Вопросы к экзамену по электронике 4 семестр.

1. Типы униполярных транзисторов.

2. Транзисторы с управляющим р-п переходом.

3. МДП транзистор.

4. Фоторезистор.

5. Фотодиод.

6. Фототранзистор.

7. Светодиод.

8. Оптроны.

9. Питание транзистора по постоянному току.

10. Нагрузочные характеристики и выбор рабочей точки.

11. Стабилизация рабочей точки.

12. Каскад с общей базой.

13. Каскад с общим эмиттером.

14. Каскад с общим коллектором.

15. Каскад с общим истоком.

16. Терморезистор прямого подогрева

17. Терморезистор косвенного подогрева

18. Позистор.

1.

МОП-структура (металл — оксид — полупроводник) — наиболее широко используемый тип полевых транзисторов. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем оксида кремния SiO₂. В общем случае структуру называют МДП (металл — диэлектрик — полупроводник).

Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми, или МОП-транзисторами (англ. metall-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Транзисторы на основе МОП-структур, в отличие от биполярных, управляются напряжением, а не током и называются униполярными транзисторами, так как для их работы необходимо наличие носителей заряда только одного типа.

Базовая классификация

Тип канала

Наиболее распространены транзисторы с индуцированным каналом (англ. enhancement mode transistor): у них канал закрыт при нулевом напряжении исток-затвор. Именно их имеют в виду, когда не упоминают тип канала.

Гораздо реже встречаются транзисторы со встроенным каналом (англ. depletion mode transistor): у них канал открыт при нулевом напряжении исток-затвор.

Тип проводимости

Существует два типа проводимости канала: n-канальные и p-канальные. Тип проводимости определяется типом носителя заряда в канале: электрон либо "дырка".

Если транзистор n-канальный:

• он открывается положительным напряжением на затворе по отношению к истоку.

• паразитный диод в структуре канала катодом подсоединен к стоку, анодом — к истоку.

• канал обычно подсоединяют так, что на стоке более положительное напряжение, чем на истоке.

Если транзистор p-канальный:

• он открывается отрицательным напряжением на затворе по отношению к истоку.

• паразитный диод в структуре канала анодом подсоединен к стоку, катодом — к истоку.

• канал обычно подсоединяют так, что на стоке более отрицательное напряжение, чем на истоке.

Особые случаи

Существуют транзисторы с несколькими затворами.

Некоторые виды мощных переключательных транзисторов снабжаются специальным отводом от части канала с целью контроля тока через транзистор. Такой прием позволяет избежать дополнительных потерь на внешних токоизмерительных шунтах.

[править]Условные графические обозначения

		P-канал
		N-канал
Индуцированный канал	Встроенный канал

G-ЗАТВОР S-ИСТОК D-СТОК

Хотя формально разделение индуцированного и встроенного каналов предусмотрено на условном графическом обозначении, на практике оно довольно часто не соблюдается.

[править]Особенности работы МОП транзисторов

Вольт-амперная характеристика изменения тока стока в зависимости от изменения напряжения на входе.

В униполярных транзисторах управляющим сигналом является разность потенциалов на участке затвор-исток.

При изменении входного напряжения ( ) изменяется состояние транзистора и 

1. Транзистор закрыт 

2. Крутой участок. 

 — удельная крутизна характеристики транзистора.

3. Дальнейшее увеличение   приводит к переходу на пологий участок.

 — Уравнение Ховстайна.

Замечания

При подключении мощных MOSFET-транзисторов (особенно работающих на высоких частотах на пределе своих возможностей) используется стандартная обвязка транзистора:

1) RC-цепочка (снаббер), включённая параллельно истоку-стоку, для подавления высокочастотных колебаний и мощных импульсов тока, возникающих при переключении транзистора из-за индуктивности подводящих шин. Высокочастотные колебания и импульсные токи увеличивают нагрев транзистора и могут вывести его из строя.

2) Быстрый защитный диод, включённый параллельно истоку-стоку (обратное включение), для шунтирования импульса тока, образующегося при отключении индуктивной нагрузки.

3) Если транзисторы работают в мостовой или полумостовой схеме на высокой частоте (сварочные инверторы, индукционные нагреватели, импульсные источники питания), то помимо защитного диода в цепь стока встречно включается диод Шоттки для блокирования паразитного диода. Паразитный диод имеет большое время запирания, что может привести к сквозным токам.

3) Резистор, включённый между истоком и затвором, для сброса заряда с затвора. Затвор удерживает электрический заряд и после снятия управляющего сигнала MOSFET-транзистор может не закрыться (или закрыться частично, что приведёт к повышению его сопротивления, нагреву и выходу из строя). Величина резистора подбирается таким образом, чтобы не мешать управлению транзистором, но в то же время как можно быстрее сбрасывать электрический заряд с затвора.

4) Резистор, включённый в цепь затвора, для уменьшения тока заряда затвора. Затвор мощного полевого транзистора обладает достаточно высокой ёмкостью, представляет из себя фактически конденсатор ёмкостью несколько десятков нФ, что приводит к значительным импульсным токам в момент зарядки затвора (единицы ампер). Большие импульсные токи могут повредить схему управления.

5) Управление мощным MOSFET-транзистором на высоких частотах осуществляют с помощью драйвера - специальной микросхемы, усиливающей управляющий сигнал и обеспечивающей большой импульсный ток для быстрой зарядки затвора транзистора. Это увеличивает скорость работы транзистора.

Другой источник:

Полевой транзистор с управляющим pn-переходом jfet

Полевой транзистор – транзистор, в котором сила проходящего через него тока регулируется внешним электрическим полем, т.е напряжением. Это принципиальное различие между ним и биполярным транзистором, где сила основного тока регулируется управляющим током.

Поскольку у полевого транзистора нет управляющего тока, то у него очень высокое входное сопротивление, достигающее сотен ГигаОм и даже ТерраОм (против сотен КилоОм у биполярного транзистора).

Еще полевые транзисторы иногда называют униполярными, поскольку носителями электрического заряда в нем выступают только электроны или только дырки. В работе же биполярного транзистора, как следует из названия, участвует одновременно два типа носителей заряда – электроны и дырки.

Классификация полевых транзисторов

Полевые транзисторы (FET: Field-Effect-Transistors) разделяются на два типа – полевой транзистор с управляющим PN-переходом (JFET: Junction-FET) и полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET: Metal-Oxid-Semiconductor-FET).

Каждый из типов может быть как с N–каналом, так и с P-каналом. У транзисторов с N-каналом в роли носителей электрического заряда выступают электроны. У транзисторов с P-каналом – дырки. В этой статье речь пойдет о полевом транзисторе с управляющим PN-переходом JFET c N-каналом. Принцип работы транзистора P-типа аналогичен, только меняется полярность источников напряжения.