Т аблиця 7.6
Визначити максимальну кількість підключених елементів, що забезпечує умову Uсе ≥ 4V. Зробити висновок щодо впливу значень колекторного опору інвертора та вхідного опору елементів навантаження на навантажувальну здатність інвертора. (Зауважимо, що навантажувальна здатність будь-якого логічного елемента визначається саме кількістю підключених елементів навантаження, що ще задовольняють умову Uсе ≥ U”1”min. У нашому випадку U”1”min = 4V.)
2.13. Активізувати файл “non_jfet.ca3”, що є реалізацією інвертора на польових транзисторах із динамічним опором навантаження, роль якого виконує також польовий транзистор (Рис. 7.7.). Пояснити принцип дії динамічного опору навантаження.
2.14. Змінюючи логічні рівні вхідного сигналу (“1” або “0”), визначити відповідні рівні вихідного сигналу і логічну функцію, що реалізується за допомогою цієї схеми. Порівняти логічні рівні “1” і “0” вихідного сигналу з аналогічними рівнями інвертора на біполярному транзисторі. Зробити відповідні висновки. Звернути увагу на відсутність струму у вхідному колі інвертора.
Рис. 7.7. Інвертор на польовому транзисторі
2.15. Активізувати файл “1non_jf.ca3”, що дає змогу визначити навантажувальну здатність інвертора на польовому транзисторі (Рис. 7.8.).
Рис. 7.8. Схема визначення навантажувальної здатності інвертора на польовому транзисторі
2.16. Повторити експеримент згідно п. 2.12. лише при одному вході навантажувального елемента і динамічного опору інвертора. Дані занести в Табл. 7.7. Пояснити, чому відпадає необхідність проведення решти експериментів.
Т аблиця 7.7
Зробити висновки щодо навантажувальної здатності інверторів на польових транзисторах і порівняти її з навантажувальною здатністю інверторів на біполярних транзисторах. Пов’язати це явище з наявністю або відсутністю струму споживання кожною схемою інвертора.
3. Зміст звіту
Зміст має містити:
Мету роботи;
схему досліджуваного елемента;
таблиці результатів вимірювань;
висновки експерименту;
загальні висновки.
(Окремо дати порівняльні характеристики інверторів на біполярних та
польових транзисторах.)
Особливу увагу звернути на відображення таких питань:
як впливає колекторний опір інвертора на біполярних транзисторах на мінімальний рівень вхідного сигналу насичення, а також на навантажувальну здатність інвертора?
в якому інверторі значення вихідної напруги, що відповідає логічному рівню “0”, є більшим – в інвертора на біполярному чи на польовому транзисторі?
чому навантажувальна здатність інвертора на польовому транзисторі більша, ніж на біполярному?
чому застосування динамічного опору стоку польового транзистора різко зменшує вихідну напругу, що відповідає логічному рівню “0”?
як впливає на навантажувальну здатність інверторів вхідний опір елементів навантаження?
Лабораторна робота 8 Схемотехніка базових логічних елементів
1. Мета роботи: ознайомитись з принципами побудови схем та функціонуванням базових логічних елементів типу: “І”, “АБО”, “І – НІ”, “АБО – НІ” (англійською мовою відповідно: “AND”, “OR”, “NAND”, “NOR”), а також з елементами, що мають три сталих стани.