Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Микроэлектроника.doc
Скачиваний:
292
Добавлен:
10.05.2015
Размер:
3.53 Mб
Скачать

4.11. Примеры микросхем логических элементов

На рис. 4.10 приведены УГО некоторых логических элементов. Корпус микросхем логических элементов имеет, как правило, 14 выводов. Два вывода служат для подключения к источнику питания, а 12 – являются входами и выходами ЛЭ. Нумерация выводов – против часовой стрелки, начиная с метки (ключа) в виде углубления на корпусе.

Многие серии цифровых интегральных микросхем включают шинные формирователи. Так иначе называют буферные элементы с тремя состояниями на выходе (рис. 4.11). Основное назначение таких микросхем –поочередная подача на одну магистраль сигналов от различных источников. Причем благодаря большой нагрузочной способности микросхем магистраль может иметь большую емкость и большое число подключенных к ней нагрузок и источников сигналов.

На рис. 4.11,а показано УГО ИМС восьмиразрядного двунаправленного приемопередатчика К555АП6. Вход управленияBS(BusState– состояние шины) служит для изменения направления передачи данных, вход управленияОЕслужит для перевода шин АNи ВNв третье состояние.При BS==0передача данных идетсправа налево, т.е. ВN являются входами, АN – выходами. При BS = 1, =0 данные АNявляются входными, ВN– выходными. При=1, независимо от состояния входа управленияBS, обе шины находятся в состоянииZ. Рис. 4.11,б показывает УГО ИМС четырехразрядного приемопередатчика с двумя однонаправленными (DIDB, DBDO) и одной двунаправленной (DB) шинами. Вход управленияBS определяет направление обмена данными, вход управленияОЕслужит для перевода шинDO(DataOutput– выходные данные) иDB (DataBusBidirectional– двунаправленная шина) в третье состояние. ПриBS=0 выход буфераDD2 разомкнут и передача данных происходит от А к В через буферDD1. ПриBS=1 данные передаются от В к А через буферDD2. В микросхеме К589АП26 передача сигнала в обоих направлениях сопровождается его инвертированием.

4.12. Микросхемы на основе арсенида галлия

Микросхемы К6500 представляют собой цифровые схемы сверхвысо­кого быстродействия, выполненные на основе арсенид-галлиевых полевых транзисторов с затвором Шоттки.

Микросхемы К6500 по сравнению с ИС ЭСЛ К500, К1500 имеют в 4-6 раз меньшую мощность потребления на один ЛЭ и в 3-8 раз большую частоту пе­реключения и меньшую задержку на ЛЭ.

В серии имеют место следующие основные параметры логических сигналов: длительность фронта (среза) выходного сигнала 0,16…0,3 нс, выходное напряжение при Rн = 50 Ом низкого уровня – 0,2… 0,1 В, высокого уровня 0,9…1,5 В, входной ток низкого уровня не менее 0,5 мА, высокого уровня – неболее 1 мА, помехо­защищенность низкого и высокого уровня – не менее 0,1 В, максимальная частота функционирования не менее 1000МГц.

Цифровые микросхемы К6500 предназначены для обработки цифровых сигналов с тактовой частотой более 1000 МГц в контрольно-измерительных приборах, аппаратуре связи и ЭВМ.

При эксплуатации ИС К6500 имеют место предельно допустимые ре­жимы, приведенные ниже.

Напряжение питания:

положительное 3.8 ...4,2 В,

отрицательное -2,28…2,52 В.

Входное напряжение -0,2…1,5 В.

Выходной ток не менее 30 мА.

Несогласованная емкость нагрузки Сн не более 2 пФ.

Температура корпуса –10…+70 °С.

Сопротивление нагрузки 45…55 Ом.

Стойкость к статическому электричеству 30-100 В.

Микросхемы выполнены в плоских планарных металлокерамических корпусах с числом выводов 16, 24, 42. При обозна­чении ИС К6500 микро­схемы эксплуатируются в диапазоне температур -10 +70 °С, а при обозначе­нии 6500 – в диапазоне температур -60 +125 °С.

Микросхемы К6500 по­строены на ос­нове базовых ЛЭ истоково-связан­ной ло­гики (ИСЛ) на полевых транзи­сторах с управ­ляющим затво­ром Шоттки.

В струк­турной схеме ЛЭ имеются вход­ные и выходной формирователи сиг­на­лов и соб­ственно ба­зовый ЛЭ. Один из ос­нов­ных вари­ан­тов реали­зации соб­ственно базо­вого ЛЭ на полевых тран­зи­сторах Шоттки при­веден на рис. 4.12.

Базовый элемент по­строен по схеме пере­ключателя тока на основе дифференциальных пар транзисторов VT1, VT2иVT3, VT4; резистораR1, оп­ределяющего ток истока; на­грузочных резисторовR2, R3и резистора смещенияR4для согласования по уровням напряжения выходов исто­кового переключателя тока и выходных истоковых повторителей на транзи­сторахVT5, VT6.Диоды ШотткиVD1VD6и транзисторыVT7VT10 в цепях истоков выходных транзисторов необходимы для согласования с выходным формирователем и стабилизации выходного напряжения. Питание ЛЭ и формирователей осуществляется от двух источников напряжения: 4 В и -2,45 В.