36. Підсилювач імпульсів

Підсилювальний сигнал промодульованого ШИМ, як правило, не може керувати потужними транзисторами окінцевого каскаду. Тому, сигнал із входу ШИМ подається на вхід підсилювального імпульсу, котрий підсилює амплітуду імпульсу до значення, необхідного для ефективного керування потужними вихідними транзисторами, що працюють в ключовому режимі. Окрім того за рахунок збільшення амплітуди прямокутних імпульсів і подальшого їх обмеження можна збільшити фронти та зрізии імпульсів, що також сприяє покращенню імпульсного режиму роботи потужних транзисторів та підвищенню ККД підсилювача.

Принципові схеми підсилювачів амплітуди сигналів практично не відрізняються від схем підсилювачів гармонійного сигналу. Однак, імпульсні підсилювачі, котрі застосовуються в класі Д повинні володіти особливими параметрами та характеристиками. Вони повинні мати дуже широку смугу пропускання, щоб не спотворювалися фронти підсилювальних імпульсів малої тривалості та підсилювати частоти, ближкі до нульових, щоб були відсутні спотворення вершини імпульсу. Окрім того, для підняття коефіцієнта підсилення підсилювача в області нижніх частот у попередніх каскадах підсилювача класу Д часто застосовцють корекції АЧХ в області НЧ, які можуть бути індуктивні, ємностні, за допомогою НЗЗ і комбінованою. В якості ПІС можна використовувати ОП з відповідною корекцією їх АЧХ, а також підсилювачі, що охвачені глибоким НЗЗ (емітерні повторювачі та ін.).

37. Ключовий підсилювач потужності.

В структурній схемі рис. _______ однією з ланок є ключовий підсилювач потужності. У випадку ______ схеми це електричний ключ одному чи декільком підсилювальним елементам. В _________ схемах таких ключів два, причому вони працюють по черзі. у відкритому стані ______ ______ _______ вихідний транзистор повинен знаходитися в режимі насичення, а в закритому стані – в режимі ___________.

У відкритому стані опір ___________ переходів мало, в результаті через вихідний транзистор протікає великий струм.

І_к мак. дорівнює:

І_к мак.= (Е_п-Uк-ве) /______________/

при розрахунках Uк-ве 0

_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________струму бази. Спад напруги на транзисторі в режимі _______ називається напругою насичення __________.

Режим насичення на графіці __________ ________ ___________ транзистор відмічений прямою ___.

r____=En/Ik max.

_____________ пряма ___ ___________ ____________роботу каскаду в ключовому режимі. Нахил АВ визначає опір Rn. Точка А відповідає режиму ____________ ___________. Точка В – режиму _______ ________.

В режимі відсічення ______ ________ переходу зміщення в _______ _______________ і через транзистор протікає крайнє малий струм (___ _____ колектора І кб.). _____ ще називаються некерованим ________ _________.

Якщо на вхід транзистора подавати чи промодулювати напругу. Uбе такий _________ що _____ може увійти в режим _______ в навантаженні та ________ колектора протікає колекторний струм і_к, форма якого співпадає з формою, що подається на ____ транзистора Uбе. Uке повторює вхід та знаходиться з ним і протифазі. ______ струм поступає в навантаження через _______, в _______ ______ всі вищі гармонійні складові залишаються тільки середні значення струму.