- •Вопросы по твердотельной электронике
- •Образование зон в полупроводниках
- •Собственная проводимость полупроводников
- •Донорная проводимость полупроводников (проводимость п-типа)
- •Акцепторная проводимость полупроводников (проводимость р-типа)
- •Движение свободных носителей заряда в полупроводнике
- •Фундаментальная система уравнений для свободных носителей в полупроводнике
- •Граничные условия Шокли для "р-п" – перехода
- •Вольтамперная характеристика идеального " р-п" – перехода
- •Обратная ветвь вах "р-п" - перехода. Пробой "р-п" - перехода
- •Контакт «полупроводник - металл»
- •Полупроводниковые диоды (основные виды, их полупроводниковые структуры и обозначения на схемах)
- •Переходные процессы в полупроводниковых диодах. Частотные свойства диодов.
- •Статические и динамические модели полупроводниковых диодов. Линеаризированная статическая модель полупроводникового диода.
- •Параметрический стабилизатор напряжения на стабилитроне.
- •Полупроводниковая структура и принцип работы биполярного транзистора
- •Работа биполярного транзистора.
- •Вах биполярного транзистора и его статические параметры.
- •Модель биполярного транзистора (модель Эбберса-Молла)
- •Биполярный транзистор как четырехполюсник, h-параметры. Графическое определение h -параметров.
- •Выбор рабочей точки биполярного транзистора.
- •Полевой транзистор как четырехполюсник, y-параметры. Графическое определение y-параметров.
- •Переходные процессы в тиристоре
- •Эффект di/dt в тиристорах.
- •Эффект du/dt в тиристорах
-
Переходные процессы в тиристоре
-
Эффект di/dt в тиристорах.
Если ток, протекающий через тиристор в прямом направлении (в открытом состоянии ) будет возрастать со скоростью более некоторой критической di/dt > diкрит/dt, то произойдёт разрушение структуры и выход тиристора из строя, что объясняется ограниченным ростом площади протекания носителей, увеличением плотности тока и локальным тепловым пробоем. Параметр diкрит/dt является справочным и указывается в каталогах на каждую модель тиристора.
-
Эффект du/dt в тиристорах
При подаче напряжения прямой полярности на анод и катод тиристора со скоростью более некоторой критической dU/dt> dUкрит/dt произойдёт открытие p-n-p-n структуры. Механизм данного эффекта обусловлен наличием паразитной ёмкости анод-управляющий электрод. Данный эффект ограничивает использование тиристоров в высокочастотных схемах, хотя иногда применяется для управления тиристором. Параметр dUкрит/dt указывается в справочниках на каждую модель тиристора.