2.2 №2 Тапсырма

Симметриялы емес кірісті, тұрақталған ток генераторы (ТТГ) бар VT биполярлық транзисторлар негізінде жасалған дифференциалдық күшейткіштің (ДК) сұлбасы берілген (2.3 суретті қараңыз). Кіріс сигналдың E_г ЭҚК, R_г кедергісі берілген (2.3 кестені қараңыз). Талап етілетін күшейту коэффициенті K_Uд, кіріс кедергісі R_кір берілген (2.4 кестені қараңыз). Қоректендіру көздері кернеулерінің E_к1 және E_э2 мәндерін таңдау қажет, сұлбаның элементтерін және синфазалық сигналды сөндіру коэффициентінің K_ссск шамасын есептеу.

2.3 Сурет

2.3 кесте

Сынақ кітапшасының номірінің соңғы цифры
Нұсқа №	1	2	3	4	5
VT типі	КT301A	KT307Б	KT317A	KT331B	КТ340Б
Ег, мВ	8	10	5	4	9
Rг, кОм	0,2	0,3	0,1	0,5	0,1

2.3 кестенің жалғасы

Сынақ кітапшасының номірінің соңғы цифры
Нұсқа №	6	7	8	9	0
Тип VT	КТ348Б	КТ358А	КТ361А	КТ379Б	КТ3102А
Ег, мВ	15	12	8	9	12
Rг, кОм	0,2	1	0,8	1,5	1,2

2.4 кесте

Сынақ кітапшасының номірінің соңғысының алдындағы цифры
Нұсқа №	1	2	3	4	5	6	7	8	9	0
Кu	15	12	10	20	18	14	25	21	16	22
Rкір, кОм	8	9	10	6	5	12	11	14	7	6

3 Есептеме-сызба жұмыстардың есептерін шығару мысалдары

3.1 Төменгі жиіліктік транзисторлық күшейткішті графоаналитикалық жолмен есептеу

VT транзисторы күшейткіш каскадына ОЭ сұлбасы бойынша қосылған (2.1 суретті қараңыз). Каскад Е_к кернеуімен бір қорек көзінен қоректенеді. Базалық тізбекке ығысу туғызу үшін R₁, R₂ кедергілерінен құралған кернеу бөлгіші қолданылады. Базалық бөлгіштен фиксирленген ығысу орын алады.

Транзистордың сипаттамалары анықтамалық кітаптан алынады.

Транзистор коллекторлық жүктемеге R_К жұмыс істегенде коллекторлық ток I_К пен коллекторлық кернеудің U_К арасындағы байланыс жүктемелік сипаттаманың теңдеуімен өрнектеледі

.

Динамикалық режимнің статикалықтан ерекшелігі болып, бір көрсеткішінің өзгерісі басқасының өзгерісіне әкеп соғады. I_б тогының ұлғаюынан коллекторлық ток пен U_Rк құлау кернеуіде өседі. Коллектор тогы бір уақытта U_б мен U_к-ға тәуелді болады. Сондықтан статикалық сипаттамаларын пайдалануға болмайды. Күшейткішті талдау үшін әдетте шығыс және өтпелі динамикалық сипаттамаларын пайдаланады.

Өтпелі динамикалық сипаттамасын тұрғызамыз.

Ол үшін берілген транзистордың шығыс статикалық сипаттамасында тізбектің толық теңдеуі бойынша (немесе жүктеме сызығының теңдеуі бойынша)жүктеме сызығын тұрғызамыз (3.1 суреттегі графиктің 1-ші квадранты).

I_к= 0, болғанда U_кэ = Е_к – жүктеме сызығының бірінші нүктесі,

U_кэ= 0,болғанда I_к = Е/ R_к – екінші нүктесі. Олардың арасын қосамыз.

