- •Т.И.Данилина
- •Технология тонкопленочных
- •Микросхем
- •Учебное пособие
- •1. Введение
- •2. Получение рисунка интегральных схем
- •2.1. Фотолитография
- •2.2. Способы экспонирования
- •2.3. Фотошаблоны и технология их получения
- •2.4. Оптические эффекты при фотолитографии
- •2.5. Методы и технология формирования рисунка
- •3. Технологические основы пленочной
- •3.1. Термическое испарение в вакууме
- •3.2. Ионно-плазменное распыление
- •4. Элементы тонкопленочных интегральных
- •4.2. Тонкопленочные резисторы
- •4.2.1. Выбор материалов
- •5. Типовые технологические процессы
- •6. Области применения тонких пленок
- •6.1. Тонкие пленки в технике свч
- •6.2. Тонкослойные оптические покрытия
- •6.2.1. Просветляющие покрытия для видимой и инфракрасной областей спектра.
- •6.2.2. Отражающие покрытия для вакуумного ультрафиолетового излучения.
- •6.2.3. Диэлектрические многослойные пленочные системы
- •7 Методические указания по самостоятельной работе студентов.
- •7.1 Методические указания по выполнению контрольных работ.
- •7.2 Примеры решения задач.
- •7.3 Задачи для самостоятельного решения.
- •7.4. Задания к контрольной работе №2
- •Приложение 1 Основные физические постоянные
- •Соотношения между единицами измерения
- •Периодическая система элементов
- •Приложение 3 Параметры металлов и полупроводников
7.2 Примеры решения задач.
Тема: «Термическое испарение в вакууме».
1) Рассчитать давление насыщенных паров при термическом испарении серебра при температуре 1320 К.
Решение.
Давление насыщенных паров рассчитывается по формуле:
,
где ps – давление насыщенного пара, Па;
А, В– постоянные, приведенные в приложении 3.
Для расчета ps запишем
Тогда
Ответ:
2) Рассчитать скорость испарения серебра при температуре 1320 К.
Решение.
Скорость испарения рассчитывается по формуле:
,
где k– постоянная Больцмана;
m– масса молекулы.
При заданной температуре испарения рассчитывается давление ps. Воспользуемся значениемpsиз предыдущей задачи. Массу молекулы рассчитываем следующим образом: из таблицы Менделеева (приложение 2) находим молекулярный веса.е.м. Учитываем, что 1 а.е.м.кг, и получаем массу молекулы серебра.
Ответ: .
3) Рассчитать скорость конденсации и время напыления пленок серебра толщиной 0,5 мкм.
Скорость конденсации для центра подложек () рассчитывается по формуле
- для точечного испарителя,
где - скорость испарения;
- площадь испарителя;
- плотность вещества;
- расстояние.
- для поверхностного испарителя.
С другой стороны, скорость конденсации есть скорость роста пленок, т.е.
,
где d– толщина;
t – время.
Решение.
Выбираем поверхностный испаритель с площадью ds1=1 см2 и расстояние от испарителя до подложки –10 см. Плотность серебра выберем из приложения 3:. Воспользуемся значением скорости испарения из предыдущей задачи.
Подставляем в формулу все значения в системе СИ:
Для конденсации пленок серебра толщиной 0,5 мкм потребуется время напыления:
Ответ: 1040 с или 17,3 мин.
4) Рассчитать разброс толщины пленки на стандартной подложке при следующих условиях: испаритель – поверхностный; расстояние .
Выбираем стандартную подложку с размерами 60×48 мм, т.е. ,.Воспользовавшись формулой (3.21):
,
где d, d0– толщина пленки соответственно в произвольной точке и в центре подложки.
Решение.
Таким образом, толщина на краю подложки составляет 76% от толщины в центре подложки. Разброс составляет (1-0,76)=0,24
Ответ: 24%.
Тема: «Ионно - плазменное распыление».
1) Рассчитать скорость распыления мишени из тантала ионами аргона с энергией 1 кэВпри плотности ионного тока10 А/см2. Коэффициент распыления тантала –S=1,18 ат/ион.
Решение.
Скорость распыления рассчитывается по формуле
,
где – число ионов, падающих на единицу площади в единицу времени.
Величина зависит от плотности ионного токаj, на мишени.
,
где е– заряд электрона.
Атомную плотность мишени берем из приложения 3. Для тантала .
Решение.
,
.
Ответ:
1) Рассчитать коэффициент распыления ванадия ионами аргона с энергией 5 кэВ, используя теорию Зигмунда.
Решение.
Сначала определяем критическую энергию по формуле:
,
где а– параметр экранирования;
Z1, Z2– атомные массы соответственно иона и атома мишени.
Параметр экранирования а рассчитывается, как
,
где а0– первый боровский радиус атома водорода.
Берем а0 из приложения 1. Из таблицы Менделеева (приложение 2) для аргона -,; для ванадия -,.
Энергия иона составляет, E= 51031,610-19= 810-16Дж, что больше критической энергии. В области энергийкоэффициент распыления рассчитывается по формуле (3,39):
Величина представляет собой ядерное тормозное сечение ионов и рассчитывается по формуле (3.40):
Сначала рассчитываем приведенную энергию по формуле (3.41):
Приведенное ядерное тормозное сечение ионов для данного значения находим из таблицы 3.1, аппроксимируя участок зависимости междуи. ПолучаемДалее рассчитываем
Энергия сублимации для ванадия составляет 3,7 эВ.
Тогда:
Ответ: .