2.2.Расчет усилительных и частотных параметров биполярного транзистора
Основным элементом полупроводниковых биполярных ИМС является эпитаксиально-планарный транзистор типа n-p-n. Структура интегрального транзистора существенно отличается от структуры дискретного транзистора, что в свою очередь приводит к некоторому различию их физических свойств (см. рис. 2.2.1).
Рисунок 2.2.6 Топология (а) и структура (б) транзистора ИМС
Основное отличие интегрального транзистора от дискретного заключается в наличии у интегрального транзистора изолирующего p-n-перехода, необходимость использования которого вызывает появление паразитного транзистора типа p-n-p и увеличение сопротивления тока коллектора. Параметры интегрального транзистора типа n-p-n в значительной степени определяются параметрами паразитного транзистора.
Расчет параметров транзистора представляет собой сложную многофакторную задачу, решение которой может быть выполнено только с помощью ЭВМ.
Рисунок 2.2.7 Упрощенные эквивалентные схемы транзистора ИМС при включении с общей базой (а) и общим эмиттером (б)
Машинные методы расчета включают в себя следующие основные этапы:
разработку электрической модели и эквивалентной схемы транзистора;
расчет рабочих характеристик;
оценку влияния изменения условий окружающей среды на характеристики транзистора.