Висновки

1. З літературних даних відомо, що для одежання плівкових наноструктур використовують наступні методи як: радіочастотне магнетронне напилення, електронно -променеве напилення та імпульсне лазерне напилення. Утворення плівки відбувається за чотирма стадіями як: утворення острівців; коалесценція острівців; утворення каналів; утворення суцільної плівки.

2. Освоєно методику отримання плівкових наноструктур на основі Al і Cu, яка складається з наступних етапів: а підігріту основу до 803 К наносили шар Al товщиною 8- 20 нм, в результаті чого плівка формувалася у вигляді острівцевої структури. На наступному етапі на охолоджену до кімнатної температури плівку Al наносили шар полікристалічного Cu. Наступна температурна обробка до 923 К приводила до формування наноструктурованої системи.

3. Відпалювання зразків приводе до суттєвого зростання електричного опору це можна пояснити структурно-фазовими перетвореннями у системі. В результаті чого, як показують електронно-мікроскопічні дослідження, суцільна плівка перетворюється у наноструктуровану. Дослідження показали, що КТ для двошарових систем складає 1,9 - 25,2 з ростом товщини системи КТ спадає. Після відпалювання плівки стають не чутливими до деформації (ᵞ = 1,6 )

4. В ході виконання дипломної роботи був проведений аналіз заземлення установки ВУП-5М лабораторії в якій проводились експерименти.

Список використаних джерел

1. Фреїк Д.М., /Технологічні аспекти нанокластерних і нанокристалічних структур [ Яцишин Б.П.] /Фізика і хімія твердого тіла, 2007, - Т 8. –с.7-24.

2. Крышталь А.П. /Формирование наноразмерных островковых систем Sn на с-подложке с использованием конденсированных пленок //Вісник ХНУ. 2010. - вип. 13.с. 92 – 97.

3. Дульцев Ф.Н.Тонкие пленки как основа химических и биологических сенсоров. доктора химических наук/ - Новосибирск, 2008. - с. 251.

4. Корнющенко Г.С. “Селективні процеси при квазірівноважній стаціонарній конденсайіїї міді та алюмінію” кандидат: фізико-математичних наук 2009.-с.150

5. Гаев Д.С. Модельформирования наноразмерних островковых структур инконгруэнтным испарением композитных пленок [Столяров А .Г., Кучмезов Р .К.] г.Нальчик.2007.-с.510.

6. Готра З.Ю., Структура та оптичні властивості прозорих електропровідних плівок на основі BaCuTeF [Тейт Дж., Кікінеші Р., Дутчак З.А., Закутаєв А.А., Ракобовчук Л.М., Яворський Б.М.] 2007.- c.700

7. Моряков О.С. Элионная обработка // Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. М : Высшая школа, 1990. Книга 7. с.128.

8. Борзяк П.Г., Кулюпин Ю.А. Электронные процессы в островковых металлических пленках. К.: Наукова думка. 1980. 240 с.

9. Постников В.В., Новиков А.В. Материалы Всероссийского совещания "Зондовая микроскопия-99". Н.Н. 1999.с. 30.

10. Симакин С.Б. Разработка неразрушающих методов контроля ионно-плазменных процессов формирования тонкопленочных структур и элементов оборудования для создания устройств электронной техники: Дис… д-ра техн. наук. М. 2009. с. 382.

11. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры, под ред. Л. Ченга, К. Плога, пер. с англ. М. 1989.

12. Технология тонких пленок под ред. Л. Майселла, Р. Глэнга, пер. с англ. М.: Сов. радио, 1977. Т. 2. Ч. 2. с. 768.

13. Сахаров А.В., Крестников И.Л., Малеев Н.А., Ковш Р.А. и др. Вертикальные микрорезонаторы на 1.3 мкм с квантовыми точками и приборы на их основе //Физика и техника полупроводников. 2001. Т.35. Вып. 7. с. 889 – 895.

14. Быков Ю.А., О некоторых особенностях структуры и свойств металлических тонких плёнок [С.Д. Карпухин, Е.И. Газукина]. 2000. №6. c.45-47.

15. Тесленко-Пономаренко В.В. Исследование микротопографии поверхности плёнок, Al₂O₃ полученных методом магнетронного распыления при низком давлении Харьков 2003.-с. 175.

16. . Nagai Y., Tsuru K., Yanagisawa K. // In: Proc. of ASC-90, to be published in IEEE Trans. Magn. 1991. V.

17. www.provisor.com.ua 2010 рік №22. Журнал провизор - 03.20.2012.

18. В .А. Соломаха, А.О. Степаненко, А .М. Чорноус «Електрофізичні властивості плівок міді в умовах хімічної взаємодії з газами залишкової атмосфери» Фізика і хімія твердого тіла. 2004 Т. 5.- с. 449-454.

19. Міністерство освіти і науки України Сумський державний університет І.Ю. Проценко, В.А. Саєнко Тонкі металеві плівки (технологія та властивості)

20. Великодний Д.В. Тензорезистивні властивості плівкових систем Cu/Cr І Fe/Cr в області пружної і пластичної деформації кандидата фізико - математичних наук 01.04.01/Великодний Дмитро Володимирович.-Суми 2004.-с.119

21. ГОСТ 12.1.019-79 ССБТ. Электробезопасность. Общие требования и

номенклатура видов защиты.

22. ГОСТ 12.02.007.9-88 ССБТ. Оборудование электротермическое. Требование безопасности.

23. ГОСТ 12.1.030-81. Заземлення. Вимоги безпеки.

24. ГОСТ 12.1.007.3-75 ССБТ. Электротехнические устройства на напряжении свыше 1000 В. Требования безопасности.

25. ОНТП 24-86. Указание по определению категории помещений и зданий по взрывопожарной и пожарной безопасности.

26. ГОСТ 12.1.004-91. Пожарная безопасность. Общие требования.

27. ДБН. В 2.5-28-2006. Естественное и искусственное освещение.

28. ДСН 3.3.6.042-99. Санітарні норми мікрокліматів виробничих приміщень.

39. http://www.ukrreferat.com/index.php

30. Цивільна оборона - Губський: Стихійне лихо, аварії, катастрофи та їх

характеристики.