- •Виды химической связи
- •Классификация диэлектрических материалов
- •Основные положения зонной теории твердого тела
- •Электропроводность полупроводников
- •Контактные явления в полупроводниках Классификация электронно-дырочных переходов
- •Классификация электрических переходов
- •Р ис. 7. Пространственное распределение зарядов (а, б, в) и энергетические диаграммы р-п-перехода (г, д, е):
- •Методы формирования электронно-дырочных переходов
- •Р ис. 9. Диффузионный р-п-переход (а) и распределение примесей в полупроводнике после диффузии в него доноров (б).
- •Контакт металл-полупроводник
- •Гетеропереходы
- •Полупроводниковые диоды
- •В ыпрямительные диоды
- •Диоды шотки
- •Стабилитроны
- •Стабисторы
- •Туннельные диоды
- •Варикапы
- •Работа биполярного транзистора в активном режиме
- •Статические параметры биполярного транзистора
- •Статические характеристики биполярного транзистора
- •Полевые транзисторы
- •Классификация интегральных микросхем
- •Активные элементы
- •Пассивные элементы
- •Интегральные микросхемы на основе биполярных транзисторных структур
- •Интегральные микросхемы на основе полевых транзисторных структур
- •Оптоэлектроника
- •Классификация Оп/пП
- •Основные характеристики инфракрасных и светоизлучающих диодов
- •Принцип действия и основные характеристики фоторезисторов
- •Экзаменационные вопросы по курсу «Физические основы микроэлектроники»
- •Тема 1. Основные материалы электронной техники
- •Тема 2. Контактные явления в полупроводниках
- •Тема 3. Полупроводниковые диоды
- •Тема 4. Биполярные транзисторы
- •Тема 5. Полевые транзисторы
- •Тема 6. Интегральные микросхемы
- •Тема 7. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы
Оптоэлектроника
Оптоэлектронный полупроводниковый прибор – это п/п прибор, излучающий или преобразующий электромагнитное излучение, чувствительный к этому излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра или использующий подобное излучение для внутреннего взаимодействия его элементов.
Оптический диапазон ЭМ колебаний – от 1 нм до 1 мм. Видимое излучение – от 0,38 до 0,78 мкм.
Классификация Оп/пП
Полупроводниковые излучатели – это оптоэлектронные полупроводниковые приборы, преобразующие электрическую энергию в энергию ЭМИ в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра
- когерентные
(п/п лазеры с различными видами возбуждения)
- некогерентные
(инфракрасные излучающие диоды, светоизлучающие диоды,
п/п знаковые индикаторы, п/п шкалы, п/п экраны,
электролюминесцентные порошковые и пленочные излучатели)
Полупроводниковые приемники излучения – это оптоэлектронные полупроводниковые приборы, чувствительные к ЭМИ видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой области спектра или преобразующие энергию ЭМИ непосредственно в электрическую энергию
фоторезисторы, фотодиоды, фотоэлементы, фототранзисторы, фототиристоры,
приборы с зарядовой связью, приемники проникающей радиации и
корпускулярно-преобразовательные п/п приборы
Оптопары и оптоэлектронные ИМС - это оптоэлектронные полупроводниковые приборы, использующие ЭМИ видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой области спектра для внутреннего взаимодействия элементов
Основные характеристики инфракрасных и светоизлучающих диодов
Инфракрасный излучающий диод (ИК-диод) – п/п излучатель, представляющий собой диод, способный излучать энергию инфракрасной области спектра.
Основные характеристики и параметры:
- полная мощность излучения при определенном прямом токе (Вт или мВт);
- инерционность – характеризуют временами нарастания и спада импульса излучения, которые измеряются между уровнями излучения 0,1 и 0,9 от максимума амплитуды излучения, поэтому для приборов визуальной индикации несущественна (инерционность глаза 50 мс);
- зависимость мощности (относительной мощности) излучения от проходящего тока;
Светоизлучающий диод – это полупроводниковый некогерентный излучатель энергии видимой области спектра, предназначенный для отображения визуальной информации и представляющий собой диод, работающий в области прямого смещения.
При протекании через диод прямого тока происходит инжекция неосновных носителей заряда (электронов или дырок) в базовую область диодной структуры. Процесс самопроизвольной рекомбинаци инжектированных неосновных носителей заряда, происходящих как в базовой области, так и в самом p-n-переходе, сопровождается переходом их с высокого энергетического уровня на более низкий; при этом избыточная энергия выделяется путем излучения кванта света.
Чтобы кванты энергии – фотоны, освободившиеся при рекомбинации, соответствовали квантам видимого света, ширина запрещенной зоны исходного полупроводника должна быть относительно большой (Еg > 1,8 эВ). Исходя из этого ограничения, для изготовления светодиодов используются следующие полупроводниковые материалы: фосфид галлия (GaP), карбид кремния (SiC), твердые растворы: галлий—мышьяк—фосфор (GaAsP) и галлий—мышьяк—алюминий (GaAsAl), а также нитрид галлия (GaN), который имеет наибольшую ширину запрещенной зоны (Eg > 3,4 эВ), что позволяет получать излучение в коротковолновой части видимого спектра вплоть до фиолетового.
Путем добавления в полупроводниковый материал атомов веществ-активаторов можно изменять в некоторых пределах цвет излучения светодиода. Например, на основе фосфида галлия, легированного определенным количеством цинка, кислорода или азота, получают светодиоды зеленого, желтого и красного цветов свечения. Тройные соединения GaAsP и GaAsAl используют, в основном, для получения светодиодов красного цвета свечения.
Основные характеристики и параметры:
- яркость излучения (кандела на квадратный метр, кд/м2) – зависит от длины волны излучения, т.к. эффективность воздействия света на глаз человека определяется видностью, максимум которой приходится на 0,555 мкм (зеленый свет);
- яркостная характеристика – зависимость яркости от проходящего через прибор тока, желательно иметь прямую пропорциональность (б);
- спектральная характеристика – зависимость мощности излучения от длины волны излучаемых ЭМК;
- ВАХ – представляет собой ВАХ прямосмещенного р-п-перехода (а).