- •Основы физики полупроводников (Тест 5)
- •Что происходит с энергией электронов при постепенном переходе от далеко расположенных n атомов к близко расположенным – то есть при образовании кристалла?
- •Чем отличаются с точки зрения зонного энергетического спектра металлы и диэлектрики (полупроводники)?
- •Как возникают и как называются носители заряда, определяющие электропроводность в собственных (бездефектных) полупроводниковых кристаллах. Изобразите схему генерации таких носителей.
- •Опишите схематически энергетический спектр носителей заряда в полупроводнике электронного типа. При каком типе примесей такой полупроводник формируется?
- •Опишите схематически энергетический спектр ностелей заряда в полупроводнике дырочного типа. При каком типе примесей такой полупроводник формируется?
- •Покажите графически и объясните вид функции распределения Ферми-Дирака при абсолютном нуле и при нагреве кристалла.
- •Как изменяется вид функции распределения Ферми-Дирака при нагреве кристалла от абсолютного нуля до некоторой температуры т.
- •Опишите удельная электропроводность собственного полупроводника.
- •Опишите температурную зависимость концентрации носителей заряда в собственном полупроводнике.
- •Как определить энергию ионизации примесей в примесном полупроводнике?
Основы физики полупроводников (Тест 5)
Как называются квазичастицы с полуцелым спином? Почему они так называются? Какие типы таких квазичастиц используются при описании кристаллов?
Квазичастицы с полуцелым спином (электроны и дырки) называются фермионами, поскольку их движение подчиняется статистике Ферми - Дирака.
Как называются квазичастицы с целым спином? Почему они так называются? Какие типы таких квазичастиц используются при описании кристаллов?
Квазичастицы с целым спином (фононы, экситоны, магноны, плазмоны, поляроны) подчиняются статистике Бозе - Эйнштейна
Какие два основных упрощения делаются при описании зонного энергетического спектра электронов в кристаллах?
атомные ядра (ионы) рассматриваются как неподвижные источники внутреннего электрического поля, действующего на электроны. Расположение ионов в кристаллах считается точно периодическим, так как они размещаются в узлах идеальной пространственной решетки. В результате, действующее на электрон поле также является периодическим.
одноэлектронное приближение: рассматривается только движение валентных электронов внешних атомных оболочек, которые образуют систему электронов проводимости. При этом воздействие на данный электрон ионов и всех остальных электронов описывается некоторым усредненным периодическим полем.
Какие внутренние поля действуют на электрон в кристалле? Как они учитываются при движении электрона в кристалле?
На данный электрон действует поле ионов и всех остальных электронов, которое описывается некоторым усредненным периодическим полем.
Что такое одноэлектронное адиабатическое приближение в задаче нахождения энергетического спектра электронов в кристаллах?
В основе одноэлектронного приближения лежит предположение, что квантовую систему можно описать как систему отдельных электронов, движущихся в усредненном потенциальном поле, которое учитывает взаимодействие как с ядрами атомов, так и с другими электронами. В идеале потенциал, в котором движутся электроны должен быть самосогласованным.
Что обуславливает трансформацию энергетического спектра электронов изолированных атомов при их сближении в процессе образования кристалла?
В процессе сближения атомов усиливается их взаимодействие. Кривые потенциальной энергии U(r) в промежутках между атомами накладываются друг на друга, и потенциальные барьеры, отделяющие электроны в соседних атомах, понижаются (рис. 3.16). В результате электроны, находящиеся на самых верхних уровнях (на данном рисунке Е3), могут свободно перемещаться от атома к атому и поэтому принадлежать всему кристаллу.
Рис. 3.1. Энергия электронов в изолированных (невзаимодействующих) атомах (а)
и в атомах молекулы (б)
В простейшем случае в результате уровни внешних электронов (в данном случае на рис. 3.1 это уровень Е3) расщепляются на 2 близких подуровня, каждый из которых может быть занят только двумя электронами с противоположными спинами. То же относится и к более высоким (возбужденным) уровням Е4, Е5, …, Е∞.
Электроны, расположенные на более низких энергетических уровнях Е1 (см. рис. 3.1), отделяются от аналогичных электронов в соседних атомах высокими и широкими потенциальными барьерами, поэтому они остаются локализованными в своих атомах, и уровень Е1 не расщепляется в зону.