Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Центральные и переферийные устройства электронно вычислительных средств.pdf
Скачиваний:
274
Добавлен:
02.05.2014
Размер:
6.14 Mб
Скачать

Приложения

 

 

 

 

 

 

 

309

 

 

 

 

 

 

 

 

Приложение 2

 

 

Характеристики зарубежных суперЭВМ

__________________________________________________________________________________

№ Фирма,наиме-

Год

ПроизМакс. Тцикла, Емк.

Такт. Произв./ Архитектура

нование ЭВМ поста-

водит.,

 

нс ОЗУ2), скор., такт.

 

 

вки

млн.

число

 

Мбайт млн.

скор.

 

 

 

опер./

ЦП

 

 

цикл/

 

 

 

 

сек1)

 

 

 

сек.

 

 

__________________________________________________________________________________

1. Сray-1

1976

160

1

12,5

8

80

2

Однопроцессорная

 

 

 

 

 

 

 

 

векторно-конвейер-

 

 

 

 

 

 

 

 

ная типа “регистр-

2. CDC Cyber 205

 

 

 

 

 

 

 

регистр”

1981

400

1

20

64

50

8

Однопроцессорная

 

 

 

 

 

 

 

 

 

векторно-конвейер-

 

 

 

 

 

 

 

 

ная типа “память-

 

 

 

 

 

 

 

 

память”

3. Denelkor HEP

1981

160

16

1003)

1024

10

16

Многопроцессор-

 

 

 

 

 

 

 

 

ная скалярная с

 

 

 

 

 

 

 

 

конвейеризацией

4. Cray X-MP/24

1983

470

2

8,5

324)

117,6

4

Многопроцессор-

 

 

 

 

 

 

 

 

ная векторно-кон-

 

 

 

 

 

 

 

 

вейерная типа “ре-

 

 

 

 

 

 

 

 

гистр-регистр”

5. Fujitsu VP-200

1983

570

1

7

256

142,9

4

Однопроцессорная

 

 

 

 

 

 

 

 

векторно-конвейер-

 

 

 

 

 

 

 

 

ная типа “регистр-

 

 

 

 

 

 

 

 

регистр”

6. Hitachi S-810/20 1984

630

1

14

256

71,4

9

То же

7. Cray X-MP/416

1985

940

4

8,5

1284)

117,6

8

Многопроцессор-

 

 

 

 

 

 

 

 

ная векторно-кон-

 

 

 

 

 

 

 

 

вейерная типа “ре-

 

 

 

 

 

 

 

 

гистр-регистр”

8. Fujitsu VP-400

1985

1140

1

7

256

142,9

8

Однопроцессорная

 

 

 

 

 

 

 

 

векторно-конвейер-

 

 

 

 

 

 

 

 

ная типа “регистр-

 

 

 

 

 

 

 

 

регистр”

9. Cray 2/4-256

1985

1950

4

4,1

2048

243,9

8

Многопроцессор-

 

 

 

 

 

 

 

 

ная векторно-кон-

 

 

 

 

 

 

 

 

вейерная типа “ре-

 

 

 

 

 

 

 

 

гистр-регистр”

10. NEC SX-2

1985

1300

1

6

256

166,7

8

Однопроцессорная

 

 

 

 

 

 

 

 

векторно-конвейер-

 

 

 

 

 

 

 

 

ная типа “регистр-

11.IBM 3090-

 

 

 

 

 

 

 

регистр”

 

 

 

 

 

 

 

 

600E/VF

1987

696

6

17,2

256

58,1

12

Многопроцессор-

 

 

 

 

 

 

 

 

ная скалярная с

 

 

 

 

 

 

 

 

встроенными век-

 

 

 

 

 

 

 

 

торно-конвейерны-

 

 

 

 

 

 

 

 

ми устр. VF

12.ETA-10G5)

1987

10285

8

7

2048

142,9

72

Многопроцессор-

 

 

 

 

 

 

 

 

ная векторно-кон-

 

 

 

 

 

 

 

 

вейерная типа

 

 

 

 

 

 

 

 

“память-память”

13.Cray 2/4-512

1988

1950

4

4,1

4096

243,9

8

Многопроцессор-

 

 

 

 

 

 

 

 

ная векторно-кон-

 

 

 

 

 

 

 

 

вейерная типа “ре-

 

 

 

 

 

 

 

 

гистр-регистр”

Приложения

 

 

 

 

 

 

 

310

14. Cray Y-MP/

 

 

 

 

 

 

 

 

 

832

1988

2667

8

6

256

166,7

16

То же

15.

Cray-36)

1990

16000

16

2

16384

500

32

16.

NEC SX-3

1990

22000 4

2,9

 

345

64

17.

Cray-4

1993

128000

64

1

1000

128

18.

SS-1

1993

128000

64

 

 

 

Многопроцессор-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ная векторно-кон-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

вейерная

__________________________________________________________________________________

1) Для ЭВМ IBM 3090-600 E/VF операции 32-разрядные, для всех других ЭВМ операции 64-разряд- ные. Для многопроцессорных ЭВМ дана суммарная пиковая производительность их центральных процессоров (ЦП).

2)Ряд ЭВМ имеют также вторичную (расширенную) память (ЭВМ Cray X-MP, Hitachi S-810/20, NEC SX-2, IBM 3090-600E, Cray Y-MP оборудованы такой памятью емкостью 1 - 4 Гбайт).

