- •Т.И.Данилина
- •Технология тонкопленочных
- •Микросхем
- •Учебное пособие
- •1. Введение
- •2. Получение рисунка интегральных схем
- •2.1. Фотолитография
- •2.2. Способы экспонирования
- •2.3. Фотошаблоны и технология их получения
- •2.4. Оптические эффекты при фотолитографии
- •2.5. Методы и технология формирования рисунка
- •3. Технологические основы пленочной
- •3.1. Термическое испарение в вакууме
- •3.2. Ионно-плазменное распыление
- •4. Элементы тонкопленочных интегральных
- •4.2. Тонкопленочные резисторы
- •4.2.1. Выбор материалов
- •5. Типовые технологические процессы
- •6. Области применения тонких пленок
- •6.1. Тонкие пленки в технике свч
- •6.2. Тонкослойные оптические покрытия
- •6.2.1. Просветляющие покрытия для видимой и инфракрасной областей спектра.
- •6.2.2. Отражающие покрытия для вакуумного ультрафиолетового излучения.
- •6.2.3. Диэлектрические многослойные пленочные системы
- •7 Методические указания по самостоятельной работе студентов.
- •7.1 Методические указания по выполнению контрольных работ.
- •7.2 Примеры решения задач.
- •7.3 Задачи для самостоятельного решения.
- •7.4. Задания к контрольной работе №2
- •Приложение 1 Основные физические постоянные
- •Соотношения между единицами измерения
- •Периодическая система элементов
- •Приложение 3 Параметры металлов и полупроводников
Приложение 1 Основные физические постоянные
Постоянные |
Символ |
Значение |
Единицы СИ |
Элементарный заряд |
е |
1,6 | |
Число Авогадро |
6,02 | ||
Масса покоя электрона |
9,1 |
кг | |
Постоянная Планка |
h |
6,62 |
Джּс |
Атомная единица массы |
а.е.м. |
1,66 |
10-27 кг |
Газовая постоянная |
R |
8,3 | |
Постоянная Больцмана |
k |
1,38 | |
Первый радиус Бора |
5,67 | ||
Диэлектрическая проницаемость вакуума |
8,85 |
Соотношения между единицами измерения
1 Дж = 0,24 кал; 1 кал = 4,19 Дж
1 эВ =
1 м =
Заряд электрона e = СГС =
Газовая постоянная = 1,987
Постоянная Больцмана
Периодическая система элементов
Пери- оды |
Ряды |
Группы элементов | |||||||||
I |
II |
III |
IV |
V |
VI |
VII |
VIII | ||||
1 |
I |
1 H 1,008 |
|
|
|
|
|
|
2 He 4,0 |
| |
2 |
II |
3 Li 6,94 |
4 Be 9,01 |
5 B 10,81 |
6 C 12,0 |
7 N 14,01 |
8 O 16,0 |
9 F 19,0 |
10 Ne 20,18 | ||
3 |
III |
11 Na 23 |
12 Mg 24,30 |
13 Al 26,98 |
14 Si 28,09 |
15 P 30,97 |
16 S 32,06 |
17 Cl 35,45 |
18 Ar 40,0 | ||
|
IV |
19 K 39,10 |
20 Ca 40,08 |
21 Sc 44,96 |
22 Ti 47,90 |
23 V 50,94 |
24 Cr 52,0 |
25 Mn 54,9 |
26 Fe 55,8 |
27 Co 58,9 |
28 Ni 58,7 |
V |
29 Cu 63,55 |
30 Zn 65,38 |
31 Ga 69,72 |
32 Ge 72,5 |
33 As 74,92 |
34 Se 79,0 |
35 Br 79,9 |
36 Kr 83,8 |
| ||
5 |
VI |
37 Rb 85,5 |
38 Sr 87,6 |
39 Y 88,9 |
40 Zr 91,2 |
41 Nb 92,9 |
42 Mo 96,0 |
43 Tc 98,9 |
44 Ru 101,0 |
45 Rh 102,9 |
46 Pd 106,4 |
VII |
47 Ag 107,9 |
48 Cd 112,4 |
49 In 114,8 |
50 Sn 118,8 |
51 Sb 121,8 |
52 Te 127,6 |
53 I 126,9 |
54 Xe 131,3 |
| ||
|
VIII |
55 Cs 132,9 |
56 Ba 137,3 |
La-Lu |
72 Hf 178,5 |
73 Ta 180,9 |
74 W 183,8 |
75 Re 186,2 |
76 Os 190,2 |
77 Ir 192,2 |
78 Pt 195,0 |
IX |
79 Au 197 |
80 Hg 200,6 |
81 Tl 204,3 |
82 Pb 207,2 |
83 Bi 209,0 |
84 Po (209) |
85 At (210) |
86 Rn (222) |
| ||
|
X |
87 Fr (223) |
88 Ra 226 |
Ac-(Lr) |
104 Ku (261) |
105 Ns (261) |
|
|
Приложение 3 Параметры металлов и полупроводников
Материал |
Плотность
|
Атомная плотность |
Условная температура испарения, К |
Коэффициенты |
Энергия сублимации, Есуб., ЭВ | |
А |
В | |||||
Ag |
10,49 |
5,85 |
1320 |
10,78 |
14090 |
2,7 |
Al |
2,7 |
6,04 |
1423 |
11,11 |
15630 |
3,26 |
Cu |
8,96 |
8,52 |
1546 |
10,84 |
16580 |
3,56 |
Mo |
10,2 |
6,39 |
2800 |
10,92 |
30310 |
6,9 |
Au |
19,32 |
5,90 |
1738 |
10,77 |
18520 |
3,92 |
Pt |
21,5 |
6,61 |
2360 |
11,75 |
27500 |
5,56 |
Ti |
4,52 |
5,66 |
1832 |
11,1 |
20110 |
4,34 |
W |
19,3 |
6,09 |
3580 |
11,36 |
40260 |
8,76 |
Ni |
8,9 |
9,03 |
1780 |
11,67 |
20600 |
4,41 |
Cr |
7,19 |
7,64 |
1478 |
12,0 |
17560 |
3,68 |
Si |
2,42 |
5,04 |
1615 |
12,32 |
19700 |
3,91 |
Ta |
16,6 |
5,52 |
3340 |
12,12 |
40210 |
8,7 |
Ge |
5,32 |
4,53 |
1520 |
10,12 |
15150 |
3,77 |
Cd |
8,65 |
|
538 |
10,9 |
5800 |
|
Fe |
7,86 |
|
1720 |
12,53 |
21960 |
|
Zn |
6,5 |
|
616 |
11,06 |
6740 |
|