- •1 Границя напівпровідник-діелектрик та її основні електрофізичні властивості. Границя метал-напівпровідник та її властивості.
- •2 Розрахунок положення рівня Фермі в напівпровіднику в залежності від концентрації легуючої домішки та температури.
- •4 Діод Шоткі та його електрофізичні властивості. Формування діоду Шоткі, розрахунок профіля потенціалу в опз та ємності діода в залежності від прикладеної напруги. Випрямляючі властивості діоду Шоткі.
- •6. Епітаксія та її особливості. Молекулярно-променева епітаксія та її застосування для виготовлення сучасних елементів інтегральних схем.
- •7 Окисленнянапівпровідників. Сухе та вологе окислення кремнію. Фізичні моделі та особливості технологічного процесу окислення кремнію.
- •8. Літографія в мікроелектроніці. Можливості оптичної, рентген і вської, електронної та іонної літографії літографії.
- •9. Травлення та техніка масок. Йонне та хімічне травлення.
- •Техніка масок
- •10 Методи нанесення тонких плівок. Металізація. Термічне та катодно напилення. Напилення електронним променем. Розпилення в плазмі різних матеріалів. Плазменна обробка напівпровідників.
- •3.2 Катодне напилення
- •3.4 Анодування
- •Металізація
- •11А. Аморфні напівпровідники. Виготовлення тонких плівок з аморфних н/п.
- •11.Б* полікристалічні напівпровідники. Отримання тонких плівок полікристалічних н/п.
- •12. Отримання тонких та товстих плівок в мікроелектронній технології. Гібридні інтегральні мікросхеми та їх особливості.
- •14 Особливості ізоляції елементів в мікроелектроніці. Ізоляція V-кананавками. Епік процес. Інші засоби ізоляції елементів в мікроелектроніці.
- •18.Запам'ятовуючі пристрої в мікроелектроніці. Постійні, статичні та динамічні елктектронні запам'ятовуючі пристрої. Ппзз та їх конструкція.
- •19. Пзз Принципова будова матриці
8. Літографія в мікроелектроніці. Можливості оптичної, рентген і вської, електронної та іонної літографії літографії.
Літографія в мікроелектроніці- формирование микрорисунков на поверхности твёрдого тела. M. лежит в основе технологии микроэлектроники. Обычно M. включает: нанесение на поверхность твёрдого тела (подложку) тонкого слоя фоторезиста (материала, чувствительного к воздействию радиации); экспонирование отд. областей резиста соответственно заданному рисунку (фотошаблон) и проявление, т. е. удаление экспонированных (в позитивном процессе) или неэкспонированнах (в негативном процессе) областей резиста. В результате формируется фоторезис-тивная плёночная маска, в "окнах" к-рой осуществляется технол. обработка поверхностного слоя подложки. Затем фоторезист обычно удаляется. Подобная процедура при изготовлении интегральной схемы повторяется, причём каждый последующий рисунок точно совмещается с предыдущим. Чередование M. с др. приёмами (травление, кристаллизация, напыление плёнок, легирование, окисление и т. д.) позволяет создавать твердотельные структуры со сложной геометрией.
Важный показатель M.- разрешающая способность - характеризуется мин. шириной линий рисунка (проектной нормой). При возникновении M. (1958) проектная норма составляла 30-100 мкм, ко 2-й пол. 80-х гг. она достигла 1-2 мкм, а в оксперим. устройствах - 0,1 мкм. Формирование рисунка с шириной линий до 0,01-0,001 мкм (0,1-0,01 HM) наз. нанолитографией.
По характеру экспонирующего излучения выделяют фотолитографию, рентгеновскую литографию, электро-нолитографию и ионолитографию.
Для фотолитографии наиб, критична длина волны l излучения. В случае контактной печати (фотошаблон накладывается непосредственно на слой фоторезиста) разрешающая способность Недостаток контактной печати - быстрое накопление дефектов в шаблоне и формируемых структурах. Фотолитография с помощью света с длиной волны ~400 нм позволяет серийно изготовлять интегральные схемы с минимальным размером 2-3 мкм, содержащие до 105 транзисторов.
Рентгенолитография практически свободна от волновых ограничений разрешающей способности. Последняя в данном случае ограничивается в осн. эффектами полутени: где S- ширина зазора между шаблоном и пластиной, d- диаметр источника излучения, D- расстояние от источника до шаблона. Для достижения субмикронного разрешения необходимы проекц. рентг. системы с мкм; при этом неоднородности эфф. величины зазора приводят к флук-туациям геом. искажений рисунка. По сравнению с электроне- и ионо-литографией в Р. л. малы радиац. повреждения формируемых структур и высока производительность благодаря возможности одноврем. обработки больших площадей образца. Р. л. отличается большой глубиной резкости и малым влиянием материала подложки и её топографии на разрешающую способность.Высокая интенсивность и хорошая коллимация синхротронного излучения позволяют создавать пром. системы с разрешением ~ 0,1 мкм при малых временах экспозиции и упрощают проведение операции совмещения маркерных знаков с точностью ~0,02 мкм и рисунков (с точностью ~0,1 мкм) на больших площадях.Благодаря большой проникающей способности рентг. излучения, малости эффектов рассеяния и высокого контраста при экспонировании Р. л. позволяет формировать в резистах субмикронные структуры с большим отношением высоты к ширине, а также формировать в однослойных резистах структуры со сложным профилем края (рис. 5), напр. нависающим.
При электронолитографии используют либо параллельный поток электронов (проекц. электронолитогра-фия), либо пучок электронов, сканирующий пластину (сканирующая электронолитография). Первый метод обладает более высокой производительностью, но требует сложных шаблонов и имеет ограниченную разрешающую способность. Второй позволяет достичь разрешения лучше 0,1 мкм (в экспериментах HM) и формировать изображение без помощи шаблона путём прямого управления лучом с помощью ЭВМ. Разрешающая способность электронолитографии определяется рассеянием электронов в резисте и их обратным рассеянием в результате отражения от подложки. Для уменьшения этих явлений применяют двухслойные резисты. Осн. проблема, препятствующая широкому внедрению электронолитографии в массовое нроиз-во интегральных схем,- низкая производительность сканирующих систем. Поэтому обычно её применяют в сочетании с фотолитографией и рентгенолитографией. При этом электронолитографию используют для формирования шаблонов p отдельных, наиб, ответственных рисунков на пластинах.
Электронный пучок сканирует поверхность электронного резиста, повторяя шаблон, заложенный в управляющий компьютер, и позволяя достигать разрешения 1 нм благодаря более короткой длине волны электронов по сравнению со светом.[1] Электронная литография используется для создания масок для фотолитографии, производстве штучных компонентов, где требуется нанометровое разрешение, в промышленности и научной деятельности.
Ионолитография обладает свойствами сканирующей электронолитографии, но эффект обратного рассеивания здесь выражен значительно слабее. Жидкометал-лич. ионные источники создают плотные пучки. Сканирующие ионные системы используют для прямого формирования структуры интегральных схем без шаблонов. При этом ионный пучок, управляемый ЭВМ, осуществляет легирование полупроводника, вносит в него локальные радиац. повреждения, осуществляет травление подложки. Однако производительность в этом случае низкая. В отличие от рентгеновских ионные лучи могут быть легко сфокусированы и сформированы в узкие пучки, позволяющие получать линии шириной 0 1 мкм. Ионная литография обеспечивает в 2 - 3 раза более высокую точность совмещения рисунков ( - 0 01 мкм), чем при использовании электронных лучей.