V1: Диодная логика
I:
S: Приведенным временным диаграммам напряжения на входе (а) и выходе устройства (б) соответствует схема…
+:
-:
-:
-:
I:
S: Обратное напряжение на диоде и амплитудное значение напряжения на входе выпрямительной схемы соотносятся как…
-:Uобр.тVD= π∙U2m
+: Uобр.тVD= U2m
-:Uобр.тVD= U2m / π
-:Uобр.тVD= 2∙U2m
I:
S: Ток нагрузки выпрямителя Iн = 6 А, средний ток диода IVD = 3А соответствует выпрямительной схеме...
-: трехфазной мостовой
-: однофазной однополупериодной
-: трехфазной с выводом средней точки трансформатора
+: однофазной двухполупериодной с выводом средней точки вторичной обмотки трансформатора
I:
S
:
Временным диаграммам напряжения на
входе (а) и выходе (б) выпрямителя
соответствует схема...
-:
+:
-:
-:
I:
S: Ток нагрузки выпрямителя Iн = 2 А, средний ток диода IVD = 1 А соответствует схеме…
-:
-:
+:
I:
S: Приведенным временным диаграммам напряжения на входе (а) и выходе устройства (б) соответствует схема…
-:
-:
-:
+:
I:
S: Обратное напряжение на диоде и амплитудное значение напряжения на входе выпрямительной схемы соотносятся как…
+: Uобр.тVD= U2m
-: Uобр.тVD= U2m/ π
-:Uобр.тVD= π∙U2m
-:Uобр.тVD= 2∙U2m
I:
S: Ток нагрузки выпрямителя Iн = 2 А, средний ток диода IVD = 1 А соответствует схеме…
-:
-:
+:
I:
S: На рисунке приведена вольт-амперная характеристика выпрямительного диода, участок обозначенный цифрой 1, называется областью…
-: стабилизации тока
+: электрического пробоя
-: выпрямления
-: стабилизации напряжения
I:
S: Обратное напряжение на диоде и амплитудное значение напряжения на входе выпрямительной схемы соотносятся как…
-:Uобр.тVD= π∙U2m
+: Uобр.тVD= U2m
-:Uобр.тVD= U2m / π
-:Uобр.тVD= 2∙U2m
I:
S: Приведенным временным диаграммам напряжения на входе (а) и выходе устройства (б) соответствует схема…
+:
-:
-:
-:
I:
S: Ток нагрузки выпрямителя Iн = 2 А, средний ток диода IVD = 1 А соответствует схеме…
-:
-:
+:
V1: Транзисторная логика
I:
S: В приведенной схеме работа транзистора в режиме покоя обеспечивается...
-: резистором RЭ и емкостью СЭ
+: резисторами RБ1 и RБ2
-: резисторомRК
-: напряжением – ЕП
I:
S: Основными носителями заряда в полупроводнике р – типа являются...
+: дырки
-: электроны
-: нейтроны
-: мюоны
I:
S: Структура триодного тиристора изображена на рисунке...
+:
-:
- :
-:
I:
S: Структура полевого транзистора с изолированным затвором изображена на рисунке...
+:
-:
-:
-:
I:
S: Не основными носителями заряда в полупроводнике n- типа являются…
-: электроны
-: нейтроны
-: мюоны
+: дырки
I:
S: Как называют часть транзистора, отдающую основные носители заряда?
+: эмиттер
-: коллектор
-: база
-: токогенератор
I:
S: Как называют часть транзистора, принимающую основные носители заряда?
-: эмиттер
+: коллектор
-: база
-: токоприёмник
I:
S: Как называют часть транзистора, управляющая током основных носителей заряда?
-: эмиттер
-: коллектор
+: база
-: токоуказатель
I:
S: Коэффициент усиления по току α характеризует схему транзистора с…
+: общей базой
-: общим эмиттером
-: общим коллектором
-: общим источником питания
I:
S: Коэффициент усиления по току β характеризует схему транзистора с…
-: общей базой
+: общим эмиттером
-: общим коллектором
-: общим источником питания
I:
S: Коэффициент усиления по току γ характеризует схему транзистора с…
-: общей базой
-: общим эмиттером
+: общим коллектором
-: общим источником питания