3)Длительность цикла дана для одиночной команды.

4)Имеются также общие кластеры регистров для межпроцессорной связи.

5)Имеется общая память для многопроцессорной связи емкостью 8 Мбайт. Величина производительности - ориентировочная.

6)Применены арсенид-галлиевые схемы.

Приложения

311

 

Приложение 3

Основные технические характеристики статических микросхем памяти

___________________________________________________________________________________________

№ Тип

Инф. емк.,

Время

Напряж.

Потребл. ТехноСинхроДостоинства Недостатки

 

словхразр.

выборки, питания,

мощн. логия низация

 

 

не более, (номина-

не более,

 

 

нс

льное),В

мВт

___________________________________________________________________________________________

1. КМ185РУ7 256х4

45

5

710

ТТЛ

Низкая стоим.

Огранич.

2.

К589РУ01

16х4

35

5

56

ТТЛШ

изгот.,высокая быст.

3.

КР185РУ9

64х9

45

5

1050

ТТЛ

помехоуст.,высоздают

 

 

 

 

 

 

 

сокая нагруз.

помехи

 

 

 

 

 

 

 

способность

 

___________________________________________________________________________________________

4. К1500

1024х4

15

-4,5

950

ЭСЛ

Невысокая

РУ474

 

 

 

 

 

стоимость

5. К1500

16384х1

20

-4,5

1100

ЭСЛ

изгот.,хоро-

РУ480А

 

 

 

 

 

шая помехо-

устойчивость, высокая нанагруз.способн.

___________________________________________________________________________________________

6. КР53РУ10

2Кх8

220

5

хр.:5,25

КМОП асинхр.

Низкая Рпотр в

Зависим.

 

 

 

 

обр.:370

 

реж.хран.,ма-

от темпер.,

7. КР537

Кх4

220

5

хр.:0,135 КМОП асинхр.

лая задержка

необх.за-

РУ13А,Б

 

 

 

обр.:330

 

перекл.,высокие

щиты от

8. КР537

 

 

 

хр.:0,135

 

помехоуст. и ко-

статич.

РУ14А,Б

4Кх1

220

5

обр.:230

КМОП асинхр

эфф.разветвл.

электрич.

9. КР537

 

 

 

хр.:22

 

 

 

РУ17А,Б

8Кх8

220

5

обр.:470

КМОП асинхр.

 

 

10.КР537

 

 

 

 

 

 

 

РУ;А,Б

4Кх1

150

5

хр.:0,55

КМДП синхр.

 

 

11.КР537

 

 

 

 

 

 

 

РУ11А,Б 256х16

120

5

обр.:30

КМДП синхр.

 

 

___________________________________________________________________________________________

12.К6500РУ1 1Кх1

4

4; -2,5

1,6

на GaAs

Высокое бы-

Сложная

 

 

 

 

 

строд.,малая ра-

технол.

 

 

 

 

 

бота переключ.,

произв.,

 

 

 

 

 

большой диапаз.

высокая

 

 

 

 

 

вх.сигнала

стоимость,

 

 

 

 

 

 

низкая те-

 

 

 

 

 

 

плопров.

___________________________________________________________________________________________

Приложения

312

 

Приложение 4

Основные технические характеристики динамических микросхем памяти

____________________________________________________________________________

Тип

Инф.емк.,

Время

Рпотр, мВт

Тип

Страна,

 

 

слов х разр.

выбор-

хран. обращ. кор-

изгото-

 

 

 

ки, нс

 

пуса

витель

____________________________________________________________________________

1. К565РУ1А

4К х 1

200

33

720

DIP

Россия

2.

КР565РУ6Б

16К х 1

250

40

460

3.

К565РУ5Б

64К х 1

120

22

250

4.

МВ81С4256А

256К х 4

80

75

600

DIP,

CША

 

 

 

 

 

 

SOJ

 

5. МВ81С1000/1/2

1M х 1

6. НМ571000JP

35/45

 

 

SOJ

Япония

7.

2116

16K

150

 

720

 

Intel

8.TMS4070

 

550

 

TI

9.MK4116

120

 

600

 

Mostek

10.MCM6616

250

 

500

 

Motorola

11.41256

256K x 4

60

 

 

 

GoldStar

12.41258

256K x 1

 

 

 

13. 411000

1M x 1

 

 

 

NEC

____________________________________________________________________________

Приложение 5

Основные технические характеристики БИС РПЗУ

____________________________________________________________________________

Тип

Инф.емк.,

Время

Рпотр ,

Напряж.

Техно-

 

 

слов х разр.

считыв.,

мвт

питания,

логия

 

 

 

мкс

 

(номин),В

изгот.

____________________________________________________________________________

1. 558РР1

256 х 8

5

307

5; -12

МНОП

2.

558РР23А

2К х 4

0,35

480

5

3.

1601РР11

512 х 4

1,8

625

5; -12

4.

1601РР31

1К х 8

1,6

850

5.

1609РР1

2К х 8

0,35

525

5

n-МОП

6.

573РР2

620

7.

573РФ1

1К х 8

0,45

1100

5; -5; -12

ЛИЗ МОП

8.

573РФ3

4К х 16

450

5

n-МОП

9.

573РФ5

2К х 8

580

10.573РФ6

8К х 8

0,3

870

____________________________________________________________________________