42. Какими преимуществами обла­дают эпитаксиальные методы осаждения полупроводниковых слоев?

В планарной технологии важную роль играют процессы эпитаксиального осаждения тонких слоев. Термин «Эпитаксия» означает ориентированное наращивание одного кристаллического вещества на поверхности другого кристалла, служащего подложкой.

Относительно невысокие рабочие температуры и малые скорости кристаллизации обусловливают высокую чистоту и структурное совершенство осаждаемых эпитаксиальных слоев. Эпитаксиальное выращивание структур с p-n-переходами получило широкое распространение для изоляции элементов интегральных микросхем областью объемного заряда, протяженность которой возрастает при подаче обратного смещения на p-n-переход.

43. Какие преимущества кремния обусловливают его широкое при­менение при изготовлении пла­нарных транзисторов и интег­ральных микросхем?

Кремний - базовый материал при изготовлении планарных транзисторов и интегральных схем, которые нашли широкое применение в приемно-усилительной аппаратуре и вычислительной технике. Но значительную долю составляют и дискретные кремниевые приборы: выпрямительные, импульсные и СВЧ-диоды, низкочастотные и высокочастотные, мощные и маломощные транзисторы, полевые транзисторы. Рабочие частоты планарных транзисторов достигают 10 ГГц. Кремниевые выпрямительные плоскостные диоды могут выдерживать обратные напряжения Uобр до 1500 В и пропускать прямой ток Iпр до 1500 А, существенно превосходя по этим параметрам германиевые диоды. Из кремния изготовляют большинство стабилитронов и тиристоров. Кремниевые стабилитроны имеют напряжение стабилизации от 3-х до 400 В. Спектр фоточувствительности кремниевых фотодиодов (0,3...1,1 мкм) хорошо согласуется со спектром излучения многих полупроводниковых источников света. Благодаря тому, что кремний имеет более широкую запрещенную зону, чем германий, кремниевые приборы могу работать при более высоких температурах, чем германиевые. Верхний температурный предел работы кремниевых приборов достигает 180-200 С.