3.2 Дифференциалдық күшейткішті (дк) есептеу

ДК аз мәнді дрейфін қамтамасыз ететін, аз ғана жылулық тогы бар және айтарлықтай жоғары күшейту коэффициенті бар КТ312А транзисторлары берілген. U_кэ.max  15В кернеуінің шектік мәні. Сәйкесінше, Е_к1=Е_к2  7,5 В болады. Шығыс кернеуінің амплитудасы U_шығ=К_UдЕ_г=20 ·10=200 мB, Е_к1=Е_к2=6,3B болған кезде қамтамасыз етіледі. Е_к-ның одан аз мәні ТТГ (тұрақталған ток генераторын) тұрғызуды қиындатады.

+Е_к1 және –Е_э2 екі қоректендіру көздерін қолданғанда ДК сұлбасында 2.3 суреті бойынша VТ₁, VТ₂ транзисторларының эмиттерлерінің потенциалын, тыныштық режимінде нөлге тең деп алуға болады. Бұл VТ₁, VТ₂ транзисторларының базалық тізбектеріндегі құлау кернеуі, кіріс токтардың аз мәндерінде _б01R_г тыныштық тогынан өте аз болғандығынан және сәйкес транзистордың базасы тұрақты ток бойынша жерленген болып саналғандығымен байланысты. Сонда кремнилік транзисторлар үшін эмиттердің потенциалы жердің потенциалынан U_бэ01 = U_бэ02= 0,5÷0,7 В шамаға ерекшеленеді. Сондықтан бірінші жуықтауда төменгі қорек көзінің кернеуі (-Е_э2) ТТГ-на, ал жоғарғы қорек көзінің кернеуі (+Е_к1) VТ₁ ,VТ₂ транзисторларына және R_к.резисторларына түсірілген деп есептеуге болады.

VT₁ және VT₂ транзисторлары үшін бастапқы жұмыс нүктесін U_кэ0 = 3В, I_к0=1мА, U_бэ0 =0,45 В-дан таңдаймыз. Сонда R_к резисторының номиналы келесі мәнді құрайды:

R_к=.

Таңдалған режимде h_11э=2кОм, =35, сонда

R_кір үлкейту үшін және VT₁ және VТ₂ транзисторларының токтарын теңестіру үшін, транзисторлардың ток бойынша жергілікті теріс кері байланысты (ТКБ) кіргізетін R_э резисторын қосамыз. Әдетте R_э-нің мәнін ондаған немесе жүздеген Ом ретінде таңдайды.

Мысалы R_э =40 Ом деп алсақ, онда

R_кір_.д_. = 2 .

ДК токтық құраушыларының қателігін азайту үшін, VT₂ транзисторының базалық тізбегіне R_б=R_г резисторын қосамыз. ДК талап етілген К_Uд мәнін қамтамасыз ете алады ма, соны тексереміз. Симметриясыз шығыста және R_н =  болғанда

К_Uд=,

ол талап етілген мәннен аз ғана артық болады.

ТТГ есептейміз, ол үшін бастапқыда VТ₃ транзисторының ортақ шинаға қатысты коллекторының потенциалын анықтаймыз

Сәйкесінше, VТ₃ транзисторындағы және R₃ резисторындағы құлау кернеуі келесі мәнді құрайды

Е_э2–U_к3=6,3–0,46=5,84 В.

ДК жұмыс барысында ТТГ-да VT₃ транзисторының қалыпты жұмыс істеуі үшін келесі теңсіздік орындалуы қажет:

U_кб 0 және U_кб3 U_кэ
қан_.

VТ₃ транзисторының базасының ортақ шинасына қатысты потенциалын таңдаймыз U_б3 = –4,5 В, ол U_кб3  4В қамтамасыз етеді, онда R₄ резисторы мен VД диодындағы құлау кернеуі келесі түрде анықталады:

U = E_э2 – U_б3=6,3–4,5=1,8 В.

R₃ резисторындағы құлау кернеуі

U_R3=U – U_бэ03=1,8–0,5=1,3 В.

Мұнда I_к03=I_к01= I_к02=2мА кезінде U_бэ03=0,5 В болады. Онда R₃ резисторының кедергісі

R₃=U_R3/I_к03=1,3/2=0,65 кОм.

R₄, R₅ бөлгішінің тогын VТ₃ транзисторының коллекторлық тогына теңестіріп аламыз, яғни I_дел =2 мА. Сонда:

R₅= (Е_к2–U)/I_дел=4,5/2=2,25 кОм.

R₄ резисторының номиналын анықтау үшін алғашында VD диодын таңдау қажет. Диод ретінде, VT₃ транзисторы мен диодының бірдей КТК (кернеудің температуралық коэффициенті) салдарынан, VТ₃ транзисторының U_бэ өзгерісінің жақсы температуралық компенсацияны қамтамасыз ететін, КТ312А транзисторын диодтық қосылуда қолданған дұрыс болады. КТ312А транзисторының кіріс сипаттамасы бойынша I_э=2мА кезінде U_д = U_бэ0 =0,5В мәніне тең болады, сондықтан

кОм.

ДК симметриясыз шығысы болғанда, R_э резисторының орнына ТТГ бар ДК сұлбасында R₃ резисторы арқылы ток бойынша теріс кері байланыспен енгізілген VТ₃ транзисторының R_шығ3 кедергісін ескере отырып, К_{u
сфсим-з} синфазалық сигналдың күшейту коэффициентін есептейміз

мұндағы