.И. Григорьева. – М.: Мир, 1978.

8.Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем /Пер. с англ.

М.: Мир, 1989. 630 с.