- •5. Особенности метрологии полупроводниковых плёнок и структур
- •5.1. Общая характеристика метрологических проблем технологии полупроводниковых плёнок и структур
- •5.2. Измерение удельного электрического сопротивления плёнок зондовыми методами
- •Четырёхзондовый метод
- •Трёхзондовый метод
- •Пятизондовый метод
- •Находим
- •5.4. Методы исследования дефектов структуры эпитаксиальных плёнок
5.4. Методы исследования дефектов структуры эпитаксиальных плёнок
Структурное совершенство объёмных кристаллов и эпитаксиальных плёнок является важнейшим залогом высоких показателей качества и технологичности изготавливаемых на их основе полупроводниковых приборов и микросхем.
Объёмным кристаллам свойственны различные дефекты структуры: дислокации, границы под малыми углами, дефекты упаковки, двойники, двойниковые ламели, включения, микродефекты, кластеры и проч. Эти же дефекты присутствуют в полупроводниковых структурах, хотя к ним добавляется множество дефектов внутреннего и поверхностного строения, присущих именно плёнкам.
Таким образом, методические основы контроля дефектов структуры в эпитаксиальных плёнках и применяемые при этом технические средства практически едины как для объёмных кристаллов, так и для плёнок.
Следует, однако, учитывать, что при огромном разнообразии дефектов структуры по существу только плотность дислокаций является тем параметром, который фигурирует в технических условиях и стандартах, остальные структурные параметры контролируются либо выборочно, либо в сугубо исследовательских целях.
Поэтому метрология полупроводников, имеющая дело с массовыми производственными измерениями, естественно, сосредоточивает своё внимание почти исключительно на контроле плотности дислокаций.
Укажем основные методы выявления и подсчёта дислокаций:
Селективное травление с последующим подсчётом ямок травления с помощью оптических микроскопов.
Рентгеновская дифракционная топография.
Электронная микроскопия и электроннография.
Развитие этих методов идёт по пути совершенствования процессов выявления и декорирования дислокаций (травление, ионная бомбардирование, поверхностное диффузионное легирование, химико-термическая обработка и проч.).
Поскольку процесс выявления и подсчёта плотности дефектов структуры и их коэффициента вариации является длительным и кропотливым, создаются автоматизированные сканирующие системы с встроенными ЭВМ, которые позволяют точно и экспрессно выдавать необходимые данные. Работа автоматизированных измерительных систем основана на распознавании зрительных образов распределения дислокаций, которых согласно имеющейся классификации существует пять: равномерное распределение, "кольцо", "звезда-кольцо", "звезда", полосы скольжения.
Такие системы как у нас, так и за рубежом применяются преимущественно при приёмо-сдаточных испытаниях.