7. Усилительный каскад ок, его свойства, параметры, характеристики, применение, схема замещения.

Используется для согласования высокоомного источника с низкоомной нагрузкой.

Uвх=h₁₁э*Iвх+Uвых (*); Iвх+h₂₁э-h₂₂э*Uвых-Uвых/Rэ=0; Решая совместно эти 2 ур-я, получаем: Uвых=Uвх/[1+h₁₁э*[(1+h₂₂э*Rэ)/ ((1+h₂₂э)*Rэ)]]; Uвых(для большинства случаев) (0,9…0,99)*Uвх. Такой усилитель наз-ют эмиттерным повторителем. Из (*): Rвх= Uвх/Iвх =Uвх*h₁₁э/Uвх-Uвых= h₁₁э/1-Ки, Ки<1; Rвх>>h₁₁э. Входное сопротивление данного каскада значительно больше, чем у схемы с ОЭ. Выходное сопротивление схемы ОК мало, оно составляет10-50 Ом для большинства случаев при использовании маломощных транзисторов. Выходное сопротивление Rвых Rэr_э, r_э – объемное сопротивление эмиттерного перехода. В данном усилит каскаде ОК инвертирование не происходит. Фазы входного и выходного сигнала не происходят.

8. Усилитьельный каскад об, его свойства, параметры, характеристики, применение.

Данный усилительный какад обладает коэфф усиления по току <1(k_I<1); коэфф усиления по напряжению >>1 (k­_U>>1); входное сопротивление мало. Оно такое же как и выходное у схемы ОК. выходное сопротивление велико. Это тоже плохо. Его используют на высоких частотах (десятки, сотни МГц). Применяют как правило для получения усиления напряжения или мощности на высоких частотах (десятки, сотни МГц); Т.к. в данной схеме включение емкости коллекторного и эмиттерного перехода проявляют себя в меньшей степени. В схеме замещения эти емкости шунтированы по переменному току малыми сопротивлениями.

9. Усилительный каскад на полевом транзисторе в схеме ои, его свойства, параметры, характеристики, применение.

r_i-внутр сопр-е тр-ра, k_U-коэфф усиления по напряжению, _­-статический коэфф усиления полевого тр-ра, S- крутизна ВАХ, k_U=(Rн)/ (r_i+ Rн); =S* r_i, R1 может быть установлено, а может и нет. S=dIc/dUзн; величину R3 выбирают на несколько порядков меньше входного сопротивления транзистора для уменьшения температурной нестабильности и разброса параметров по входному сопротивлению. Rн - сопротивление нагрузки транзистора по переменному току в данном каскаде.