Intel Silicon Debug

В структуре деятельности Intel есть такое понятие — Silicon Debug. Это отладка — обнаружение и устранение ошибок и неудачных мест в кремниевых кристаллах микросхем (для краткости далее мы будем использовать английский термин, а не его перевод). Методы Silicon Debug позволяют исправлять как блоки, так и отдельные транзисторы на поверхности кристалла. А учитывая наномасштабы элементов современных микросхем, такие действия превращаются в подлинное искусство, и их всё возрастающую важность на современном этапе развития полупроводниковой промышленности трудно переоценить. Существует даже глобальная инженерная организация — Corporate Quality Network или CQN, которая занимается разработкой и поставкой инновационных, патентованных продуктов для решения подобных вопросов.

Методы Silicon Debug должны, во-первых, давать возможность обнаруживать проблемы в кристаллах, работающих на высоких частотах, — причем неразрушающим способом и в микромасштабах, а во-вторых, по возможности устранять их. И делать все это надо быстро, экономя время разработки и отладки кристаллов, — например, проверить в работе скорректированный кристалл до создания новых, исправленных фотолитографических масок. Сейчас эти методы тесно интегрированы в производственный процесс.

Традиционные способы диагностики

В дрезденских лабораториях AMD нам показали, как испытываются некоторые важные параметры микропроцессоров последнего поколения (90-нм Athlon 64). Этим занимаются так называемые Quality Lab и Material Analysis Lab. Во-первых, очень широко применяется так называемый «разрушающий» анализ. Дело в том, что многие важные параметры производимых на фабриках микроструктур могут быть измерены только разрушающим способом. Для этого в готовых или полуготовых (при контроле на стадии производства) кристаллах делаются поперечные сечения или разрезы. А далее применяются широко известные в физике методы — оптическая микроскопия, сканирующая электронная микроскопия (SEM), просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения (TEM), рентгеновская дифракция (XRD), атомно-силовая микроскопия (AFM) и другие.

Анализ структур

Например, SEM является очень распространенным, оперативным и удобным методом контроля геометрических размеров создаваемых структур — транзисторов, металлических слоев и омических контактов между ними (а в современных 130-нм и 90-нм процессорах AMD — 9 слоев межсоединений и аж пять миллиардов контактов, и в их качестве и соответствии размеров проектным нормам надо быть уверенным). На современных технологических установках такой электронный микроскоп дополнен ионной пушкой. При помощи сфокусированного ионного луча (используются тяжелые ионы галлия) в нужном месте кристалла делается небольшой надрез и «вытравливается» неглубокая и аккуратная вертикальная канавка — чтобы под углом в электронный микроскоп было видно сечение верхних слоев микросхемы и можно было определить характерные размеры различных компонентов структуры. При помощи этой же аппаратуры можно определять и некоторые электронные свойства структур, а также контролировать количество дефектов на поверхности пластины.

Аналогичным образом (ионной пушкой) делаются сечения и для более тонкого метода визуального контроля — TEM. Этот метод чаще применяется для анализа сечений современных нанотранзисторов, поскольку некоторые их размеры настолько малы (например, в области затвора, см. фото выше), что разрешения SEM просто не хватает. Тут же можно сделать и элементный (химический) анализ атомарных слоев — например, измерить распределение азота в слое.

При помощи различных традиционных методов поверхностного анализа измеряется профиль легирования слоев кремния атомами примеси (B, P, As) — концентрацию легирующих примесей в процессе производства микросхем нужно уверенно контролировать, чтобы получить p-n-переходы с заданными свойствами. Для анализа дефектов в поверхностном слое монокристалла кремния служит SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometer). Фотоэлектронный микроскоп измеряет концентрацию азота в диэлектрике затвора. Все эти установки используют ультравысокий вакуум. Атомно-силовой микроскоп определяет шероховатость (неровность) поверхностей и размер зерен осаждаемых в производстве материалов.