- •1. Основные понятия и определения
- •2. Планирование и организация измерений
- •3. Методы уменьшения погрешностей измерений
- •3.1. Методы уменьшения случайных погрешностей
- •3.2. Методы уменьшения систематических погрешностей
- •3.2.1. Уменьшение постоянных систематических погрешностей
- •3.2.2. Уменьшение переменных систематических погрешностей
- •4. Электромеханические приборы прямого преобразования
- •4.1. Структурная схема и уравнение преобразования
- •4.2. Основные характеристики электромеханических приборов.
- •4.3. Магнитоэлектрические приборы
- •4.3.1. Устройство и принцип действия магнитоэлектрического им
- •4.3.2. Области применения, достоинства и недостатки
- •4.3.3. Погрешности магнитоэлектрических приборов
- •4.4. Электромагнитные приборы
- •4.4.1. Устройство и принцип действия электромагнитного им
- •4.4.2. Области применения, достоинства и недостатки
- •4.4.3. Погрешности электромагнитных приборов
- •4.5. Электродинамические приборы
- •4.5.1. Устройство и принцип действия электродинамического им
- •4.5.2. Области применения, достоинства и недостатки
- •4.5.3. Погрешности электродинамических приборов
- •4.6. Ферродинамические приборы
- •4.6.1. Устройство и принцип действия ферродинамического им
- •4.6.2. Области применения, достоинства и недостатки
- •4.6.3. Погрешности ферродинамических приборов
- •4.7. Электростатические приборы
- •4.7.1. Устройство и принцип действия электростатического им
- •4.7.2. Области применения, достоинства и недостатки
- •4.7.3. Погрешности электростатических приборов
- •4.8. Индукционные им и приборы на их основе
- •4.8.1. Устройство, принцип действия и области применения
- •4.8.2. Погрешности индукционных приборов
- •5. Измерительные преобразователи (ип) неэлектрических величин
- •5.1. Общие сведения и характеристики ип
- •5.2. Классификация измерительных преобразователей
- •5.3.Резистивные измерительные преобразователи
- •5.3.1. Общие вопросы построения рип
- •5.3.2. Основные характеристики рип:
- •5.3.3. Реостатные преобразователи
- •5.3.4.Тензорезистивные ип
- •5.3.5. Теплорезистивные ип
- •5.3.7. Измерительные цепи резистивных ип
- •6. Термоэлектрические ип
- •6.2. Области применения и материалы термоэлектрических ип
- •6.3. Характеристики термоэлектрических преобразователей
- •6.4. Конструкции термоэлектрических ип
- •6.5. Измерительные цепи термоэлектрических ип
- •7. Емкостные ип (еип)
- •7.1. Принцип действия, конструкции, характеристики еип
- •7.2. Области применения, достоинства и недостатки еип
- •7.3. Погрешности еип
- •7.4. Измерительные цепи еип
- •8. Электромагнитные ип.
- •8.1. Индуктивные ип
- •8.1.1. Принцип действия, конструкции, достоинства и недостатки
- •8.1.2.Основные характеристики и области применения
- •8.1.3. Погрешности индуктивных ип
- •8.1.4.Измерительные цепи индуктивных ип
- •8.2. Трансформаторные ип
- •8.2.1. Принцип действия, конструкции, достоинства и недостатки
- •8.2.2. Погрешности трансформаторных ип
- •8.3. Магнитоупругие ип
- •8.3.1. Принцип действия, конструкции магнитоупругих ип
- •8.3.2. Характеристики и области применения
- •8.3.3. Погрешности магнитоупругих ип
- •8.3.4. Измерительные цепи
- •9. Пьезоэлектрические ип
- •9.1. Принцип действия и материалы пьезоэлектрических ип
- •9.2. Характеристики и применение пьезоэлектрических ип
- •9.3. Погрешности пьезоэлектрических ип
- •9.4. Измерительные цепи пьезоэлектрических ип
6. Термоэлектрические ип
6.1. Принцип действия термоэлектрических ИП
Принцип действия основан наэффекте Зеебека. При соединении двух разнородных проводников или полупроводников концами (рис. 6.1 а) и различной температуре концов (Т0 Т1) в цепи возникает термоэлектродвижущая сила ЕТ (термоЭДС).
а) б) в)
Рис. 6.1 Рис. 6.2
ТермоЭДС является функцией разности температур спаев
ЕТ= ЕАВ(Т1) - ЕВА(Т2), (6.1)
и состоит из трех составляющих [13]:
1) объемной,возникающей из-за разности потенциалов на концах электродов. На горячем конце энергия носителей зарядов больше и они диффундируют к холодному. На одном конце заряды одного знака, на другом другого;
2) контактной, обусловленной зависимостью контактной разности потенциалов от температуры. При разных температурах спаев контактная разность потенциалов одного спая не компенсирует контактную разность другого;
3) фононной,которая обусловлена увлечением электронов (дырок) фононами (квантами тепловой энергии). Если в термоэлектродах есть градиент температур, то будет направленное движение фононов от горячего слоя к холодному. Фононы сталкиваются с основными носителями заряда и увлекают их за собой. При низких температурах фононная составляющая может быть в десятки и сотни раз больше первых двух.
В простейшем случае, когда цепь состоит из двух проводников или полупроводников, она называется термоэлектрическим преобразователем или термопарой. Проводники или полупроводники, составляющие термопару, называются термоэлектродами, а места их соединения - спаями. Спай термопары, воспринимающий измеряемую температуру Т1, называется рабочим (горячим) спаем. Второго спая обычно нет, а есть два так называемых "свободных" конца (рис.6.1 б), с которых снимается термоЭДС ЕТ. Температура свободных концов Т0.
Свойства термопары [9]:
1. При включении в цепь термопары третьего проводника С (рис. 6.1 в), концы которого находятся при одинаковых температурах Т2, ЭДС в цепи не изменяется.
Отсюда следует, что термоэлектрический контур можно разомкнуть в любом месте и включить в него дополнительные проводники и если дополнительные соединения будут при одинаковой температуре, то дополнительных термоЭДС не возникнет
ЕТ= ЕАВ(Т1) + ЕВС(Т2) + ЕСВ(Т2) + ЕВА(Т0) = ЕАВ(Т1) - ЕВА(Т0). (6.2)
Таким образом, прибор для измерения термоЭДС может быть включен как в разрыв, так и между концами термопары.
2. ЭДС термопары является функцией температур ее спаев и не зависит от температуры других точек термопары.
3. При температуре спаев Т1 и Т0термоЭДС равна алгебраической сумме двух ЭДС, одна из которых возникает при температуре спаев Т1 и Т'0, другая - при температурах Т' 0и Т0 (рис. 6.2)
Е (Т1,Т0) = Е (Т1, Т'0) + Е (Т'0,Т0). (6.3)