Жүктеме сызығы дегеніміз транзистордың шығыс сипаттамасының жиынтығында Е_к/R_к және Е_к.нүктелерінде координата осьтерімен қиылысатын жүргізілген түзу сызық. Сипаттама берілген мәндерде ,транзистордың типі жайында ақпараттан тұрады.

Әрі қарай өтпелі динамикалық сипаттамасын тұрғызамыз: , тігінен база токтарының көлденеңінен коллектор токтарының қиылысу нүктелерін біріктіреміз (3.1 суреттегі графиктің екінші квадранты).

3.2 суретте берілген базалық токтардың мәндері үшін теңдеуі бойынша статикалық сипаттама(3.2 суреттегі контурлы қисық) негізінде тұрғызылған, кіріс динамикалық сипаттама(пунктирленген қисық) келтірілген.R_г-ның мәні 100 Ом-нан 1 килоОм-ға дейінгі аралықта алынады.

Динамикалық беріліс сипаттамасын (екінші квадрант), кіріс динамикалық сипаттамасын (үшінші квадрант) қолданып қиылысу нүктелерін бірінші квадрантқа тасымалдау жолы арқылы, өтпелі динамикалық сипаттаманы тұрғызамыз (3.3 суреттегі бірінші квадрантты қараңыз).

Транзистордың типі, Е_к коллекторлық қоректендіру кернеуі, коллекторлық жүктеме,е_г кіріс сигнал және R_г сигнал көзінің ішкі кедергісі жайында ақпараттан тұратын, нәтижесінде S-пішінді өтпелі динамикалық сипаттаманы (үшінші квадрант) аламыз.

3.4 суретте 3.3 суретте алынған өтпелі динамикалық сипаттама келтірілген. А күшейту класында бастапқы жұмыс нүктесін таңдаймыз. Ол үшін сызықты аймақты шектейміз (M және N нүктелері) және оның ортасын табамыз (А нүктесі). Бастапқы жұмыс нүктесінің ығысуын Е_ығ анықтаймыз. Содан соң кірісте сигналдың мәнін анықтаймыз. Кірістегі сигнал MN аймағының шектерінен шықпауы керектігі көрініп тұр.

Жұмыс нүктесін ығыстыру элементтерін есептейміз. Базаның потенциалы қатаң түрде R₁, R₂ бөлгішімен фиксирленеді (2.1 суретті қараңыз). Ток E_к-дан базалық бөлгіш арқылы ағады. R₂-дегі құлау кернеуі базаға ығысуын туғызады. Бөлгіштің тогы базалық тыныштық токқа тәуелді болмас үшін,шарты орындалуы қажет. Бұл шартты орындау үшінR₁, R₂ шамаларын азайту керек, бірақ ол кезде E_к-дан энергия тұтыну артады, ПӘК құлайды және онсыз да аз күшейткіштің кіріс кедергісі де құлайды.

Сондықтан да мына түрде таңдалады, бұл кеде. Ал базалық тыныштық тогы. Коллекторлық тыныштық тогы 3.4 суретте көрсетілген,базалық токты коллектор тізбегіне беру коэффициенті транзисторлар бойынша анықтамалық кітаптан алынады.

Алшақтатқыш конденсатор сыйымдылығы С_а  шартынан алынады,

мұндағы _ж – төменгі жұмыс жиілігі;

С_а =.

Сызықсыз бұрмалану коэффициентін есептейміз. Практикада сызықсыз бұрмалануларды есептеудің жуықтау әдістері қолданылады, ол Клин әдісі (немесе бес ордината әдісі). Сызықсыз бұрмаланулар кіріс тізбекпен кіргізілген сияқты, шығыс тізбекпен де кіргізіледі. Өтпелі динамикалық сипаттама қолданылады (3.5 суретті қараңыз).

Әрі қарай сызықсыз бұрмалану коэффициенті ν келесі формулалар бойынша анықталады:

–2-ші гармоника бойынша бұрмалану коэффициенті;

–3-ші гармоника бойынша бұрмалану коэффициенті;

.